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來(lái)源: 集微網(wǎng) 作者:武守哲 盡管臺(tái)積電在其第一季度電話會(huì)議中將其業(yè)績(jī)下滑歸因于宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟和終端市場(chǎng)需求不振，但終端市場(chǎng)需求并未改善。對(duì)此，seekingalpha知名半導(dǎo)體分析師Robert Castellano對(duì)臺(tái)積電在發(fā)布Q2財(cái)報(bào)之前做了分析。 他認(rèn)為，2022年第二季度，全球智能手機(jī)出貨量下降至2.87億部，這是自2020年第二季度疫情首次爆發(fā)以來(lái)的最低季度數(shù)據(jù)。 2023年第二季度，全球個(gè)人電腦市場(chǎng)的下滑趨勢(shì)有所減緩，臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的總出貨量同比下降11.5%，達(dá)到6210萬(wàn)臺(tái)。在此之前，出貨量連續(xù)兩個(gè)季度下降超過(guò)30%。然而，第二季度的出貨量環(huán)比增長(zhǎng)了11.9%。 然而，臺(tái)積電的技術(shù)實(shí)力正在緩解終端市場(chǎng)需求的下降和整體經(jīng)濟(jì)低迷帶來(lái)的影響。在7 nm以下節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電的市場(chǎng)份額達(dá)到了近90%。該公司將近90%的3nm晶圓產(chǎn)能供應(yīng)給了蘋(píng)果公司。 據(jù)報(bào)道，到2023年底，3nm晶圓的產(chǎn)量將達(dá)到每月10萬(wàn)片。 臺(tái)積電2023年的收入分析： 臺(tái)積電首席財(cái)務(wù)官黃仁昭在2023年第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中指出： “由于宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟和終端市場(chǎng)需求不振，我們的第一季度營(yíng)收環(huán)比下降18.7%（以新臺(tái)幣計(jì)）或16.1%（以美元計(jì)），這導(dǎo)致客戶相應(yīng)地調(diào)整了需求。預(yù)計(jì)第二季度的業(yè)務(wù)將繼續(xù)受到客戶進(jìn)一步調(diào)整庫(kù)存的影響。根據(jù)當(dāng)前的業(yè)務(wù)前景，我們預(yù)計(jì)第二季度的營(yíng)收將在152億美元到160億美元之間，即在這個(gè)中間值附近，環(huán)比下降為6.7%。進(jìn)入2023年第二季度，我們預(yù)計(jì)我們的業(yè)務(wù)將繼續(xù)受到客戶庫(kù)存調(diào)整的影響�，F(xiàn)在我們預(yù)計(jì)2023年上半年的營(yíng)收以美元計(jì)將比去年同期下降約10%，而之前預(yù)計(jì)的下降幅度為中高個(gè)位數(shù)百分比�！� 基于合并計(jì)算，2023年6月的營(yíng)收約為1564億元新臺(tái)幣（約合49.8億美元），環(huán)比5月下降11.4%，同比2022年6月下降11.1%。2023年1月至6月的營(yíng)收總額為9894.7億元新臺(tái)幣（約合315.1億美元），與2022年同期相比下降3.5%。 表格1（上圖）顯示了實(shí)際的第二季度營(yíng)收數(shù)據(jù)，環(huán)比下降5.5%（以新臺(tái)幣計(jì)）或8.0%（以美元計(jì)）。因此，營(yíng)收增長(zhǎng)1.3%，超過(guò)了預(yù)計(jì)的-6.7%（以美元計(jì)）。 2023年上半年，營(yíng)收為9894.74億元新臺(tái)幣，較去年同期的10252.16億元新臺(tái)幣下降3.5%，以美元計(jì)下降6.0%。因此，營(yíng)收增長(zhǎng)4%，超過(guò)了預(yù)計(jì)的-10%（以美元計(jì)）。 下圖顯示了2022年1月至2023年6月每個(gè)季度的總營(yíng)收增長(zhǎng)情況（藍(lán)色柱形圖），同時(shí)還顯示了營(yíng)收環(huán)比變化（橙色線條）。 如上所述，在7 nm以下節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電享有主導(dǎo)地位，這為他們帶來(lái)了一個(gè)優(yōu)勢(shì)，即隨著節(jié)點(diǎn)減少，晶圓價(jià)格會(huì)更高。根據(jù)《全球半導(dǎo)體設(shè)備：市場(chǎng)、市場(chǎng)份額和市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的數(shù)據(jù)，晶圓的價(jià)格如下： 7nm晶圓價(jià)格為9000美元，3nm晶圓價(jià)格為18000美元。 65nm晶圓價(jià)格為5000美元，16nm晶圓價(jià)格為8000美元。 這些較高的價(jià)格在很大程度上緩解了宏觀經(jīng)濟(jì)狀況的疲軟和終端市場(chǎng)需求的下降，尤其是在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域。 臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家在2023年第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議中指出。 “對(duì)于2023年的整個(gè)年度，我們預(yù)計(jì)半導(dǎo)體市場(chǎng)（不包括存儲(chǔ)器）的下降幅度將在中個(gè)位數(shù)百分比范圍內(nèi)，而代工行業(yè)將下降高個(gè)位數(shù)百分比。目前，我們預(yù)計(jì)2023年全年的營(yíng)收以美元計(jì)將下降低至中個(gè)位數(shù)百分比，而我們的業(yè)務(wù)將比半導(dǎo)體（存儲(chǔ)器除外）和代工行業(yè)表現(xiàn)更好，得益于我們強(qiáng)大的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位和差異化優(yōu)勢(shì)。” 重要的是，由于2023年上半年的營(yíng)收增長(zhǎng)比臺(tái)積電在2023年第一季度給出的預(yù)測(cè)高4%，并且當(dāng)時(shí)預(yù)測(cè)2023年全年會(huì)下降至中個(gè)位數(shù)百分比，因此我預(yù)計(jì)其年同比營(yíng)收可能保持平穩(wěn)，而非下降。 按節(jié)點(diǎn)劃分的臺(tái)積電營(yíng)收情況 根據(jù)最近的財(cái)報(bào)電話會(huì)議，預(yù)計(jì)2023年，臺(tái)積電將在高性能計(jì)算（HPC）和智能手機(jī)應(yīng)用的支持下充分利用N3工藝。預(yù)計(jì)N3在第三季度開(kāi)始為我們的營(yíng)收做出重要貢獻(xiàn)，并且在2023年，N3將為我們的總晶圓營(yíng)收貢獻(xiàn)中個(gè)位數(shù)百分比。同時(shí)，N2技術(shù)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)將在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 截至2023年第一季度，臺(tái)積電的營(yíng)收尚未包括N3工藝的數(shù)據(jù)，如表所示。 對(duì)于已經(jīng)產(chǎn)生收入的產(chǎn)品，表2顯示了臺(tái)積電在7 nm和5 nm工藝節(jié)點(diǎn)上的營(yíng)收情況，其中7nm工藝用于英偉達(dá)（NVDA）的A100芯片，而5nm工藝用于H100芯片。盡管預(yù)計(jì)7nm工藝的營(yíng)收會(huì)下降，但5nm工藝在2022年第3季度和2023年第1季度之間的突然增長(zhǎng)可能是由于芯片供應(yīng)過(guò)剩和客戶存貨天數(shù)較長(zhǎng)所致。 但需要記住的是，英偉達(dá)主要由一家供應(yīng)商臺(tái)積電供應(yīng)，而臺(tái)積電為500多家客戶生產(chǎn)了近1.3萬(wàn)種不同的芯片。 在5 nm工藝節(jié)點(diǎn)上，蘋(píng)果是臺(tái)積電最大的客戶，占據(jù)約50%的份額，緊隨其后的是高通（QCOM）占25%，英偉達(dá)、AMD和其他客戶占剩余份額。 在7nm工藝節(jié)點(diǎn)上，AMD（25%）、英偉達(dá)（20%）、高通（10%）和聯(lián)發(fā)科（Mediatek，10%）都是臺(tái)積電最重要的7nm工藝客戶。 因此，5 nm和7 nm工藝的營(yíng)收下降是因?yàn)榭蛻魻I(yíng)收下滑、庫(kù)存較高以及芯片采購(gòu)放緩。例如，上個(gè)季度蘋(píng)果的營(yíng)收下降了19%，而高通的庫(kù)存天數(shù)增加到了151天，而英偉達(dá)的庫(kù)存天數(shù)為175天，但較上個(gè)季度的200天有所下降。 臺(tái)積電計(jì)劃在2025年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其最小的2nm芯片，而英特爾則計(jì)劃在2024年實(shí)現(xiàn)其2nm工藝節(jié)點(diǎn)，三星則計(jì)劃在2025年達(dá)到這一里程碑。 人工智能收入 隨著人工智能不斷重塑全球范圍內(nèi)的各行業(yè)，臺(tái)積電認(rèn)識(shí)到該技術(shù)的重要性，并積極參與其發(fā)展。公司先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝對(duì)于生產(chǎn)人工智能專用芯片至關(guān)重要。臺(tái)積電的尖端制造技術(shù)可以打造出專用處理器，包括圖形處理器（GPU）和人工智能加速器，這些處理器對(duì)于深度學(xué)習(xí)和其他人工智能應(yīng)用至關(guān)重要。 臺(tái)積電與專注于人工智能的公司合作取得了重大進(jìn)展。與英偉達(dá)和AMD等領(lǐng)先的人工智能硬件開(kāi)發(fā)商的合作使其能夠生產(chǎn)高性能的人工智能芯片，促進(jìn)自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 表3展示了臺(tái)積電生產(chǎn)的人工智能芯片，包括新近宣布的AMD MI300芯片。 封裝業(yè)務(wù)收入 臺(tái)積電的CoWoS封裝技術(shù)允許將多個(gè)芯片或裸片集成到單個(gè)封裝中。這使得不同類(lèi)型的芯片，如處理器、存儲(chǔ)器和顯卡可以組合到一個(gè)封裝中，從而提高性能、降低功耗和減小尺寸。 AMD、博通（Broadcom）、Marvell和英偉達(dá)是臺(tái)積電CoWoS技術(shù)的最大客戶，而如果基于硅中間層的CoWoS供應(yīng)無(wú)法滿足需求，采用扇出封裝技術(shù)的外包封裝測(cè)試服務(wù)商正在爭(zhēng)奪潛在的訂單。 例如，根據(jù)《DigiTimes》的報(bào)道，英偉達(dá)最近獲得了臺(tái)積電的承諾，將用CoWoS技術(shù)在2023年每月新增1.1萬(wàn)片晶圓。而臺(tái)積電的CoWoS產(chǎn)能每月只有8000到9000片。 Nvidia和AMD利用了大約70%到80%的CoWoS產(chǎn)能，使其成為這項(xiàng)技術(shù)的主要用戶。緊隨其后，Broadcom成為第三大用戶，約占可用CoWoS晶圓加工能力的10%。剩余的產(chǎn)能分配給其他20家無(wú)晶圓廠芯片設(shè)計(jì)公司。 據(jù)臺(tái)積電表示，CoWoS擴(kuò)展的兩個(gè)推動(dòng)因素是客戶計(jì)劃長(zhǎng)期產(chǎn)能以及需要CoWoS和3D堆疊的高性能計(jì)算和個(gè)人電腦CPU等應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展。這將導(dǎo)致產(chǎn)能的擴(kuò)張，目前臺(tái)積電正在對(duì)此進(jìn)行評(píng)估。 2022年，臺(tái)積電的先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)占據(jù)了其總收入的7%。我預(yù)測(cè)，2023年該公司的先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)將創(chuàng)造54億美元的收入，并在2025年增長(zhǎng)至91.1億美元，占總收入的7%-9%。 根據(jù)我們的報(bào)告《高密度封裝（MCM，MCP，SIP，3D-TSV）：市場(chǎng)分析與技術(shù)趨勢(shì)》，從2022年到2025年，相較于臺(tái)積電總收入增長(zhǎng)率10.0%，CoWoS的收入將以19.7%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。 競(jìng)爭(zhēng)如何呢？ 在臺(tái)積電第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，CEO魏哲家詳細(xì)介紹了其3 nm和2 nm工藝節(jié)點(diǎn)的時(shí)間表和進(jìn)展情況。 重要的是： N3P計(jì)劃于2024年下半年投入生產(chǎn)，將進(jìn)一步增強(qiáng)N3E的性能。與N3E相比，在相同漏電情況下，N3P速度提升了5%，相同速度下功耗降低了5-10%，芯片密度增加了1.04倍。 N3X優(yōu)先考慮高性能計(jì)算應(yīng)用的性能和最大時(shí)鐘頻率。在1.2V的驅(qū)動(dòng)電壓下，與N3P相比，N3X速度提升了5%，芯片密度與N3P相同，并將于2025年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。 N3AE，也稱為“Auto Early”，預(yù)計(jì)于2023年推出，基于N3E提供了用于汽車(chē)應(yīng)用的工藝設(shè)計(jì)工具包（PDK），允許客戶在3 nm節(jié)點(diǎn)上推出用于汽車(chē)應(yīng)用的設(shè)計(jì)，從而在2025年實(shí)現(xiàn)完全符合汽車(chē)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的N3A工藝。 但該公司并未提及競(jìng)爭(zhēng)。三家制造小于7 nm芯片的公司之間的競(jìng)爭(zhēng)將取決于其產(chǎn)品的技術(shù)特性，這些特性來(lái)源于芯片設(shè)計(jì)和節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換路線圖。下面的表4顯示了2020年至2025年間臺(tái)積電、三星和英特爾的技術(shù)路線圖。 三星目前的3nm工藝的良率為60%至70%，略高于臺(tái)積電的55%。具體來(lái)說(shuō)： SF3工藝將采用三星的3nmGAP技術(shù)，并依賴于全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管，該技術(shù)被公司稱為MBCFETs。 SF4X是三星的第四代4納米工藝，相比三星的第二代4納米工藝SF4，性能提升10%，功耗效率提升23%。SF4X將與臺(tái)積電的N4P競(jìng)爭(zhēng)。 三星計(jì)劃在2025年開(kāi)始量產(chǎn)適用于移動(dòng)應(yīng)用的2 nm工藝，然后在2026年擴(kuò)展到高性能計(jì)算領(lǐng)域，并在2027年進(jìn)入汽車(chē)領(lǐng)域。 英特爾的目標(biāo)是在四年內(nèi)實(shí)現(xiàn)五個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。Meteor Lake將基于英特爾的7 nm芯片生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，也被稱為Intel 4。Granite Rapids將在2023年下半年從Intel 4升級(jí)到Intel 3工藝。Arrow Lake將在2024年上半年使用Intel 20A工藝。在2024年下半年推出Intel 18A芯片。 Intel 4和3是英特爾首次部署EUV的工藝節(jié)點(diǎn)，代表著在晶體管每瓦特性能和密度方面邁出重要一步。而Intel 20A計(jì)劃在2024年上半年投入生產(chǎn)，并且代表了一次重大的技術(shù)飛躍。它同時(shí)引入了一種新的晶體管架構(gòu)——RibbonFET（通常稱為全環(huán)柵或納米片晶體管），以及PowerVia背面供電技術(shù)。 根據(jù)分析，臺(tái)積電未來(lái)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)也依賴于晶圓廠建設(shè)。重要的是，如果沒(méi)有ASML的EUV技術(shù)（極紫外線），晶圓廠能無(wú)法實(shí)現(xiàn)最小工藝節(jié)點(diǎn)。據(jù)估計(jì)，在2015年至2022年期間，臺(tái)積電從ASML購(gòu)買(mǎi)了101套EUV光刻系統(tǒng)，而三星購(gòu)買(mǎi)了31套，英特爾購(gòu)買(mǎi)了26套。 表5顯示了臺(tái)積電、三星和英特爾計(jì)劃中和潛在的晶圓廠建設(shè)情況。它們都將從美國(guó)的芯片法案或不同國(guó)家的芯片激勵(lì)計(jì)劃中獲益。 從多個(gè)指標(biāo)來(lái)看，臺(tái)積電在技術(shù)領(lǐng)先方面有明顯的優(yōu)勢(shì)，并且在工藝節(jié)點(diǎn)遷移方面領(lǐng)先六個(gè)月。三星將通過(guò)采用先進(jìn)的邏輯架構(gòu)，包括3 nm的GAA和MBCFET，逐漸縮小技術(shù)差距。如果有足夠的產(chǎn)能可供使用，GAA功耗降低50%，整體性能提升35%，將成為客戶遷移至三星的推動(dòng)力。但產(chǎn)能差距仍然存在。 然而，三星最近一直在失去客戶，這些客戶轉(zhuǎn)而選擇了臺(tái)積電。例如，英偉達(dá)選擇了三星的8 nm工藝節(jié)點(diǎn)用于RTX 30系列，但由于低產(chǎn)量的原因，英偉達(dá)最終放棄了三星，轉(zhuǎn)而選擇了臺(tái)積電的4nm工藝節(jié)點(diǎn)用于其高端RTX 40系列。 |
