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來源: 集微網(wǎng) 作者:武守哲 盡管臺積電在其第一季度電話會議中將其業(yè)績下滑歸因于宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟和終端市場需求不振，但終端市場需求并未改善。對此，seekingalpha知名半導(dǎo)體分析師Robert Castellano對臺積電在發(fā)布Q2財報之前做了分析。 他認(rèn)為，2022年第二季度，全球智能手機(jī)出貨量下降至2.87億部，這是自2020年第二季度疫情首次爆發(fā)以來的最低季度數(shù)據(jù)。 2023年第二季度，全球個人電腦市場的下滑趨勢有所減緩，臺式機(jī)和筆記本電腦的總出貨量同比下降11.5%，達(dá)到6210萬臺。在此之前，出貨量連續(xù)兩個季度下降超過30%。然而，第二季度的出貨量環(huán)比增長了11.9%。 然而，臺積電的技術(shù)實力正在緩解終端市場需求的下降和整體經(jīng)濟(jì)低迷帶來的影響。在7 nm以下節(jié)點，臺積電的市場份額達(dá)到了近90%。該公司將近90%的3nm晶圓產(chǎn)能供應(yīng)給了蘋果公司。 據(jù)報道，到2023年底，3nm晶圓的產(chǎn)量將達(dá)到每月10萬片。 臺積電2023年的收入分析： 臺積電首席財務(wù)官黃仁昭在2023年第一季度財報電話會議中指出： “由于宏觀經(jīng)濟(jì)疲軟和終端市場需求不振，我們的第一季度營收環(huán)比下降18.7%（以新臺幣計）或16.1%（以美元計），這導(dǎo)致客戶相應(yīng)地調(diào)整了需求。預(yù)計第二季度的業(yè)務(wù)將繼續(xù)受到客戶進(jìn)一步調(diào)整庫存的影響。根據(jù)當(dāng)前的業(yè)務(wù)前景，我們預(yù)計第二季度的營收將在152億美元到160億美元之間，即在這個中間值附近，環(huán)比下降為6.7%。進(jìn)入2023年第二季度，我們預(yù)計我們的業(yè)務(wù)將繼續(xù)受到客戶庫存調(diào)整的影響�，F(xiàn)在我們預(yù)計2023年上半年的營收以美元計將比去年同期下降約10%，而之前預(yù)計的下降幅度為中高個位數(shù)百分比�！� 基于合并計算，2023年6月的營收約為1564億元新臺幣（約合49.8億美元），環(huán)比5月下降11.4%，同比2022年6月下降11.1%。2023年1月至6月的營收總額為9894.7億元新臺幣（約合315.1億美元），與2022年同期相比下降3.5%。 表格1（上圖）顯示了實際的第二季度營收數(shù)據(jù)，環(huán)比下降5.5%（以新臺幣計）或8.0%（以美元計）。因此，營收增長1.3%，超過了預(yù)計的-6.7%（以美元計）。 2023年上半年，營收為9894.74億元新臺幣，較去年同期的10252.16億元新臺幣下降3.5%，以美元計下降6.0%。因此，營收增長4%，超過了預(yù)計的-10%（以美元計）。 下圖顯示了2022年1月至2023年6月每個季度的總營收增長情況（藍(lán)色柱形圖），同時還顯示了營收環(huán)比變化（橙色線條）。 如上所述，在7 nm以下節(jié)點，臺積電享有主導(dǎo)地位，這為他們帶來了一個優(yōu)勢，即隨著節(jié)點減少，晶圓價格會更高。根據(jù)《全球半導(dǎo)體設(shè)備：市場、市場份額和市場預(yù)測》的數(shù)據(jù)，晶圓的價格如下： 7nm晶圓價格為9000美元，3nm晶圓價格為18000美元。 65nm晶圓價格為5000美元，16nm晶圓價格為8000美元。 這些較高的價格在很大程度上緩解了宏觀經(jīng)濟(jì)狀況的疲軟和終端市場需求的下降，尤其是在消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域。 臺積電首席執(zhí)行官魏哲家在2023年第一季度財報電話會議中指出。 “對于2023年的整個年度，我們預(yù)計半導(dǎo)體市場（不包括存儲器）的下降幅度將在中個位數(shù)百分比范圍內(nèi)，而代工行業(yè)將下降高個位數(shù)百分比。目前，我們預(yù)計2023年全年的營收以美元計將下降低至中個位數(shù)百分比，而我們的業(yè)務(wù)將比半導(dǎo)體（存儲器除外）和代工行業(yè)表現(xiàn)更好，得益于我們強大的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位和差異化優(yōu)勢�！� 重要的是，由于2023年上半年的營收增長比臺積電在2023年第一季度給出的預(yù)測高4%，并且當(dāng)時預(yù)測2023年全年會下降至中個位數(shù)百分比，因此我預(yù)計其年同比營收可能保持平穩(wěn)，而非下降。 按節(jié)點劃分的臺積電營收情況 根據(jù)最近的財報電話會議，預(yù)計2023年，臺積電將在高性能計算（HPC）和智能手機(jī)應(yīng)用的支持下充分利用N3工藝。預(yù)計N3在第三季度開始為我們的營收做出重要貢獻(xiàn)，并且在2023年，N3將為我們的總晶圓營收貢獻(xiàn)中個位數(shù)百分比。同時，N2技術(shù)的開發(fā)進(jìn)展順利，預(yù)計將在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。 截至2023年第一季度，臺積電的營收尚未包括N3工藝的數(shù)據(jù)，如表所示。 對于已經(jīng)產(chǎn)生收入的產(chǎn)品，表2顯示了臺積電在7 nm和5 nm工藝節(jié)點上的營收情況，其中7nm工藝用于英偉達(dá)（NVDA）的A100芯片，而5nm工藝用于H100芯片。盡管預(yù)計7nm工藝的營收會下降，但5nm工藝在2022年第3季度和2023年第1季度之間的突然增長可能是由于芯片供應(yīng)過剩和客戶存貨天數(shù)較長所致。 但需要記住的是，英偉達(dá)主要由一家供應(yīng)商臺積電供應(yīng)，而臺積電為500多家客戶生產(chǎn)了近1.3萬種不同的芯片。 在5 nm工藝節(jié)點上，蘋果是臺積電最大的客戶，占據(jù)約50%的份額，緊隨其后的是高通（QCOM）占25%，英偉達(dá)、AMD和其他客戶占剩余份額。 在7nm工藝節(jié)點上，AMD（25%）、英偉達(dá)（20%）、高通（10%）和聯(lián)發(fā)科（Mediatek，10%）都是臺積電最重要的7nm工藝客戶。 因此，5 nm和7 nm工藝的營收下降是因為客戶營收下滑、庫存較高以及芯片采購放緩。例如，上個季度蘋果的營收下降了19%，而高通的庫存天數(shù)增加到了151天，而英偉達(dá)的庫存天數(shù)為175天，但較上個季度的200天有所下降。 臺積電計劃在2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)其最小的2nm芯片，而英特爾則計劃在2024年實現(xiàn)其2nm工藝節(jié)點，三星則計劃在2025年達(dá)到這一里程碑。 人工智能收入 隨著人工智能不斷重塑全球范圍內(nèi)的各行業(yè)，臺積電認(rèn)識到該技術(shù)的重要性，并積極參與其發(fā)展。公司先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝對于生產(chǎn)人工智能專用芯片至關(guān)重要。臺積電的尖端制造技術(shù)可以打造出專用處理器，包括圖形處理器（GPU）和人工智能加速器，這些處理器對于深度學(xué)習(xí)和其他人工智能應(yīng)用至關(guān)重要。 臺積電與專注于人工智能的公司合作取得了重大進(jìn)展。與英偉達(dá)和AMD等領(lǐng)先的人工智能硬件開發(fā)商的合作使其能夠生產(chǎn)高性能的人工智能芯片，促進(jìn)自動駕駛等領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 表3展示了臺積電生產(chǎn)的人工智能芯片，包括新近宣布的AMD MI300芯片。 封裝業(yè)務(wù)收入 臺積電的CoWoS封裝技術(shù)允許將多個芯片或裸片集成到單個封裝中。這使得不同類型的芯片，如處理器、存儲器和顯卡可以組合到一個封裝中，從而提高性能、降低功耗和減小尺寸。 AMD、博通（Broadcom）、Marvell和英偉達(dá)是臺積電CoWoS技術(shù)的最大客戶，而如果基于硅中間層的CoWoS供應(yīng)無法滿足需求，采用扇出封裝技術(shù)的外包封裝測試服務(wù)商正在爭奪潛在的訂單。 例如，根據(jù)《DigiTimes》的報道，英偉達(dá)最近獲得了臺積電的承諾，將用CoWoS技術(shù)在2023年每月新增1.1萬片晶圓。而臺積電的CoWoS產(chǎn)能每月只有8000到9000片。 Nvidia和AMD利用了大約70%到80%的CoWoS產(chǎn)能，使其成為這項技術(shù)的主要用戶。緊隨其后，Broadcom成為第三大用戶，約占可用CoWoS晶圓加工能力的10%。剩余的產(chǎn)能分配給其他20家無晶圓廠芯片設(shè)計公司。 據(jù)臺積電表示，CoWoS擴(kuò)展的兩個推動因素是客戶計劃長期產(chǎn)能以及需要CoWoS和3D堆疊的高性能計算和個人電腦CPU等應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)展。這將導(dǎo)致產(chǎn)能的擴(kuò)張，目前臺積電正在對此進(jìn)行評估。 2022年，臺積電的先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)占據(jù)了其總收入的7%。我預(yù)測，2023年該公司的先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)將創(chuàng)造54億美元的收入，并在2025年增長至91.1億美元，占總收入的7%-9%。 根據(jù)我們的報告《高密度封裝（MCM，MCP，SIP，3D-TSV）：市場分析與技術(shù)趨勢》，從2022年到2025年，相較于臺積電總收入增長率10.0%，CoWoS的收入將以19.7%的復(fù)合年增長率增長。 競爭如何呢？ 在臺積電第一季度財報電話會議上，CEO魏哲家詳細(xì)介紹了其3 nm和2 nm工藝節(jié)點的時間表和進(jìn)展情況。 重要的是： N3P計劃于2024年下半年投入生產(chǎn)，將進(jìn)一步增強N3E的性能。與N3E相比，在相同漏電情況下，N3P速度提升了5%，相同速度下功耗降低了5-10%，芯片密度增加了1.04倍。 N3X優(yōu)先考慮高性能計算應(yīng)用的性能和最大時鐘頻率。在1.2V的驅(qū)動電壓下，與N3P相比，N3X速度提升了5%，芯片密度與N3P相同，并將于2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)。 N3AE，也稱為“Auto Early”，預(yù)計于2023年推出，基于N3E提供了用于汽車應(yīng)用的工藝設(shè)計工具包（PDK），允許客戶在3 nm節(jié)點上推出用于汽車應(yīng)用的設(shè)計，從而在2025年實現(xiàn)完全符合汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的N3A工藝。 但該公司并未提及競爭。三家制造小于7 nm芯片的公司之間的競爭將取決于其產(chǎn)品的技術(shù)特性，這些特性來源于芯片設(shè)計和節(jié)點轉(zhuǎn)換路線圖。下面的表4顯示了2020年至2025年間臺積電、三星和英特爾的技術(shù)路線圖。 三星目前的3nm工藝的良率為60%至70%，略高于臺積電的55%。具體來說： SF3工藝將采用三星的3nmGAP技術(shù)，并依賴于全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管，該技術(shù)被公司稱為MBCFETs。 SF4X是三星的第四代4納米工藝，相比三星的第二代4納米工藝SF4，性能提升10%，功耗效率提升23%。SF4X將與臺積電的N4P競爭。 三星計劃在2025年開始量產(chǎn)適用于移動應(yīng)用的2 nm工藝，然后在2026年擴(kuò)展到高性能計算領(lǐng)域，并在2027年進(jìn)入汽車領(lǐng)域。 英特爾的目標(biāo)是在四年內(nèi)實現(xiàn)五個工藝節(jié)點。Meteor Lake將基于英特爾的7 nm芯片生產(chǎn)節(jié)點，也被稱為Intel 4。Granite Rapids將在2023年下半年從Intel 4升級到Intel 3工藝。Arrow Lake將在2024年上半年使用Intel 20A工藝。在2024年下半年推出Intel 18A芯片。 Intel 4和3是英特爾首次部署EUV的工藝節(jié)點，代表著在晶體管每瓦特性能和密度方面邁出重要一步。而Intel 20A計劃在2024年上半年投入生產(chǎn)，并且代表了一次重大的技術(shù)飛躍。它同時引入了一種新的晶體管架構(gòu)——RibbonFET（通常稱為全環(huán)柵或納米片晶體管），以及PowerVia背面供電技術(shù)。 根據(jù)分析，臺積電未來的強勁增長也依賴于晶圓廠建設(shè)。重要的是，如果沒有ASML的EUV技術(shù)（極紫外線），晶圓廠能無法實現(xiàn)最小工藝節(jié)點。據(jù)估計，在2015年至2022年期間，臺積電從ASML購買了101套EUV光刻系統(tǒng)，而三星購買了31套，英特爾購買了26套。 表5顯示了臺積電、三星和英特爾計劃中和潛在的晶圓廠建設(shè)情況。它們都將從美國的芯片法案或不同國家的芯片激勵計劃中獲益。 從多個指標(biāo)來看，臺積電在技術(shù)領(lǐng)先方面有明顯的優(yōu)勢，并且在工藝節(jié)點遷移方面領(lǐng)先六個月。三星將通過采用先進(jìn)的邏輯架構(gòu)，包括3 nm的GAA和MBCFET，逐漸縮小技術(shù)差距。如果有足夠的產(chǎn)能可供使用，GAA功耗降低50%，整體性能提升35%，將成為客戶遷移至三星的推動力。但產(chǎn)能差距仍然存在。 然而，三星最近一直在失去客戶，這些客戶轉(zhuǎn)而選擇了臺積電。例如，英偉達(dá)選擇了三星的8 nm工藝節(jié)點用于RTX 30系列，但由于低產(chǎn)量的原因，英偉達(dá)最終放棄了三星，轉(zhuǎn)而選擇了臺積電的4nm工藝節(jié)點用于其高端RTX 40系列。 |
