Qorvo 宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應(yīng)用。
UJ4SC075009B7S 在 25°C 時(shí)的典型導(dǎo)通電阻值為 9mΩ，可在高壓、多千瓦車載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實(shí)現(xiàn)自動化裝配流程，降低客戶的制造成本。全新的 750V 系列產(chǎn)品是對 Qorvo 現(xiàn)有的 1200V 和 1700V D2PAK 封裝車用 SiC FET 的補(bǔ)充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿足 400V 和 800V 電池架構(gòu)電動汽車的應(yīng)用需求。 Qorvo 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“這一全新 SiC FET 系列的推出彰顯了我們致力于為電動汽車動力總成設(shè)計(jì)人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾，以助力其應(yīng)對獨(dú)特的車輛動力挑戰(zhàn)�！� 這些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置，將 SiC JFET 與硅基 MOSFET 合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢和硅基 MOSFET 簡單柵極驅(qū)動的器件。SiC FET 的效率取決于傳導(dǎo)損耗；得益于業(yè)界卓越的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo 的共源共柵結(jié)構(gòu)／JFET 方式帶來了更低的傳導(dǎo)損耗。 UJ4SC075009B7S 的主要特性包括： 閾值電壓 VG(th)：4.5V（典型值），允許 0 至 15V 驅(qū)動電壓 較低的體二極管 VFSD：1.1V 最高工作溫度：175°C 出色的反向恢復(fù)能力：Qrr＝338nC 低柵極電荷：QG＝75nC 通過汽車電子委員會 AEC-Q101 認(rèn)證 有關(guān) Qorvo 先進(jìn)功率應(yīng)用 SiC 解決方案的更多信息，請?jiān)L問：cn.qorvo.com/go/gen4。 |
