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來源: 華爾街見聞官方 為了奪回昔日半導(dǎo)體50.3%市占率的領(lǐng)先地位，且不被海外競爭者“卡脖子”，日本“痛下決心”狂砸670億美元吸引全球先進(jìn)半導(dǎo)體公司來日本建廠，并試圖量產(chǎn)2納米高端芯片重新領(lǐng)跑全球。 2月21日，據(jù)媒體報道，首相岸田文雄計劃在私營部門的支持下，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的財政支持提高到10萬億日元（約670億美元）。日本政府的另一個目標(biāo)是到2030年將日本國產(chǎn)芯片銷售額提高兩倍，達(dá)到15萬億日元以上（約1080億美元）。同時，日本啟動Rapidus項目，計劃在2027年大規(guī)模生產(chǎn)最先進(jìn)的2納米芯片。 截止目前，在不到三年的時間里，日本已經(jīng)撥款約4萬億日元（267億美元）用于支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。臺積電等半導(dǎo)體制造商紛紛在日本建廠，日本晶圓廠建設(shè)速度全球最快。 芯片生產(chǎn)對全球各國具有重大的戰(zhàn)略意義，先進(jìn)半導(dǎo)體芯片作為十幾項關(guān)鍵技術(shù)的基礎(chǔ)，包括人工智能、武器系統(tǒng)和電動汽車，對現(xiàn)代技術(shù)領(lǐng)域至關(guān)重要。 包括日本在內(nèi)的各國政府已經(jīng)意識到了這點，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省經(jīng)濟(jì)安全政策主任官Kazumi Nishikawa說：“為什么我們?nèi)绱酥匾曅酒恳驗榘雽?dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定對全球經(jīng)濟(jì)至關(guān)重要，一旦芯片供應(yīng)中斷，經(jīng)濟(jì)將會崩潰”。 日本意圖“絕地反擊” 重拾半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)榮光 日本半導(dǎo)體行業(yè)的市占率從1988年的50.3%大幅下滑到2019年不足10%，在科技飛速發(fā)展的40年間折戟。2022年日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大臣萩生田光一公開表示，日本半導(dǎo)體的衰落有美國等對手的打壓和反擊，但更多的還是日本自己戰(zhàn)略和戰(zhàn)術(shù)犯了錯誤，才導(dǎo)致行業(yè)的衰退和野心的挫敗。 日本自20世紀(jì)80年代以來在全球半導(dǎo)體領(lǐng)先地位被超越后“痛定思痛”，決定將截至2030年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)興分為三個階段：（1）加快半導(dǎo)體生產(chǎn)的基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。（2）合作開發(fā)下一代半導(dǎo)體技術(shù)。（3）立足已有技術(shù)，研發(fā)具有顛覆性的半導(dǎo)體技術(shù)。 與此同時，日本的新芯片戰(zhàn)略有兩條主線，即傳統(tǒng)芯片制造和高端芯片“兩手抓”。 1）高端芯片：3nm是目前半導(dǎo)體最為先進(jìn)的制程，而日本宣揚到2027年要量產(chǎn)2nm芯片。據(jù)媒體報道，日本“雄心勃勃”地在北海道啟動Rapidus項目，計劃在2027年大規(guī)模量產(chǎn)最先進(jìn)的2nm芯片，意圖在高端芯片市場“領(lǐng)跑”全球。 該項目引發(fā)了市場的質(zhì)疑，因為在一個在半導(dǎo)體生產(chǎn)上遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于海外競爭對手的國家里，Rapidus是日本一家僅成立18個月的本土企業(yè)，對于一個從零開始的企業(yè)，生產(chǎn)2nm芯片是一項艱巨的任務(wù)。 但日本卻“如火如荼”地投入心血，據(jù)媒體報道，作為Rapidus項目的一部分，IBM公司正在紐約州奧爾巴尼培訓(xùn)大約100名經(jīng)驗豐富的日本工程師，以幫助他們快速掌握美國高端芯片專業(yè)知識。 2）傳統(tǒng)芯片制造：日本計劃重新成為傳統(tǒng)芯片制造的領(lǐng)導(dǎo)者。為了吸引外國半導(dǎo)體公司在日本設(shè)立生產(chǎn)基地，日本政府愿意提供最高達(dá)到新廠設(shè)立成本50%的財政補(bǔ)貼。傳統(tǒng)芯片雖然可能不像最新一代的芯片那樣具有高度的技術(shù)復(fù)雜性，但在許多應(yīng)用中仍然非常重要，比如汽車、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。 此外，日本提供大量稅收減免來支持外國公司建廠。日本實行了50多年的長期法規(guī)也被放寬：允許在農(nóng)業(yè)和林地建設(shè)高科技工廠，包括半導(dǎo)體和電池工廠。 截止目前，日本該戰(zhàn)略已經(jīng)取得了階段性成功。受益于日本大力的財政補(bǔ)貼，臺積電認(rèn)為日本資助的芯片項目可以比在美國或其他國家更快地啟動。據(jù)媒體報道，在日本，旨在“重建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)”的價值70億美元的臺積電熊本工廠預(yù)計于周六竣工。 該工廠從2021年10月公布建設(shè)計劃至今僅兩年零四個月，對于典型的行動緩慢且監(jiān)管嚴(yán)格的日本來說，在短短的20個月內(nèi)迅速建廠是日本非�？斓膲雅e，體現(xiàn)了日本政府的全力支持。同時臺積電在日本的第二家工廠也即將建立，第三家工廠正處于商討階段。 日本政府補(bǔ)貼速度領(lǐng)先全球 日本補(bǔ)貼的速度與美國和韓國形成鮮明對比。2022年，美國總統(tǒng)拜登正式簽署《芯片與科學(xué)法案》，該法案擬撥出高達(dá)390億美元的直接撥款補(bǔ)貼。然而過去了一年多的時間，拜登政府還沒有向像臺積電或英特爾這樣的主要芯片制造商發(fā)放任何補(bǔ)貼，這也導(dǎo)致臺積電數(shù)次延產(chǎn)來與美國政府談判。第一個15億美元的補(bǔ)貼直到本周才公布。 在韓國，韓國SK海力士在龍仁市的半導(dǎo)體項目自2019年2月選址后尚未開始施工，原計劃2022年啟動，卻因地方反對、土地補(bǔ)償和供水許可問題而多次延誤。即使明年開工，耗時也近8年時間。 日本晶圓廠建設(shè)速度非常驚人遠(yuǎn)超其他國家。安全與新興技術(shù)中心(CSET) 的一份報告指出，日本晶圓廠建設(shè)速度全球最快，美國速度倒數(shù)。CSET研究指出，在1990年至2020年期間全球共建設(shè)了635座晶圓廠，從建設(shè)到投產(chǎn)的平均時間為682天。其中，日本最快為584天，韓國緊隨其后為620天。歐洲和中東地區(qū)的天數(shù)大致持平，為690天。美國倒數(shù)為736天，遠(yuǎn)慢于全球平均速度，僅次于東南亞的781天。 |
