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來源：EXPreview 近日，JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布了JES239 Graphics Double Data Rate 7即GDDR7的標(biāo)準(zhǔn)，可提供兩倍于GDDR6的帶寬，達到了192 GB/s，以滿足未來圖形、游戲、計算、網(wǎng)絡(luò)和人工智能應(yīng)用對高內(nèi)存帶寬不斷增長的需求。 JES239 GDDR7是首款使用脈沖幅度調(diào)制(PAM)接口進行高頻操作的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)DRAM。其PAM3接口增加了在高頻時的信噪比(SNR)，同時提升了能效，通過使用3個電平(+ 1,0,-1)在2個周期內(nèi)傳輸3個bit，相比傳統(tǒng)的NRZ(不歸零)接口要更強。在PAM3得加持下，可提供了更高的每個周期的數(shù)據(jù)傳輸速率，顯著提高顯存的性能。 此外，JES239 GDDR7還擁有以下高級功能特性： · 具備支持眼圖掩蔽和誤差計數(shù)器的核心獨立LFSR(線性反饋移位寄存器)訓(xùn)練模式，可提高訓(xùn)練準(zhǔn)確性，同時減少訓(xùn)練時間。 · 獨立通道數(shù)量翻倍，從GDDR6的2個增加至4個。 · 支持16 Gbit至32 Gbit的存儲容量以及雙通道模式，可使系統(tǒng)容量翻倍。 · 通過整合最新的數(shù)據(jù)完整性功能來滿足市場對RAS(可靠性，可用性，可服務(wù)性)的需求，包括帶實時報告的芯片上ECC (ODECC)、數(shù)據(jù)中毒、錯誤檢查和清理以及帶命令阻塞的命令地址奇偶校驗(CAPARBLK)。 JEDEC董事會主席Mian Quddus表示:“JESD239 GDDR7標(biāo)志著高速存儲器設(shè)計的重大進步。隨著向PAM3信號的轉(zhuǎn)變，存儲器行業(yè)有了一條擴展GDDR設(shè)備性能的新途徑，有效推動圖形和各種高性能應(yīng)用的持續(xù)發(fā)展。” 包括美光、三星、海力士在內(nèi)的多家存儲廠商都對JEDEC發(fā)布的JES239 GDDR7標(biāo)準(zhǔn)表示支持，并積極推動GDDR7顯存的發(fā)展計劃。其中，早在去年7月，三星就宣布已完成了業(yè)界首款GDDR7芯片的開發(fā)工作，每個數(shù)據(jù)I/O接口的速率達到了32Gbps，并承諾GDDR7在能效方面相比GDDR6會有20%的提升。首款16Gb GDDR7芯片在位寬為384位的情況下，提供了高達1.536 TB/s的帶寬，遠遠超過了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。 |
