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新思科技公布1.6納米背面布線項(xiàng)目,引領(lǐng)萬(wàn)億晶體管芯片新紀(jì)元

發(fā)布時(shí)間:2024-9-29 15:05    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 新思科技 , 1.6納米 , 背面布線
全球領(lǐng)先的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化EDA)解決方案提供商新思科技(Synopsys)近日正式公布了其1.6納米背面電源布線項(xiàng)目,這一項(xiàng)目將對(duì)未來(lái)萬(wàn)億晶體管芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

據(jù)了解,新思科技與臺(tái)積電正在緊密合作,共同開(kāi)發(fā)支持臺(tái)積電A16 1.6納米工藝的背面布線功能。該技術(shù)旨在解決萬(wàn)億晶體管設(shè)計(jì)面臨的電源分配和信號(hào)布線難題,確保芯片在極小的尺寸下仍能保持高效的性能輸出。盡管名稱上仍保留“納米”單位,但臺(tái)積電將其命名為A16,即16埃米,這一比納米更小的單位實(shí)際上反映了技術(shù)難度的大幅提升。

A16 1.6納米工藝采用創(chuàng)新的背側(cè)電源軌方案,該方案能夠分離電源線與訊號(hào)線的配置,有效緩解晶圓正面的擁塞問(wèn)題,從而推動(dòng)邏輯芯片的持續(xù)微縮。同時(shí),背側(cè)電源軌方案還能顯著增強(qiáng)供電效能,提升系統(tǒng)性能。據(jù)估算,相比于當(dāng)前先進(jìn)的N2P工藝,A16技術(shù)能在相同條件下提供高達(dá)8-10%的速度提升,并在相同速度下降低15-20%的功率消耗,最終實(shí)現(xiàn)芯片密度的顯著提升。

為了應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的物理驗(yàn)證規(guī)則,新思科技還推出了互操作工藝設(shè)計(jì)工具包(iPDK)和IC Validator物理驗(yàn)證運(yùn)行集。這些工具將幫助設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)高效地將設(shè)計(jì)過(guò)渡到臺(tái)積電N2 2納米技術(shù),為萬(wàn)億晶體管芯片的成功研發(fā)提供有力支持。
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