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SMU數(shù)字源表與探針臺連接示意圖及注意事項

發(fā)布時間:2024-10-29 15:33    發(fā)布者:whpssins
1、前言
   在半導體集成電路工藝中,材料、晶圓、芯片的測試是必不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導體測試技術的發(fā)展,數(shù)字源表SMU結合探針臺的系統(tǒng)組合已經(jīng)被廣泛應用于材料/微小器件的電學特性驗證中。數(shù)字源表SMU具備源測功能,可以產生電流-電壓(I-V)特性曲線,是半導體材料、器件電性能表征測量的核心;探針臺有手動、半自動和全自動三種,根據(jù)測試需要選擇配套的產品即可。在選用時需要注意探針的材質以及針尖的直徑與形狀,探針材質不同,其阻抗也不相同;此外,探針尖磨損和污染也會對測試結果造成影響。
   在測試時,通過數(shù)字源表提供激勵并對測量信號進行采集。首先將電流或電壓輸入被測器件(DUT),測量該器件對此輸入信號的響應;這些信號的路徑為:源表的輸出端接入電纜,電纜和探針連接,電流或電壓信號通過探針至芯片。
圖:SMU、探針、DUT連接示意

   下文中,我們將探討數(shù)字源表SMU和探針臺的連接注意事項,以及不同材料/器件的測試應用案例。

2、數(shù)字源表SMU與探針臺的連接
   探針臺與源表的連接常見有兩種,一種使用同軸線連接,另一種使用三同軸線連接。當測量小電流(nA、pA)時,應使用三同軸轉接模塊和三同軸線纜。在接入源表保護端的測試電路中,由于三同軸的保護層與內芯之間是等電位,不會有漏電流產生,能夠提高小電流測試精度。


圖:三同軸線纜半剖圖(1導體;2絕緣;3內屏蔽層;4中間層;5外屏蔽層;6外護套)圖:三同軸線纜等效電路圖   上圖所示為三同軸線纜等效電路圖,輸出高端HI和Guard之間的電位差幾乎為0,從而消除線纜自身的漏電流。
以下是使用普賽斯直流源表、脈沖源表、高壓源表、大電流源表與探針臺的接線說明:

S系列直流源表

- 兩同軸連接 -
使用香蕉頭轉BNC母頭的轉接頭進行連接;


- 三同軸連接 -
    三同軸連接器與普通兩芯連接器有所不同,可同時接駁信號、接地和屏蔽層,屏蔽效果好。和多芯線纜相比,三同軸線纜結構簡單,可靠性高;和兩芯同軸線纜相比,具有更高的屏蔽性能和小信號的傳輸能力。三同軸線纜的連接方式使用了GUARD信號,起到了屏蔽作用,更有利于小信號的測量。

P系列脈沖源表

- 兩同軸連接 -
使用杜邦線轉BNC母頭進行連接;


- 三同軸連接 -
使用三同軸轉接模塊進行連接。




E系列高壓源表

- E100(1200V) -
直接使用三同軸線進行連接;
- E200(2200V)/E300(3500V)     -
將普通的三同軸更換為高壓專用三同軸線;
高壓三同軸接頭的耐壓能力較強,普賽斯使用的高壓三同軸接頭可以耐壓3500V。
圖:左-高壓三同軸、右-普通三同軸

  
HCPL   100大電流源表
大電流測量時,單根探針容許的電流有限,電流過大可能會引起燒針現(xiàn)象,影響測試結果,因此需要使用多探針并聯(lián)。
圖:多探針并聯(lián)示意

3、探針臺與器件的連接

在不同的材料測試中可能會遇到共面電極或異面電極的材料。共面電極指陽極和陰極在同一平面;異面電極指陽極和陰極不在同一平面,常見為正反面。

圖:共面電極連接示意

圖:異面電極連接示意

4、測試注意事項
-探針臺接地:探針臺結構上有很多金屬,在帶電的環(huán)境下會存在很強的靜電,一般探針臺會自帶大地連接線,使用中將探針臺接大地,避免釋放靜電給測試帶來影響。一般地線分為兩類:一種是工作接地,另一種是安全性接地。工作接地是把金屬導體銅塊埋在土壤里,   再通過導線引出地面,將導線接入設備的接地端口,形成接地回路。 安全性接地是指使用探針臺金屬外殼自帶的接地線進行接地,當探針臺金屬外殼發(fā)生絕緣損壞,外殼帶電時,電流沿著其外殼自帶的接地線接入大地,以達到安全的目的。
-連接線接地:探針臺的連接線為同軸線,兩根同軸線的內芯是信號線,從而導致兩根同軸線的外屏蔽層懸空,未起到屏蔽的作用,在磁場環(huán)境復雜的情況下會對測試產生較大的干擾。因此,為了獲得較好的測試效果,需要將同軸線纜的外屏蔽層接入工作地線。
-關閉光源:很多器件和材料對光源敏感,測試中如果不關閉光源會影響測試結果,所以測試時盡量在無光源影響的環(huán)境中進行。
-小電流測試時加屏蔽罩:如果測試電流為pA級別,需要給探針臺增加屏蔽罩。
-異面電極材料連接:異面電極材料連接時通常會使用探針臺Chuck盤做電極,但是Chuck盤的平整度會對材料的接觸面有影響,那么此時就需要使用引電極。

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