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Littelfuse推出高性能超級(jí)結(jié)X4-Class 200V功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2024-11-26 17:32    發(fā)布者:eechina
提供業(yè)界領(lǐng)先的低通態(tài)電阻,使電池儲(chǔ)能和電源設(shè)備應(yīng)用的電路設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化,性能得到提升

Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超級(jí)結(jié)X4-Class功率MOSFET

這些新器件在當(dāng)前200V X4-Class超級(jí)結(jié)MOSFET的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)展,有些具有最低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET具有高電流額定值,設(shè)計(jì)人員能夠用來(lái)替換多個(gè)并聯(lián)的低額定電流器件,從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程,提高應(yīng)用的可靠性和功率密度。此外,SOT-227B封裝的螺釘安裝端子可確保安裝堅(jiān)固穩(wěn)定。

這些新的200V MOSFET提供最低的導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)并補(bǔ)充了現(xiàn)有的Littelfuse X4-Class超級(jí)結(jié)系列產(chǎn)品組合。與當(dāng)下最先進(jìn)的X4-Class MOSFET解決方案相比,這些MOSFET的額定電流最高可提高約2倍,導(dǎo)通電阻值最高可降低約63%。

新型MOSFET非常適合必須最大限度降低導(dǎo)通損耗的一系列低壓功率應(yīng)用,包括:
•        電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)
•        電池充電器
•        電池成型
•        DC/電池負(fù)載開(kāi)關(guān),以及
•        電源

“新器件將允許設(shè)計(jì)人員用一個(gè)器件解決方案取代多個(gè)并聯(lián)的低額定電流器件。”Littelfuse全球產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)工程師Sachin Shridhar Paradkar表示, “這種獨(dú)特的解決方案簡(jiǎn)化了柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì),提高了可靠性,改善了功率密度和PCB空間利用率。”

超級(jí)結(jié)X4級(jí)功率MOSFET具有以下主要性能優(yōu)勢(shì):
•        低傳導(dǎo)損耗
•        最少的并行連接工作量
•        驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化,驅(qū)動(dòng)器損耗最小
•        簡(jiǎn)化的熱設(shè)計(jì)
•        功率密度增加

為什么對(duì)于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來(lái)說(shuō)具有低導(dǎo)通電阻的MOSFET是首選?

對(duì)于看重極小導(dǎo)通損耗的應(yīng)用來(lái)說(shuō),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是理想選擇。這類(lèi)器件能顯著降低工作期間的功耗,從而降低傳導(dǎo)損耗,提高效率,并減少發(fā)熱。因此,它們非常適合電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池供電設(shè)備等功率敏感型應(yīng)用,在這些應(yīng)用中,保持高效率和熱管理至關(guān)重要。

性能指標(biāo)
性能指標(biāo)
IXTN500N20X4
IXTN400N20X4
封裝
氮化鋁陶瓷基隔離SOT-227B
通態(tài)電阻
RDS(on) =  1.99mΩ @ Tvj =  25°C
RDS(on) =  3mΩ @ Tvj =  25°C
高標(biāo)稱(chēng)額定電流
500A @ TC =  25°C
340A @ TC =  25°C
柵極電荷
Qg =  535nC
Qg =  348nC
熱阻
RthJC =  0.13K/W
RthJC =  0.18K/W

供貨情況
超級(jí)結(jié)X4-Class功率MOSFET以每管10支的形式供貨。可通過(guò)Littelfuse全球各地的授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商索取樣品。如需了解Littelfuse授權(quán)經(jīng)銷(xiāo)商名單,請(qǐng)?jiān)L問(wèn) Littelfuse.com。

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