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美光宣布 1γ DRAM 開始出貨:引領內存技術突破,滿足未來計算需求

發(fā)布時間:2025-2-26 17:35    發(fā)布者:eechina
關鍵詞: DRAM , DDR5
美光業(yè)界首款高性能 1γ 節(jié)點技術,為數(shù)據(jù)中心、客戶端及移動平臺帶來卓越的性能與能效

美光科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設計的 1γ(1-gamma)第六代(10 納米級)DRAM 節(jié)點 DDR5 內存樣品。得益于美光此前在 1α(1-alpha)和 1β(1-beta)DRAM 節(jié)點的領先優(yōu)勢,1γ DRAM 節(jié)點的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費應用到端側 AI 設備(如 AI PC、智能手機和汽車)等未來計算平臺的創(chuàng)新發(fā)展。美光 1γ DRAM 節(jié)點將首先應用于其 16Gb DDR5 DRAM 產(chǎn)品,并計劃逐步整合至美光內存產(chǎn)品組合中,以滿足 AI 產(chǎn)業(yè)對高性能、高能效內存解決方案日益增長的需求。該款 16Gb DDR5 產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸速率可達 9200MT/s,與前代產(chǎn)品相比,速率提升高達 15%,功耗降低超過 20%。



1γ DRAM 節(jié)點的重要性

隨著 AI 在數(shù)據(jù)中心和端側設備的普及,用戶對內存的需求達到了前所未有的高度。美光邁向 1γ DRAM 節(jié)點,將助力客戶應對亟待解決的核心挑戰(zhàn):

提升性能 — 基于 1γ 節(jié)點的 DRAM 性能卓越,能夠支持從數(shù)據(jù)中心到端側設備的多種內存產(chǎn)品實現(xiàn)計算擴展,滿足未來 AI 工作負載的需求。
降低功耗 — 美光 1γ 節(jié)點采用下一代高 K 金屬柵極 CMOS 技術,結合設計優(yōu)化,功耗降低了20% 以上,并實現(xiàn)更優(yōu)的散熱。
提升容量密度產(chǎn)出 — 美光 1γ 節(jié)點采用 EUV 光刻技術,通過設計優(yōu)化和制程創(chuàng)新,使單片晶圓的容量密度產(chǎn)出較上一代提升 30% 以上,從而實現(xiàn)更高效的內存供應擴展能力。

美光執(zhí)行副總裁暨首席技術與產(chǎn)品官 Scott DeBoer 表示:“美光憑借開發(fā)專有 DRAM 技術的專長,結合對 EUV 光刻技術的戰(zhàn)略運用,打造出基于 1γ 節(jié)點的先進內存產(chǎn)品組合,助力推動 AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展。1γ DRAM 節(jié)點實現(xiàn)了更高的容量密度產(chǎn)出,彰顯了美光卓越的制造實力和效率,并使我們能夠擴大內存供應的規(guī)模,滿足行業(yè)日益增長的需求!



美光在經(jīng)過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略的基礎上,成功打造出優(yōu)化的 1γ 節(jié)點。1γ DRAM 節(jié)點的創(chuàng)新得益于 CMOS 技術的進步,包括下一代高 K 金屬柵極技術,它提升了晶體管性能,實現(xiàn)了更高的速率、更優(yōu)化的設計以及更小的特征尺寸,從而帶來功耗降低和性能擴展的雙重優(yōu)勢。此外,通過采用 EUV 光刻技術,1γ 節(jié)點利用極短波長在硅晶圓上刻畫出更精細的特征,從而獲得了業(yè)界領先的容量密度優(yōu)勢。同時,通過在全球各制造基地開發(fā) 1γ 節(jié)點,美光可為行業(yè)提供更先進的技術和更強的供應韌性。

美光執(zhí)行副總裁暨首席商務官 Sumit Sadana 表示:“美光再次引領行業(yè),推出全球領先的內存技術。1γ DRAM 制程憑借其卓越的能效和出色的性能取得了突破性的成就。美光 1γ DRAM 產(chǎn)品將提供可擴展的內存解決方案,涵蓋從數(shù)據(jù)中心到端側設備等各個領域,助力 AI 生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展,確保我們的客戶能夠應對行業(yè)日新月異的需求!

推動云端至端側的產(chǎn)品變革

1γ 節(jié)點作為未來產(chǎn)品的基石,將被全面整合到美光的內存產(chǎn)品組合中:

數(shù)據(jù)中心 — 基于 1γ 的 DDR5 內存解決方案為數(shù)據(jù)中心提供高達 15% 的性能提升,增強能效,并支持服務器性能的持續(xù)擴展,使數(shù)據(jù)中心能夠在未來的機架級功耗和散熱設計中實現(xiàn)優(yōu)化。
端側 AI — 1γ 低功耗 DRAM 解決方案可提供更高的能效及帶寬,提升端側 AI 解決方案的用戶體驗。
AI PC — 1y DDR5 SODIMMs 可提升性能并降低 20% 的功耗,從而延長續(xù)航,優(yōu)化筆記本電腦的用戶體驗。
移動設備 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的 AI 體驗,延續(xù)美光在移動設備領域的領先地位。
汽車 — 基于 1γ 的 LPDDR5X 內存可提升容量、耐用性和性能,同時傳輸速率高達 9600MT/s。

行業(yè)引語:

AMD 服務器平臺解決方案工程部門企業(yè)副總裁 Amit Goel 表示:“我們很高興看到美光在 1γ DRAM 節(jié)點方面取得的進展,并已開展對美光 1γ DDR5 內存的驗證工作。我們致力于通過下一代 AMD EPYC(霄龍)數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品以及全系列消費級處理器,持續(xù)推動計算生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展,因此與美光的緊密合作至關重要!

英特爾內存與 IO 技術副總裁兼總經(jīng)理 Dimitrios Ziakas 博士表示:“美光 1γ 節(jié)點的進步為英特爾服務器和 AI PC 帶來了顯著的功耗及容量優(yōu)化。我們很高興看到美光在 DRAM 技術方面的持續(xù)創(chuàng)新,并期待基于這些優(yōu)勢進一步提升服務器系統(tǒng)的性能和 PC 的續(xù)航。英特爾正在通過其嚴格的服務器驗證流程,對美光 1γ DDR5 內存樣品進行驗證,從而為我們的客戶提供高品質、體驗一流的服務器系統(tǒng)!

符合條件的客戶及合作伙伴可以加入美光的 DDR5 技術支持計劃(TEP),提前獲取技術信息、電氣和熱模型,以及關于設計、開發(fā)和推出下一代計算平臺的支持。

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