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杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）今日宣布，成功研發(fā)并發(fā)布了全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵（Ga₂O₃）8英寸單晶。這一里程碑式的成果標(biāo)志著鎵仁半導(dǎo)體在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了重大突破，成為國際上首家掌握8英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)的企業(yè)。 氧化鎵作為一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的物理性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用前景備受矚目。其禁帶寬度高達(dá)4.8-4.9eV，遠(yuǎn)超碳化硅（3.25eV）和氮化鎵（3.4eV），具備耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等突出特性。同時(shí)，氧化鎵的擊穿場(chǎng)強(qiáng)理論值可達(dá)8MV/cm，是氮化鎵的2.5倍、碳化硅的3倍有余，這使得氧化鎵在制備高性能功率器件方面具有得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)。 鎵仁半導(dǎo)體此次發(fā)布的8英寸氧化鎵單晶，采用完全自主創(chuàng)新的鑄造法生長(zhǎng)技術(shù)。該技術(shù)由浙江大學(xué)楊德仁院士團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)，具有成本低、效率高、晶體質(zhì)量高等顯著優(yōu)勢(shì)。通過該技術(shù)，鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)了8英寸氧化鎵單晶的穩(wěn)定生長(zhǎng)，并可加工出相應(yīng)尺寸的晶圓襯底，為氧化鎵材料的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 8英寸氧化鎵單晶的發(fā)布，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有深遠(yuǎn)的意義。首先，8英寸氧化鎵單晶能夠與現(xiàn)有硅基芯片廠的8英寸產(chǎn)線兼容，這將顯著加快氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用步伐。其次，氧化鎵襯底尺寸的增大，將提高其利用率，降低生產(chǎn)成本，提升生產(chǎn)效率。此外，中國率先突破8英寸氧化鎵技術(shù)壁壘，不僅標(biāo)志著我國在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步，更為我國在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中搶占了先機(jī)。 鎵仁半導(dǎo)體成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料及設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司依托浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心等科研平臺(tái)，已形成一支以中科院院士為首席顧問的研發(fā)和生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)。此次8英寸氧化鎵單晶的成功發(fā)布，是鎵仁半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新能力的重要體現(xiàn)。 |
