在全球半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的浪潮中,美光科技與SK海力士兩大DRAM內(nèi)存原廠今日聯(lián)合宣布,正式推出新一代SOCAMM內(nèi)存模組。 SOCAMM,全稱為Small Outline Compression Attached Memory Module,即小型壓縮附加內(nèi)存模組。與傳統(tǒng)內(nèi)存模組相比,SOCAMM采用了更為緊湊的設(shè)計,基于LPDDR5X DRAM顆粒制造,不僅在體積上實現(xiàn)了顯著縮小,更在性能上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。 ![]() 據(jù)美光科技與SK海力士介紹,SOCAMM內(nèi)存模組在設(shè)計上延續(xù)了之前LPCAMM2的單面四顆粒焊盤和三固定螺絲孔布局,但頂部取消了梯形凸出結(jié)構(gòu),有效降低了整體高度,使其更適用于服務(wù)器環(huán)境,并便于與液冷系統(tǒng)配合使用。這一設(shè)計不僅提高了內(nèi)存模組的散熱性能,還為其在更廣泛的應(yīng)用場景中提供了可能性。 在性能方面,SOCAMM內(nèi)存模組同樣表現(xiàn)出色。其尺寸為90毫米×14毫米,采用128位數(shù)據(jù)位寬,美光展示的樣品由4顆16芯堆疊的16Gb DRAM顆粒組成,總?cè)萘窟_(dá)到128GB,支持高達(dá)8533 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率。相比之下,SOCAMM的體積僅為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DDR5 RDIMM內(nèi)存模組的約1/3,但憑借LPDDR5X的高速特性和更大的數(shù)據(jù)位寬,其在相同容量下的帶寬性能提升了2.5倍,同時功耗僅為傳統(tǒng)方案的1/3。 SOCAMM內(nèi)存模組的推出,將極大滿足高性能計算、人工智能等領(lǐng)域?qū)?nèi)存帶寬和能效的嚴(yán)苛要求。其高數(shù)據(jù)傳輸帶寬和低功耗特性,使得這些領(lǐng)域的應(yīng)用能夠更加高效地處理大規(guī)模數(shù)據(jù),提升整體性能。此外,SOCAMM的可拆卸設(shè)計也使得內(nèi)存模塊的更換和升級變得更加便捷,提高了設(shè)備的靈活性和使用壽命。 美光科技與SK海力士表示,SOCAMM內(nèi)存模組將首先應(yīng)用于英偉達(dá)GB300 Grace Blackwell Ultra超級芯片中,作為Grace CPU的可更換內(nèi)存使用。這一合作不僅展示了SOCAMM內(nèi)存模組的強大性能,也預(yù)示著未來更多高性能計算平臺的潛在應(yīng)用。 |