LPDDR4存儲(chǔ)器MT53E128M32D2DS-053 IT:A，MOSFET晶體管STW40N95K5，STTH30RQ06GY整流器

xingjijinhua

明佳達(dá)，星際金華供應(yīng) LPDDR4存儲(chǔ)器MT53E128M32D2DS-053 IT:A，MOSFET晶體管STW40N95K5，STTH30RQ06GY整流器



MT53E128M32D2DS-053 IT:A 4Gbit 移動(dòng) LPDDR4 內(nèi)存 IC

產(chǎn)品描述
MT53E128M32D2DS-053 IT:A 是 4Gbit SDRAM - 移動(dòng) LPDDR4 存儲(chǔ)器 IC，封裝為 200-WFBGA (10x14.5)。

MT53E128M32D2DS-053 IT:A 的規(guī)格
電壓 - 電源：1.1V
工作溫度：-40°C ~ 95°C (TC)
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：200-WFBGA

特性
密度 4Gb
寬度：x32
FBGA 代碼 D9ZBK
技術(shù)： LPDDR4 LPDDR4

STW40N95K5 950V MDmesh™ K5 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述
STW40N95K5 是超高壓 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。它采用基于創(chuàng)新專有垂直結(jié)構(gòu)的 MDmesh™ K5 技術(shù)設(shè)計(jì)。因此，導(dǎo)通電阻大幅降低，柵極電荷超低，適用于要求超高功率密度和高效率的應(yīng)用。

特點(diǎn)
業(yè)界最低的 RDS(on) x 面積
業(yè)界最佳性能系數(shù)（FoM）
超低柵極電荷
100% 通過雪崩測試
齊納保護(hù)

應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用

STTH30RQ06GY 600V 超快速恢復(fù)整流器

產(chǎn)品描述
STTH30RQ06GY 是汽車渦輪 2 超高速高壓整流器。該產(chǎn)品專為需要對 LLC 全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行高壓次級(jí)整流的應(yīng)用而開發(fā)。
STTH30RQ06GY 還適用于開關(guān)電源、汽車應(yīng)用和工業(yè)應(yīng)用，可用作整流、續(xù)流和箝位二極管。

特點(diǎn)
高結(jié)溫能力
超快軟恢復(fù)特性
低反向電流
熱阻低
降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
支持 PPAP
D²AK HV 爬電距離（陽極到陰極）= 最小 5.38 mm（帶頂部涂層）
VRRM 保證溫度范圍為 -40 °C 至 175 °C
符合 ECOPACK®2 標(biāo)準(zhǔn)（DO-247、TO-220AC）

應(yīng)用
輸出整流
PFC
不間斷電源
空調(diào)
充電站