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4月2日，意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）與硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造企業(yè)英諾賽科（Innoscience）共同宣布，雙方已簽署一項氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。這一合作標志著雙方在氮化鎵功率技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒄归_深入合作，共同推動該技術(shù)的創(chuàng)新與應用。 根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，意法半導體與英諾賽科將合作推進氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開發(fā)計劃。雙方將充分發(fā)揮各自在半導體領(lǐng)域的優(yōu)勢，共同研發(fā)更高效、更可靠的氮化鎵功率器件，以滿足市場對高性能電源轉(zhuǎn)換、運動控制與驅(qū)動系統(tǒng)的需求。 此外，協(xié)議還規(guī)定了雙方在生產(chǎn)制造方面的合作。英諾賽科將能夠借助意法半導體在中國以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能，生產(chǎn)其氮化鎵晶圓。同時，意法半導體也將利用英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能，生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。這種靈活的供應鏈布局將有效拓展雙方的氮化鎵產(chǎn)品組合和市場供應能力，提升供應鏈韌性。 意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將最大化發(fā)揮IDM這一模式的優(yōu)勢，為全球客戶創(chuàng)造價值。我們期待通過此次合作，加速氮化鎵功率技術(shù)的部署，進一步完善現(xiàn)有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合，并通過靈活的制造模式更好地服務于全球客戶。” 英諾賽科董事長兼創(chuàng)始人駱薇薇博士也對此次合作表示了高度期待。她指出：“氮化鎵技術(shù)對實現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。英諾賽科率先實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，并已在多個領(lǐng)域取得顯著成果。我們非常期待與意法半導體的合作，共同推動氮化鎵技術(shù)的普及與應用，為全球客戶帶來更高性能、更可靠的解決方案�！� |
