Tektronix TDS2012B示波器是一款廣泛應(yīng)用于電氣和電子工程領(lǐng)域的數(shù)字示波器,以其出色的性能和可靠性受到工程師們的青睞。存儲(chǔ)深度是數(shù)字示波器的重要參數(shù)之一,它直接影響到示波器在捕捉、存儲(chǔ)和分析信號(hào)時(shí)的能力和效果。因此,充分理解TDS2012B的存儲(chǔ)深度特性,將有助于用戶更好地利用這一設(shè)備進(jìn)行高效的信號(hào)分析。 1. 存儲(chǔ)深度概述 存儲(chǔ)深度(又稱為樣本深度)是指示波器能夠在其內(nèi)部存儲(chǔ)器中保存的樣本點(diǎn)數(shù)。對(duì)于數(shù)字示波器而言,存儲(chǔ)深度決定了在特定采樣率下可以捕獲的波形長(zhǎng)度。在Tektronix TDS2012B示波器中,存儲(chǔ)深度為2.5k點(diǎn)(每通道),可以根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選擇和調(diào)整。 1.1 存儲(chǔ)深度的影響因素 采樣率:在固定的存儲(chǔ)深度條件下,采樣率越高,可捕獲的時(shí)間基準(zhǔn)越短。如果采樣率較低,則可以獲取較長(zhǎng)時(shí)間的波形。 波形復(fù)雜性:復(fù)雜波形包含較多的信息,可能需要更多的存儲(chǔ)點(diǎn)以確保波形的準(zhǔn)確再現(xiàn)。 觸發(fā)條件:有效的觸發(fā)設(shè)置能夠保證在信號(hào)異常情況下捕捉到重要信息,從而提高存儲(chǔ)的有效性。 2. TDS2012B的存儲(chǔ)深度特點(diǎn) 2.1 存儲(chǔ)深度參數(shù) TDS2012B示波器具有以下存儲(chǔ)深度特性: 通道存儲(chǔ)深度:每個(gè)通道的存儲(chǔ)深度為2.5k點(diǎn),這意味著示波器可以在每個(gè)通道上存儲(chǔ)2,500個(gè)樣本數(shù)據(jù)點(diǎn)。 雙通道配置:在雙通道工作時(shí),每個(gè)通道獨(dú)立存儲(chǔ),帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)是可以同時(shí)觀察和比較兩個(gè)信號(hào)的波形特性。 2.2 采樣率與存儲(chǔ)深度的關(guān)系 TDS2012B的最大采樣率為1GS/s(10位分辨率),而存儲(chǔ)深度與采樣率的關(guān)系如下: 在最大采樣率1GS/s下,存儲(chǔ)深度限制了示波器能夠捕捉的波形持續(xù)時(shí)間。計(jì)算公式為: 時(shí)間 = 存儲(chǔ)深度\采樣率 因此,在最大采樣率下,TDS2012B可以捕獲的波形持續(xù)時(shí)間為: 時(shí)間= 2500/1GS/s = 2.5ms 2.3 低采樣下的存儲(chǔ)能力 如果用戶選擇較低的采樣率,存儲(chǔ)深度的優(yōu)勢(shì)會(huì)更加明顯。例如,設(shè)置采樣率為100 MS/s時(shí),示波器可捕捉的時(shí)間長(zhǎng)度為: 時(shí)間 = 2500/100MS/s = 25ms 這表明,存儲(chǔ)深度允許用戶根據(jù)需求調(diào)整采樣率,進(jìn)而選擇適合于特定測(cè)試狀況的時(shí)間長(zhǎng)度。
3. 存儲(chǔ)深度的應(yīng)用場(chǎng)合 3.1 信號(hào)捕捉 存儲(chǔ)深度使TDS2012B能夠快速捕捉到瞬態(tài)事件和脈沖信號(hào)。即使是在快速變化的信號(hào)中,也能詳細(xì)解析短時(shí)間內(nèi)的波形變化。 3.2 復(fù)雜信號(hào)分析 在進(jìn)行復(fù)雜信號(hào)或多層信號(hào)(如調(diào)制信號(hào))分析時(shí),用戶可利用較深的存儲(chǔ)深度,保存足夠的樣本點(diǎn),從而獲取更精準(zhǔn)的分析數(shù)據(jù)。 3.3 觸發(fā)事件 結(jié)合存儲(chǔ)深度,TDS2012B能夠有效捕獲特定觸發(fā)條件下的波形。例如,針對(duì)異常信號(hào),存儲(chǔ)深度提供必要的歷史數(shù)據(jù)支持,幫助工程師進(jìn)行信號(hào)
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