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美光科技（Micron Technology）近日正式宣布，其基于第六代10nm級制程技術（內部代號1γ，行業(yè)稱1c）的LPDDR5X DRAM內存已開始向合作伙伴交付認證樣品。這一突破性產品以10.7Gbps的行業(yè)峰值傳輸速率、20%的功耗降低以及0.61mm的極致薄度，成為移動內存領域的技術標桿，預計2026年搭載于新一代旗艦智能手機。 技術突破：六大核心優(yōu)勢引領行業(yè)變革 1、性能飛躍：10.7Gbps全球最快傳輸速率 美光的1γ LPDDR5X內存將數據傳輸速度提升至10.7Gbps（10667MT/s），較上一代1β產品顯著提高，為AI運算、高清影像處理和5G通信提供更高效的帶寬支持。例如，在運行大型語言模型或實時游戲時，可大幅減少數據延遲，提升響應速度。 2、能效革新：功耗降低20%，延長續(xù)航 通過優(yōu)化電路設計和采用新型材料，1γ制程在保持高性能的同時降低能耗。美光官方測算顯示，該內存可使智能手機在重度使用場景（如連續(xù)視頻通話或AR應用）下節(jié)省約20%電量，顯著改善用戶體驗。 3、超薄設計：0.61mm厚度破紀錄 為適應折疊屏和超薄旗艦機的需求，1γ LPDDR5X封裝厚度僅0.61mm，較前代縮減14%，比競品薄6%。這一改進為電池擴容或攝像頭模塊升級騰出空間，助力手機廠商打造更輕薄的產品形態(tài)。 4、EUV光刻技術首秀：制程精度再升級 此次產品是美光首款采用極紫外光刻（EUV）技術的移動內存，標志著其在納米級制造工藝上的領先地位。EUV技術可精確刻畫更小尺寸的晶體管，提升芯片集成度與穩(wěn)定性，為未來更高性能的內存迭代奠定基礎。 5、全容量覆蓋：8GB至32GB靈活選擇 美光計劃2026年推出8GB、16GB、32GB多容量版本，滿足從入門級到頂級旗艦機型的差異化需求。目前，16GB樣品已率先提供給部分OEM廠商進行適配驗證。 6、AI與高性能計算賦能 針對AI任務優(yōu)化的數據傳輸路徑設計，使1γ LPDDR5X在圖像識別、語音交互等場景中表現卓越。美光表示，該內存將成為下一代智能手機實現“本地化AI處理”的關鍵硬件支撐。 行業(yè)影響：重塑移動存儲競爭格局 · 搶跑三星SK海力士：盡管韓國競爭對手也在加速1c DRAM研發(fā)（SK海力士已完成量產認證，三星計劃2025年推出），但美光憑借1γ LPDDR5X的率先出貨，在移動內存賽道占據先發(fā)優(yōu)勢。 · 推動AI手機普及：高帶寬、低功耗的特性將加速AI功能在移動終端的滲透，尤其利好需要實時處理復雜任務的智能手機和物聯網設備。 · 折疊屏時代的技術基石：0.61mm的超薄設計直接響應了折疊屏手機對內部空間優(yōu)化的需求，或將成為2026年高端機型的標配組件。 戰(zhàn)略布局：美光持續(xù)領跑存儲創(chuàng)新 “1γ LPDDR5X不僅是美光在DRAM技術上的里程碑，更是我們‘為智能設備提供極致性能與能效解決方案’愿景的體現�！泵拦庖苿赢a品事業(yè)部高級副總裁Dave Tuhy表示，“通過與全球領先手機廠商的深度合作，我們將助力打造更智能、更輕薄、更持久的移動體驗�！� 據分析師預測，隨著AI算力需求激增和5G換機潮延續(xù)，LPDDR5X市場將在未來三年內實現30%的復合年增長率。美光此次技術突圍，不僅鞏固了其在移動存儲領域的龍頭地位，也為行業(yè)樹立了新的性能標桿。 |
