查看: 65|回復(fù): 0

[供應(yīng)] LTD1534MFL領(lǐng)泰N溝道增強型功率MOSFET

[復(fù)制鏈接]

H-H

電梯直達(dá)

樓主

發(fā)表于 2025-6-12 09:23:49 | 只看該作者回帖獎勵

|倒序瀏覽 |閱讀模式

貿(mào)澤電子有獎問答視頻，回答正確發(fā)放10元微信紅包

關(guān)鍵詞：領(lǐng)泰 , MOS

⚫特性
VDS = 30V，I D = 130A
；RDS（導(dǎo)通）@VGS=10V，典型值1.5mΩ
；RDS（導(dǎo)通）@VGS=4.5V，典型值2.4mΩ
⚫概述
•同步降壓轉(zhuǎn)換器
•高功率密度DC/DC轉(zhuǎn)換器
•電機驅(qū)動控制
•電池管理
•負(fù)載開關(guān)

深圳市芯美力科技，原廠一級授權(quán)代理。
歡迎咨詢，需求電話：19928739245（微同）

收藏0 頂0 踩0

相關(guān)文章

• 影響SiC MOSFET閾值電壓不穩(wěn)定的因素有哪些？
• SI2333CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封裝P溝道MOS管應(yīng)用領(lǐng)域講解
• SI2305ADS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
• SI2305CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
• SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
• SI2318CDS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
• SI2319CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
• SI2323CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
• APM永源微190A15V移動電源場效應(yīng)管方案
• LEADTECK領(lǐng)泰LT半導(dǎo)體半導(dǎo)體功率器件 MOSFET場效應(yīng)管原廠芯美力科技一級代理

回復(fù)

舉報

返回列表

色偷偷偷久久伊人大杳蕉,色爽交视频免费观看,欧美扒开腿做爽爽爽a片,欧美孕交alscan巨交xxx,日日碰狠狠躁久久躁蜜桃

[供應(yīng)] LTD1534MFL領(lǐng)泰N溝道增強型功率MOSFET

相關(guān)文章