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作者：鎧俠 縱觀整個電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢。相對于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲密度才能確保新技術、新產品可持續(xù)發(fā)展，存儲單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Level Cell）。 QLC技術并非近段時間的一蹴而就，在2007年，鎧俠前身東芝存儲器就推出了對應的QLC技術和產品，在SLC、MLC還是主流的時代，TLC乃至QLC更像是一場技術前瞻，由于每增加1位數(shù)據(jù)，需要的電壓狀態(tài)就翻倍，因此在1個單元內存儲4位數(shù)據(jù)，意味著需要16種不同的電壓狀態(tài)表達，并且還要考慮傳輸速率、擦寫壽命、數(shù)據(jù)誤碼率等多重因素影響。這導致，從QLC誕生后很長一段時間內，相應方案的使用率不高。 
沒有在市場大規(guī)模應用不代表著技術迭代停止，從初代QLC產品發(fā)布至今，鎧俠堅持不懈對QLC技術進行創(chuàng)新，不斷提升穩(wěn)定性、性能、容量，逐漸讓QLC變得成熟可靠，經過長時間驗證后，獲得行業(yè)認可，使得QLC產品在要求嚴苛的商用領域開始大展拳腳。 已經在中高端手機上采用的鎧俠QLC UFS 4.0產品就是很好的例子。這是業(yè)界首款QLC UFS 4.0產品，通過采用鎧俠1Tb BiCS FLASH 3D QLC技術，能夠在有限的移動端內部空間內，顯著提升存儲密度，從而讓終端產品用盡可能少的物理空間，獲得盡量多的數(shù)據(jù)存儲容量，給終端產品設計留下了更多的空間，也進而提升了產品的競爭力。 事實上，存儲密度與傳輸速率，直接影響終端產品的實際體驗，QLC與UFS 4.0的融合讓終端的同事獲得了這兩個特點。利用QLC所帶來的更高密度存儲，幫助在手機、平板、VR/AR設備在有限的內部空間內獲得更大的存儲容量，施放更多終端設計潛力，為終端產品提升競爭力。不僅如此，這款產品還充分利用UFS 4.0接口速度，能讓獲得優(yōu)秀的讀寫體驗，給智能手機和平板電腦等移動設備帶來更好的端側AI體驗，并為邊緣計算、AR/VR等下一代創(chuàng)新應用做好充分準備。
目前，鎧俠QLC UFS 4.0產品已經獲得業(yè)界認可，在中高端移動產品中開始采用。而鎧俠1Tb BiCS FLASH 3D QLC技術僅僅是開始，基于第八代BiCS FLASH 3D 2Tb QLC技術的存儲器也已經送樣測試，意味著幾乎相同的空間內，原本能獲得2TB的存儲容量，在新QLC技術的加持下可以獲得4TB，移動端進而獲得更大存儲容量的可能，對于日漸流行的端側AI、AI PC而言，用更低成本獲得更成熟、穩(wěn)定、高效的存儲空間，也將獲得更大的優(yōu)勢。 第八代BiCS FLASH 3D QLC技術突破性的使用了CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術，存儲單元和邏輯單元被分成兩個晶圓分別制造，通過不同制造溫度的控制，分別讓兩個單元獲得更好的效能，從而讓QLC也能獲得優(yōu)秀的傳輸效率，將接口速度提升至3.6Gbps行業(yè)領先水平。這使得即將推廣的UFS 4.1產品獲得更大的性能施放，鎧俠QLC UFS 4.1產品無疑同樣讓人值得期待。
除2Tb QLC之外，鎧俠第八代BiCS FLASH 3D QLC技術還推出了1Tb QLC版本。相較于容量優(yōu)化的2Tb QLC，1Tb QLC的順序寫入性能還能再提升約30%，讀取延遲提升約15%。1Tb QLC更適用于高性能領域，包括客戶端SSD和移動設備。 可以預見，QLC將會成為TLC之后一個新的趨勢，依靠十多年的QLC技術產品積累，鎧俠QLC技術不僅處于行業(yè)領先水平，還為新一輪的終端產品升級、行業(yè)應用創(chuàng)造了更多可能性，為不斷增長的數(shù)據(jù)存儲需求提供全新的解決方案。 |
