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HC025N10L采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)提供RDS（ON），低柵極電荷和柵極電壓低至4.5V的操作。該設(shè)備適用于用作電池保護(hù)或用于其他開關(guān)應(yīng)用。 技術(shù)特點(diǎn)：采用溝槽技術(shù)，具有良好的 RDS（ON）性能，低柵極電荷，只需 4.5V 的柵極電壓即可操作，能有效降低功耗，提高晶體管的性能和穩(wěn)定性。同時(shí)，它還具備低導(dǎo)通損耗和低溫升的特點(diǎn)。 主要參數(shù)：漏源電壓（Vdss）為 100V，漏極電流 (Id) 可達(dá) 45A，開啟電壓低至 1.2V。 封裝形式：常用封裝有 DFN3333、SOT89 - 3、SOT23 - 3、SOP - 8、TO - 252、TO - 220 等。其中，采用 TO - 252 封裝較為常見。 應(yīng)用領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于加濕器、霧化器、香薰機(jī)、美容儀、榨汁機(jī)、暖奶器、脫毛儀等小家電領(lǐng)域，也可用于車燈、舞臺(tái)燈、燈帶調(diào)光等 LED 照明領(lǐng)域，以及電弧打火機(jī)、手機(jī)無線充、太陽能電源等場(chǎng)景。 惠海半導(dǎo)體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN3*3、PDFN5*6、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS 
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