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鎧俠（Kioxia）宣布，其基于第九代BiCS FLASH™ 3D閃存技術(shù)的512Gb TLC閃存樣品已正式向客戶出貨，并計劃于2025財年（2025年4月至2026年3月）啟動大規(guī)模量產(chǎn)。 第九代BiCS FLASH 512Gb TLC閃存采用創(chuàng)新的CBA（CMOS直接鍵合到陣列）技術(shù)，通過解耦存儲單元陣列與外圍CMOS電路的制造流程，實現(xiàn)了成本與性能的平衡。相較于前代產(chǎn)品，該芯片寫入性能提升61%，讀取性能提升12%，能效表現(xiàn)顯著優(yōu)化：寫入操作能耗降低36%，讀取操作能耗降低27%。其支持Toggle DDR6.0接口標(biāo)準(zhǔn)，NAND接口速率達(dá)3.6Gb/s，實驗室環(huán)境下更突破至4.8Gb/s，為數(shù)據(jù)中心GPU集群的高效數(shù)據(jù)吞吐提供硬件支撐。 
鎧俠同步推進(jìn)的“雙軌戰(zhàn)略”在此次發(fā)布中進(jìn)一步深化。第九代產(chǎn)品通過復(fù)用現(xiàn)有陣列制程與更新外圍芯片，以低成本路徑實現(xiàn)性能躍升；而第十代技術(shù)則聚焦存儲層數(shù)突破，通過332層堆疊與晶圓平面布局優(yōu)化，使位密度提升59%。這種代際協(xié)同策略既滿足了當(dāng)前市場對高性價比解決方案的迫切需求，也為未來大容量存儲應(yīng)用預(yù)留技術(shù)接口。 隨著生成式AI訓(xùn)練規(guī)模指數(shù)級增長，數(shù)據(jù)中心對存儲設(shè)備的性能、密度與能效提出嚴(yán)苛要求。鎧俠將第九代BiCS FLASH閃存整合至企業(yè)級SSD產(chǎn)品線，特別針對AI系統(tǒng)GPU效率優(yōu)化設(shè)計。例如，其最新發(fā)布的245.76TB超大容量SSD已搭載該技術(shù)，通過單盤支持PB級數(shù)據(jù)集的高效存取，顯著降低AI訓(xùn)練集群的存儲延遲與能耗。此外，鎧俠與AIO Core、京瓷合作開發(fā)的兼容PCIe 5.0的光學(xué)SSD原型，進(jìn)一步探索了存儲介質(zhì)與算力節(jié)點的融合路徑。 鎧俠強(qiáng)調(diào)，第九代BiCS FLASH的量產(chǎn)計劃基于對云計算、AI等高增長領(lǐng)域的深度洞察。公司已協(xié)調(diào)四日市工廠與北上工廠的產(chǎn)能布局，確保2025財年內(nèi)完成從樣品驗證到規(guī)�；a(chǎn)的平穩(wěn)過渡。與此同時，鎧俠持續(xù)優(yōu)化資本支出結(jié)構(gòu)，通過CBA技術(shù)降低制程迭代成本，避免行業(yè)普遍面臨的“技術(shù)空轉(zhuǎn)”風(fēng)險。 第九代BiCS FLASH的推出正值全球存儲市場結(jié)構(gòu)性變革期。一方面，AI訓(xùn)練參數(shù)規(guī)模突破萬億級，推動企業(yè)級SSD需求向高吞吐、低延遲方向演進(jìn)；另一方面，邊緣計算與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的爆發(fā)式增長，對中低端存儲的能效比提出新要求。鎧俠憑借CBA技術(shù)的模塊化優(yōu)勢，有望在保持技術(shù)領(lǐng)先的同時，通過差異化產(chǎn)品矩陣覆蓋全場景需求，鞏固其在3D閃存市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。 隨著2025財年量產(chǎn)窗口的開啟，鎧俠第九代BiCS FLASH 512Gb TLC閃存不僅將重新定義中低端存儲的性能基準(zhǔn)，更將通過與AI、光學(xué)存儲等前沿技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新，為全球數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施的可持續(xù)發(fā)展注入新動能。 |
