N型功率MOSFET(N溝道增強型功率MOSFET)的工作原理基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),通過柵極電壓控制源極與漏極之間的導(dǎo)電溝道形成與消失,實現(xiàn)電流的導(dǎo)通與截止。 當(dāng)柵極電壓為零時,漏源極間加正電源,P基區(qū)與N漂移區(qū)形成的PN結(jié)反偏,漏源極間無電流流過。此時器件處于截止?fàn)顟B(tài)。 在柵極施加正電壓(超過閾值電壓Vth),P基區(qū)表面形成反型層(N型導(dǎo)電溝道),電子從源極流向漏極,漏極電流ID產(chǎn)生。導(dǎo)通時僅多子(電子)參與導(dǎo)電,屬于單極型晶體管。 采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(如VDMOS),通過V型槽或雙擴(kuò)散工藝實現(xiàn)高耐壓能力。漂移區(qū)摻雜濃度直接影響導(dǎo)通電阻和耐壓性能,通常通過增加漂移區(qū)寬度或采用超級結(jié)技術(shù)(SJ MOS)降低導(dǎo)通電阻。 ![]() 工采網(wǎng)代理的電機驅(qū)動芯片 - SS6952T為電機一體化應(yīng)用提供一種大電流單通道集成電機驅(qū)動方案。SS6952T有一路H橋驅(qū)動,可提供較大峰值電流7A,可驅(qū)動一個刷式直流電機,或者螺線管或者其它感性負(fù)載。 SS6952T的功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路,包含整流電路和限流電路。簡單的并行數(shù)字控制接口,衰減模式可選擇為快衰減,慢衰減和混合衰減。 SS6952T提供了一種低功耗睡眠模式來關(guān)斷內(nèi)部電路,以達(dá)到非常低的靜態(tài)電流。這種睡眠模式通過設(shè)置nSLEEP引腳來實現(xiàn)。內(nèi)部關(guān)斷功能包含過流保護(hù),短路保護(hù),欠壓鎖定保護(hù)和過溫保護(hù),并提供一個故障輸出管腳nFAULT引腳。 SS6952T提供一種帶有裸露焊盤的eTSSOP28封裝,能有效改善散熱性能,且是無鉛產(chǎn)品,引腳框架采用100%無錫電鍍。 SS6952T是一個用于雙極步進(jìn)電機或有刷直流電機的集成電機驅(qū)動方案。內(nèi)部集成了一個NMOS H橋、電流檢測、調(diào)節(jié)電路,和詳細(xì)的故障檢測。 典型應(yīng)用原理圖: ![]() 馬達(dá)驅(qū)動芯片 - SS6952T的特性: 單通道H橋電流控制電機驅(qū)動器 –單個直流有刷電機 –一個步進(jìn)電機單相 –PWM控制接口 固定頻率下電流控制可選擇 – 2 bits電流控制,提供4個電流臺階 低導(dǎo)通阻抗的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET) – 24V,Ta = 25°C時可實現(xiàn)7.0A較大驅(qū)動電流(在保證散熱良好條件下) – 24V,Ta= 25°C時 RDS(HS+LS)為150mΩ(典型值HS + LS) 較大供電耐壓 50V 睡眠模式低電流 內(nèi)置 3.3V 基準(zhǔn)電壓 帶散熱片的表面貼裝封裝 保護(hù)特性 – 過流保護(hù) (OCP) – 熱關(guān)斷 (TSD) – 欠壓閉鎖 (UVLO) – 故障顯示 Pin(nFAULT) 工采網(wǎng)提供各類【步進(jìn)電機-直流有刷電機-無刷電機】驅(qū)動芯片可完全PIN TO PIN兼容替代TI德州儀器-NXP-ST意法-ON安森美-MPS芯源-ROHM羅姆-英飛凌等眾多品牌電機驅(qū)動芯片.歡迎聯(lián)系“在線客服”獲取相關(guān)商品、詢價單,申請樣品,期待您的光臨。 深圳率能半導(dǎo)體在電機驅(qū)動領(lǐng)域深耕多年,技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善,如果想了解更多電機驅(qū)動的技術(shù)資料,歡迎致電聯(lián)系:133 9280 5792(微信同號) ![]() |