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SK海力士今日宣布，已成功開(kāi)發(fā)并啟動(dòng)量產(chǎn)全球首款采用“High-K EMC”材料的移動(dòng)DRAM產(chǎn)品，并開(kāi)始向全球客戶批量供貨。這一突破性技術(shù)通過(guò)革新半導(dǎo)體封裝材料，將移動(dòng)設(shè)備散熱效率提升至新高度，為端側(cè)AI（On-Device AI）時(shí)代的高性能計(jì)算需求提供關(guān)鍵解決方案。 技術(shù)突破：熱導(dǎo)率提升3.5倍，熱阻降低47% SK海力士此次推出的移動(dòng)DRAM產(chǎn)品，核心創(chuàng)新在于封裝材料領(lǐng)域的突破。傳統(tǒng)DRAM封裝中使用的環(huán)氧模封料（EMC）以二氧化硅（Silica）為主要成分，而SK海力士通過(guò)引入氧化鋁（Alumina）復(fù)合材料，開(kāi)發(fā)出新一代“High-K EMC”材料。該材料熱導(dǎo)率較傳統(tǒng)材料提升3.5倍，使垂直導(dǎo)熱路徑的熱阻降低47%，顯著優(yōu)化了芯片內(nèi)部的熱量傳導(dǎo)效率。 技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人李圭濟(jì)副社長(zhǎng)指出：“隨著端側(cè)AI模型在智能手機(jī)中普及，處理器與DRAM協(xié)同處理數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生的熱量積聚已成為性能瓶頸。通過(guò)材料創(chuàng)新，我們成功將熱量從DRAM核心區(qū)域快速導(dǎo)出，避免因過(guò)熱導(dǎo)致的算力衰減�！� 行業(yè)痛點(diǎn)：PoP封裝結(jié)構(gòu)下的散熱困局 當(dāng)前旗艦級(jí)智能手機(jī)普遍采用PoP（Package on Package）封裝技術(shù)，將DRAM垂直堆疊于移動(dòng)處理器上方。這種設(shè)計(jì)雖能節(jié)省空間并提升數(shù)據(jù)傳輸速率，但處理器產(chǎn)生的熱量會(huì)直接傳導(dǎo)至DRAM層，形成“熱島效應(yīng)”。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，在連續(xù)運(yùn)行大型AI模型時(shí)，傳統(tǒng)DRAM核心溫度可達(dá)75℃以上，導(dǎo)致系統(tǒng)主動(dòng)降頻以保護(hù)硬件，性能損失最高達(dá)30%。 SK海力士的解決方案直擊這一痛點(diǎn)。第三方實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證表明，搭載High-K EMC材料的DRAM在相同工況下核心溫度降低12℃，系統(tǒng)降頻頻率減少80%，同時(shí)整機(jī)功耗下降7%。這一改進(jìn)不僅延長(zhǎng)了設(shè)備續(xù)航時(shí)間，更通過(guò)穩(wěn)定算力輸出提升了AI應(yīng)用的實(shí)時(shí)響應(yīng)能力。 市場(chǎng)反響：全球客戶搶先部署 據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星、小米、OPPO等頭部手機(jī)廠商已將該產(chǎn)品納入下一代旗艦機(jī)型研發(fā)計(jì)劃。某國(guó)產(chǎn)手機(jī)品牌硬件總監(jiān)透露：“我們正在測(cè)試搭載SK海力士新DRAM的原型機(jī)，在4K視頻渲染、多模態(tài)AI交互等高負(fù)載場(chǎng)景中，設(shè)備表面溫度較前代降低4℃，用戶握持體驗(yàn)顯著改善�！� 存儲(chǔ)芯片行業(yè)分析師指出，SK海力士此次技術(shù)迭代恰逢端側(cè)AI爆發(fā)窗口期。預(yù)計(jì)到2026年，全球智能手機(jī)AI算力需求將增長(zhǎng)5倍，而散熱效率已成為制約計(jì)算性能的關(guān)鍵因素�！癝K海力士通過(guò)材料科學(xué)突破，重新定義了移動(dòng)DRAM的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，有望在高端市場(chǎng)獲得20%以上的份額提升�！� 戰(zhàn)略布局：鞏固新一代存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位 此次產(chǎn)品發(fā)布延續(xù)了SK海力士在先進(jìn)制程與材料創(chuàng)新領(lǐng)域的雙重優(yōu)勢(shì)。2021年，該公司率先量產(chǎn)第四代10納米級(jí)（1a）DRAM，并通過(guò)EUV光刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)晶圓產(chǎn)能提升25%。此次High-K EMC材料的商業(yè)化，標(biāo)志著其技術(shù)布局從制程微縮向材料科學(xué)深度拓展。 李圭濟(jì)強(qiáng)調(diào)：“我們正在構(gòu)建‘制程-材料-架構(gòu)’三位一體的創(chuàng)新體系。未來(lái)三年，SK海力士將投入1.2萬(wàn)億韓元（約合62億元人民幣）研發(fā)新一代散熱材料，目標(biāo)在2028年前將DRAM熱導(dǎo)率再提升2倍。” 隨著5G-A與6G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)加速，端側(cè)AI設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)性能的要求持續(xù)攀升。SK海力士的這次技術(shù)突破，不僅為移動(dòng)計(jì)算產(chǎn)業(yè)提供了散熱解決方案，更預(yù)示著半導(dǎo)體材料創(chuàng)新將成為下一代電子設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)的核心賽道。 |
