|
近日，位于遼寧省大連市金普新區(qū)的Intel Fab 68閃存晶圓廠正式完成企業(yè)更名手續(xù)，原“英特爾半導體存儲技術（大連）有限公司”更名為“愛思開海力士半導體存儲技術（大連）有限公司”。這一變更標志著SK海力士自2020年啟動的90億美元收購案正式收官，Intel徹底退出全球NAND閃存市場，中國存儲產(chǎn)業(yè)格局迎來新變量。 收購歷程：五年磨一劍的資本博弈 2020年10月，SK海力士宣布以90億美元收購Intel NAND閃存業(yè)務，涵蓋大連Fab 68晶圓廠、SSD業(yè)務及核心知識產(chǎn)權。該交易分兩階段推進：2021年12月，SK海力士完成首期70億美元交割，接管大連工廠資產(chǎn)及SSD業(yè)務；2025年3月，隨著Intel Asia Holding Limited退出股東行列，SK海力士旗下愛思開海力士半導體（大連）有限公司成為全資股東，支付剩余20億美元完成終局收購。此次更名是股權交割后的法定程序，企業(yè)注冊地址仍為大連經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)淮河東路109-2號，但品牌標識已全面切換為SK海力士旗下Solidigm LOGO。 技術整合：3D NAND產(chǎn)能與研發(fā)雙升級 SK海力士接管后，大連工廠迅速啟動技術迭代。2022年5月，新3D NAND閃存芯片生產(chǎn)線開工，采用176層堆疊技術，單芯片容量達1Tb，較前代提升33%。2023年，工廠實施26個節(jié)能減排項目，實現(xiàn)年節(jié)電6400萬度、節(jié)水165萬噸，單位產(chǎn)能能耗下降18%。據(jù)SK海力士披露，大連基地已納入其全球存儲研發(fā)網(wǎng)絡，與韓國利川、美國圣克拉拉實驗室協(xié)同開發(fā)238層及以上超高層堆疊技術，目標2026年實現(xiàn)量產(chǎn)。 政策變局：美對華技術管制沖擊大連基地 此次收購的監(jiān)管環(huán)境發(fā)生重大變化。2022年10月，美國商務部對三星、SK海力士中國工廠實施“無限期豁免”，允許其進口美國半導體設備。然而，該政策于2024年12月悄然終止，大連Fab 68成為受影響最大的晶圓廠。據(jù)行業(yè)分析，政策收緊可能導致大連基地無法引入EUV光刻機等先進設備，制約其向192層以上技術節(jié)點升級。SK海力士回應稱，將通過“雙基地策略”應對挑戰(zhàn)：利川工廠主攻前沿技術研發(fā)，大連工廠聚焦成熟制程量產(chǎn)，2025年產(chǎn)能利用率維持在90%以上。 產(chǎn)業(yè)影響：中國存儲生態(tài)的機遇與隱憂 大連基地更名折射出中國存儲產(chǎn)業(yè)的結構性變遷。一方面，SK海力士的持續(xù)投入鞏固了大連作為全球存儲重鎮(zhèn)的地位——該工廠現(xiàn)有員工3971人，2024年產(chǎn)值突破120億美元，占大連市集成電路產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的65%。另一方面，Intel退出后，中國NAND市場形成“三星西安+SK海力士大連+長江存儲武漢”的三足鼎立格局，但高端技術仍依賴外資。專家指出，大連基地需加快培養(yǎng)本土技術團隊，在3D NAND架構、存儲控制器芯片等領域實現(xiàn)突破，才能避免陷入“低端鎖定”陷阱。 未來展望：AI存儲需求驅動新增長 SK海力士計劃將大連基地打造為AI存儲解決方案中心。隨著生成式AI服務器對高帶寬存儲（HBM）需求激增，大連工廠已啟動HBM3E量產(chǎn)線改造，預計2026年貢獻營收的15%。公司CEO樸正浩在財報會議上強調(diào)：“大連基地的12英寸晶圓產(chǎn)線可無縫切換至HBM生產(chǎn)，這是其他競爭對手難以復制的優(yōu)勢。”據(jù)TrendForce預測，2025年全球NAND閃存市場規(guī)模將達689億美元，其中AI相關需求占比將超過30%，大連基地有望在這一浪潮中占據(jù)關鍵席位。 |
