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來源：SEMI中國 美國亞利桑那州鳳凰城當?shù)貢r間2025年10月8日， SEMI在SEMICON West上發(fā)布最新《300mm晶圓廠展望報告》（300mm Fab Outlook），預計從2026年到2028年，全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將達到3,740億美元。這一強勁投資反映了晶圓廠區(qū)域化趨勢以及對數(shù)據(jù)中心和邊緣設(shè)備中AI芯片需求的激增，同時也凸顯了全球主要地區(qū)通過本地化產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和供應鏈重構(gòu)，推動半導體自主化的持續(xù)承諾。 預計2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將首次超過1,000億美元，增長7%，達到1,070億美元。報告預測，2026年投資將增長9%，達到1,160億美元；2027年增長4%，達到1,200億美元；2028年將增長15%，達到1,380億美元。 
SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“半導體行業(yè)正進入一個前所未有的變革時代，這一變革由AI技術(shù)帶來的巨大需求以及對區(qū)域自主化的重新聚焦所驅(qū)動。全球戰(zhàn)略性投資與合作正在推動先進供應鏈的建設(shè)，加快下一代半導體制造技術(shù)的部署。300mm晶圓廠的全球擴張將推動數(shù)據(jù)中心、邊緣設(shè)備以及數(shù)字經(jīng)濟的進步�！� 領(lǐng)域增長 Logic和Micro領(lǐng)域預計將在2026至2028年間以1750億美元的設(shè)備投資總額領(lǐng)先。受益于2nm以下制程產(chǎn)能的建設(shè)，代工廠將成為主要推動力。關(guān)鍵技術(shù)包括全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)和背面供電技術(shù)，這些技術(shù)是提升芯片性能和能效、滿足日益增長的AI工作負載需求的核心。更先進的1.4nm工藝預計將在2028至2029年進入量產(chǎn)。此外，AI性能提升也將推動邊緣設(shè)備（如汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)和機器人）市場的快速增長。除先進制程外，所有節(jié)點的需求也將顯著上升，推動成熟制程設(shè)備投資。 Memory預計將在三年間以1,360億美元的支出位居第二，標志著該領(lǐng)域新一輪增長周期的開始。其中，DRAM相關(guān)設(shè)備投資預計將超過790億美元，3D NAND投資將達到560億美元。AI訓練與推理對各類存儲器需求全面上升。AI訓練需要更高的數(shù)據(jù)傳輸帶寬和極低延遲，顯著提升對高帶寬存儲器（HBM）的需求；而模型推理則生成更高質(zhì)量和多樣化的AI數(shù)字內(nèi)容，推動終端存儲容量需求，進而帶動3D NAND Flash需求。這一強勁需求將在中長期內(nèi)維持供應鏈投資的高水平，有助于緩解傳統(tǒng)存儲周期帶來的潛在下滑。 Analog相關(guān)領(lǐng)域預計將在未來三年內(nèi)投資超過410億美元。 包括化合物半導體在內(nèi)的功率相關(guān)領(lǐng)域預計將在2026至2028年間投資270億美元。 區(qū)域增長 中國大陸預計將繼續(xù)領(lǐng)先全球300mm設(shè)備支出，2026至2028年間投資總額將達940億美元，受益于國家政策的持續(xù)推動。 韓國預計將以860億美元的投資額位居全球第二，支撐全球生成式AI需求。 中國臺灣預計將在三年內(nèi)投資750億美元，排名第三，投資將主要集中在2nm及以下制程，以維持其在先進代工領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。 美洲預計將在2026至2028年間投資600億美元，升至第四位。美國供應商正在擴展先進制程產(chǎn)能，以滿足AI應用激增的需求，同時推動國內(nèi)產(chǎn)業(yè)升級。 日本、歐洲與中東、東南亞預計分別投資320億美元、140億美元和120億美元。旨在緩解半導體供應鏈關(guān)鍵問題的政策激勵措施，預計將推動這些地區(qū)到2028年的設(shè)備投資比2024年增長超過60%。 |
