隨著行業(yè)對(duì)算力與實(shí)時(shí)性的要求不斷提升，傳統(tǒng) MCU 平臺(tái)在運(yùn)算能力、存儲(chǔ)速度與外設(shè)性能方面逐漸顯現(xiàn)瓶頸。為解決這一挑戰(zhàn)，納芯微推出 NS800RT113x 系列 MCU，該系列基于 Arm Cortex-M7 內(nèi)核，集成自研 mMATH 數(shù)學(xué)加速核、高速 ADC、精細(xì) PWM 及可編程邏輯模塊等創(chuàng)新功能，全面滿足電機(jī)控制、電力電子等對(duì)高性能與高實(shí)時(shí)性要求嚴(yán)苛的應(yīng)用需求。此次發(fā)布標(biāo)志著 M7 內(nèi)核 MCU 進(jìn)入更廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景，為客戶帶來(lái)前所未有的性能平衡與價(jià)值體驗(yàn)。
1. 高性能高性價(jià)比M7內(nèi)核，突破算力門檻 NS800RT1135/1137 搭載主頻 200MHz 的 Cortex-M7 內(nèi)核，支持 ECC 的 128~256KB Flash 與 80KB TCM（CPU核內(nèi)0等待內(nèi)存），均支持ECC功能，顯著提升實(shí)時(shí)計(jì)算性能。配合納芯微自研的 mMATH 數(shù)學(xué)加速核，可高效處理三角函數(shù)、超越函數(shù)與浮點(diǎn)運(yùn)算，全面增強(qiáng)控制類應(yīng)用的算力支持。 在 MCU 市場(chǎng)中，Cortex-M4 內(nèi)核是最常見的主流選擇，而 NS800RT113x 系列率先將 Cortex-M7 內(nèi)核引入更廣泛應(yīng)用。相較于M4 內(nèi)核，M7 內(nèi)核在 DMIPS/Hz 與 CoreMark/Hz 上分別提升 83% 與 49%，并原生支持核內(nèi) TCM，實(shí)現(xiàn) CPU 同頻 0 等待訪問(wèn)。
當(dāng)前“算力單價(jià)”日益受到行業(yè)關(guān)注，許多應(yīng)用創(chuàng)新與成本優(yōu)化都面臨算力瓶頸的制約。NS800RT113x 系列高性價(jià)比 MCU 的推出，將推動(dòng) M7 內(nèi)核在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子及工業(yè)控制等場(chǎng)景實(shí)現(xiàn)更廣泛應(yīng)用，讓客戶能夠以合理成本獲得高性能計(jì)算能力，突破算力限制，釋放更多創(chuàng)新潛能。 2. 先進(jìn)的控制外設(shè)，輕松駕馭復(fù)雜場(chǎng)景 該系列集成 14 路 PWM，由專用事件管理器控制，并支持多達(dá) 8 個(gè)比較點(diǎn)的配置，實(shí)現(xiàn)高精度 PWM 輸出和快速波形響應(yīng)。其中 2 路高精度 PWM 更可達(dá) 80ps 分辨率。高速 ADC 最高采樣率達(dá) 4.375Msps，支持雙模組 21 通道采集，滿足復(fù)雜信號(hào)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)需求。片上獨(dú)創(chuàng)的 2 個(gè) CLB 可編程邏輯模塊，可靈活實(shí)現(xiàn)復(fù)雜時(shí)序控制與保護(hù)電路，減少外部器件依賴，降低系統(tǒng)成本。 3. 多樣接口與封裝，靈活適配設(shè)計(jì)需求 NS800RT113x 系列配備 3 路 UART、2 路 SPI、2 路 I2C 及 1 路 CAN 2.0 接口，適配多樣化系統(tǒng)需求，并提供 LQFP64、LQFP48、QFN48 與 QFN32 多種封裝，兼顧高性能與靈活設(shè)計(jì)。
NS800RT113x系列選型表 4. 供貨和價(jià)格信息 NS800RT113x系列現(xiàn)已正式發(fā)布并可送樣。其中，量產(chǎn)后 NS800RT1135-DQNGY2（封裝：QFN32）在1千片采購(gòu)數(shù)量的基礎(chǔ)上，含稅單價(jià)僅需5元人民幣起。如需了解更多供貨及價(jià)格詳情，歡迎垂詢 sales@novosns.com。
NS800RT113x系列評(píng)估板 |
