IPD60R950C6 [BSB056N10NN3G]晶體管——TJA1051T收發(fā)器__EMC1464T-AE/9R傳感器

Mingjiada

（供應(yīng)芯片）IPD60R950C6（晶體管）BSB056N10NN3G、TJA1051T（CAN收發(fā)器）、EMC1464T-AE/9R溫度傳感器，明佳達(dá)電子，星際金華長期供應(yīng)原裝庫存器件，有興趣的朋友，歡迎隨時聯(lián)絡(luò)我們！

IPD60R950C6：600V、CoolMOS™ C6 功率晶體管，PG-TO252-3

系列：CoolMOS™ C6

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.4A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：950 毫歐 @ 1.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 130µA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：13 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：280 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：37W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPAK（2 引線 +耳片），SC-63

BSB056N10NN3G：100V、OptiMOS ™功率 MOSFET 晶體管，MG-WDSON-5

系列：OptiMOS™

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：9A（Ta），83A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.6 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100µA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：74 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5500 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），78W（Tc）

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

TJA1051T：5Mbps，高速CAN收發(fā)器，HVSON-8

類型：收發(fā)器

協(xié)議：CANbus

驅(qū)動器/接收器數(shù)：1/1

雙工：半

接收器滯后：120 mV

數(shù)據(jù)速率：5Mbps

電壓 - 供電：4.5V ~ 5.5V

工作溫度：-40°C ~ 150°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-HVSON（3x3）

EMC1464T-AE/9R：4 通道溫度傳感器（2x2.5 基底面），VDFN-10

±1°C 精確度

±0.125°C 分辨率

自動確定外部二極管類型和最佳設(shè)置

電阻誤差校正

反并聯(lián)二極管，支持額外的二極管

支持 CPU 和基板熱二極管

ALERT# 的可編程溫度限制

可編程 SMBus 地址

支持高達(dá) 2.2nF 的二極管濾波電容器

3.3V 電源電壓

2x2.5 WDFN