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英偉達(dá)公司今日正式宣布，已決定取消對其第一代系統(tǒng)級芯片附加內(nèi)存模塊（SOCAMM）的推廣計(jì)劃，轉(zhuǎn)而將技術(shù)開發(fā)重心全面聚焦于其繼任產(chǎn)品——SOCAMM2。 據(jù)接近英偉達(dá)內(nèi)部研發(fā)團(tuán)隊(duì)的知情人士透露，初代SOCAMM雖在2024年完成初步設(shè)計(jì)與小范圍測試，但在實(shí)際部署中暴露出與現(xiàn)有系統(tǒng)架構(gòu)兼容性不足、功耗控制未達(dá)預(yù)期以及內(nèi)存帶寬擴(kuò)展性受限等問題。盡管該產(chǎn)品在概念階段被視為突破傳統(tǒng)內(nèi)存瓶頸的創(chuàng)新方案，但其性能提升幅度未能滿足英偉達(dá)對下一代AI工作負(fù)載的嚴(yán)苛要求。 “我們始終堅(jiān)持以性能與效率為核心驅(qū)動(dòng)力，”英偉達(dá)高級副總裁兼硬件工程總經(jīng)理艾倫·馬科維茨在一份內(nèi)部備忘錄中表示，“經(jīng)過全面評估，我們認(rèn)定SOCAMM2在架構(gòu)設(shè)計(jì)、信號完整性和能效比方面實(shí)現(xiàn)了代際飛躍，具備支撐未來十年AI與高性能計(jì)算需求的潛力。因此，公司決定集中資源，跳過初代產(chǎn)品的商業(yè)化階段，直接進(jìn)入SOCAMM2的規(guī)模化部署。” SOCAMM2采用全新設(shè)計(jì)的堆疊式內(nèi)存接口，支持更高頻率的LPDDR6X內(nèi)存顆粒，并通過集成先進(jìn)電源管理單元（PMU）與片上網(wǎng)絡(luò)（NoC）優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)相較于傳統(tǒng)SO-DIMM方案高達(dá)3.2倍的帶寬提升與47%的能耗降低。此外，該模塊將首次引入英偉達(dá)自研的“記憶協(xié)同緩存協(xié)議”（MCCP），使GPU與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)調(diào)度延遲降低至納秒級，為大型語言模型訓(xùn)練與實(shí)時(shí)推理任務(wù)提供關(guān)鍵支撐。 行業(yè)分析師指出，英偉達(dá)此舉雖意味著前期研發(fā)投入的階段性沉沒，但反映出其對市場節(jié)奏與技術(shù)路線的精準(zhǔn)把控。隨著AMD、英特爾等競爭對手加速推進(jìn)CXL與HBM整合方案，英偉達(dá)通過跳過過渡性產(chǎn)品、直接推出具備顛覆性優(yōu)勢的SOCAMM2，有望在下一代AI服務(wù)器與邊緣設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)制定中占據(jù)主導(dǎo)地位。 據(jù)悉，SOCAMM2已進(jìn)入最終驗(yàn)證階段，預(yù)計(jì)將于2026年第二季度伴隨英偉達(dá)下一代Blackwell Ultra架構(gòu)GPU同步發(fā)布。首批合作伙伴包括戴爾、超微、聯(lián)想等全球主要服務(wù)器制造商，產(chǎn)品將優(yōu)先應(yīng)用于AI訓(xùn)練集群、自動(dòng)駕駛車載計(jì)算平臺及高密度邊緣推理節(jié)點(diǎn)。 英偉達(dá)表示，未來六個(gè)月將啟動(dòng)“SOCAMM2 Ready”生態(tài)計(jì)劃，向開發(fā)者與OEM廠商開放早期樣品、參考設(shè)計(jì)套件及性能調(diào)優(yōu)工具，以加速新模塊的行業(yè)普及。公司同時(shí)承諾，將為此前參與初代SOCAMM測試項(xiàng)目的合作伙伴提供無縫遷移支持，確保技術(shù)過渡期間的系統(tǒng)穩(wěn)定性與兼容性。 |
