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英偉達戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向:放棄SOCAMM初代推廣,全力押注SOCAMM2新一代內(nèi)存模塊

發(fā)布時間:2025-9-16 11:08    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 英偉達 , SOCAMM , 內(nèi)存
英偉達公司今日正式宣布,已決定取消對其第一代系統(tǒng)級芯片附加內(nèi)存模塊(SOCAMM)的推廣計劃,轉(zhuǎn)而將技術(shù)開發(fā)重心全面聚焦于其繼任產(chǎn)品——SOCAMM2。

據(jù)接近英偉達內(nèi)部研發(fā)團隊的知情人士透露,初代SOCAMM雖在2024年完成初步設(shè)計與小范圍測試,但在實際部署中暴露出與現(xiàn)有系統(tǒng)架構(gòu)兼容性不足、功耗控制未達預(yù)期以及內(nèi)存帶寬擴展性受限等問題。盡管該產(chǎn)品在概念階段被視為突破傳統(tǒng)內(nèi)存瓶頸的創(chuàng)新方案,但其性能提升幅度未能滿足英偉達對下一代AI工作負載的嚴苛要求。

“我們始終堅持以性能與效率為核心驅(qū)動力,”英偉達高級副總裁兼硬件工程總經(jīng)理艾倫·馬科維茨在一份內(nèi)部備忘錄中表示,“經(jīng)過全面評估,我們認定SOCAMM2在架構(gòu)設(shè)計、信號完整性和能效比方面實現(xiàn)了代際飛躍,具備支撐未來十年AI與高性能計算需求的潛力。因此,公司決定集中資源,跳過初代產(chǎn)品的商業(yè)化階段,直接進入SOCAMM2的規(guī);渴稹!

SOCAMM2采用全新設(shè)計的堆疊式內(nèi)存接口,支持更高頻率的LPDDR6X內(nèi)存顆粒,并通過集成先進電源管理單元(PMU)與片上網(wǎng)絡(luò)(NoC)優(yōu)化,實現(xiàn)相較于傳統(tǒng)SO-DIMM方案高達3.2倍的帶寬提升與47%的能耗降低。此外,該模塊將首次引入英偉達自研的“記憶協(xié)同緩存協(xié)議”(MCCP),使GPU與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)調(diào)度延遲降低至納秒級,為大型語言模型訓練與實時推理任務(wù)提供關(guān)鍵支撐。

行業(yè)分析師指出,英偉達此舉雖意味著前期研發(fā)投入的階段性沉沒,但反映出其對市場節(jié)奏與技術(shù)路線的精準把控。隨著AMD、英特爾等競爭對手加速推進CXL與HBM整合方案,英偉達通過跳過過渡性產(chǎn)品、直接推出具備顛覆性優(yōu)勢的SOCAMM2,有望在下一代AI服務(wù)器與邊緣設(shè)備標準制定中占據(jù)主導地位。

據(jù)悉,SOCAMM2已進入最終驗證階段,預(yù)計將于2026年第二季度伴隨英偉達下一代Blackwell Ultra架構(gòu)GPU同步發(fā)布。首批合作伙伴包括戴爾、超微、聯(lián)想等全球主要服務(wù)器制造商,產(chǎn)品將優(yōu)先應(yīng)用于AI訓練集群、自動駕駛車載計算平臺及高密度邊緣推理節(jié)點。

英偉達表示,未來六個月將啟動“SOCAMM2 Ready”生態(tài)計劃,向開發(fā)者與OEM廠商開放早期樣品、參考設(shè)計套件及性能調(diào)優(yōu)工具,以加速新模塊的行業(yè)普及。公司同時承諾,將為此前參與初代SOCAMM測試項目的合作伙伴提供無縫遷移支持,確保技術(shù)過渡期間的系統(tǒng)穩(wěn)定性與兼容性。
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