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根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）與日本半導(dǎo)體設(shè)備協(xié)會(huì)（SEAJ）聯(lián)合發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度全球半導(dǎo)體制造設(shè)備支出總額達(dá)330.7億美元，較2024年同期增長(zhǎng)23%，環(huán)比增長(zhǎng)3%。這一數(shù)據(jù)不僅刷新了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的季度紀(jì)錄，更凸顯出全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）及先進(jìn)存儲(chǔ)需求驅(qū)動(dòng)下的強(qiáng)勁復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。 全球市場(chǎng)：亞洲領(lǐng)漲，先進(jìn)制程與封裝技術(shù)成核心引擎 SEMI分析指出，本季度設(shè)備支出增長(zhǎng)主要受益于三大因素：一是先進(jìn)邏輯制程（如3nm/2nm）的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，二是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）相關(guān)DRAM應(yīng)用的爆發(fā)式需求，三是亞洲地區(qū)（尤其是中國(guó)大陸和中國(guó)臺(tái)灣）的產(chǎn)能建設(shè)加速。其中，中國(guó)臺(tái)灣以87.7億美元的支出躍居全球第二，同比增長(zhǎng)125%，臺(tái)積電作為主要推動(dòng)者，其2025年上半年資本支出較去年同期激增62%，重點(diǎn)布局CoWoS等先進(jìn)封裝產(chǎn)能。韓國(guó)則以59.1億美元位列第三，三星、SK海力士對(duì)HBM3/HBM3E的投入帶動(dòng)設(shè)備需求攀升。 相比之下，北美市場(chǎng)表現(xiàn)分化。盡管2024年第四季度曾以49.8億美元支出領(lǐng)跑全球，但2025年受英特爾俄亥俄州晶圓廠竣工延期（從2025年推遲至2031年）、美光紐約工廠動(dòng)工推遲（從2024年6月推遲至2025年底）等影響，第二季度支出降至27.6億美元，環(huán)比下降41%。歐洲市場(chǎng)同樣承壓，支出同比下滑23%至7.2億美元。 中國(guó)大陸：份額首破三分之一，國(guó)產(chǎn)替代加速 中國(guó)大陸以113.6億美元的支出規(guī)模連續(xù)兩個(gè)季度位居全球第一，占全球市場(chǎng)份額的34.4%，較2024年同期提升7個(gè)百分點(diǎn)，首次突破三分之一。盡管環(huán)比小幅下滑2%，但環(huán)比增長(zhǎng)11%，顯示出本土產(chǎn)業(yè)鏈的韌性。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha特別強(qiáng)調(diào)：“中國(guó)大陸市場(chǎng)貢獻(xiàn)了2025年上半年全球半導(dǎo)體設(shè)備逾6成的收入，其需求強(qiáng)度與自給率提升形成雙重驅(qū)動(dòng)�！� 本土設(shè)備商的業(yè)績(jī)表現(xiàn)印證了這一趨勢(shì)。華海清科2025年上半年?duì)I收同比增長(zhǎng)30.28%，歸母凈利潤(rùn)增長(zhǎng)16.82%，在CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）設(shè)備領(lǐng)域的市場(chǎng)份額持續(xù)擴(kuò)大；華峰測(cè)控營(yíng)收同比激增40.99%，凈利潤(rùn)增長(zhǎng)74.04%，其EXCEED-9000系列探針臺(tái)在AI服務(wù)器芯片測(cè)試中占據(jù)主導(dǎo)地位；長(zhǎng)川科技營(yíng)收同比增長(zhǎng)41.80%，凈利潤(rùn)增長(zhǎng)98.73%，通過聚焦SoC測(cè)試機(jī)等高端產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。 技術(shù)賽道：先進(jìn)封裝與量檢測(cè)設(shè)備成新增長(zhǎng)極 隨著AI芯片對(duì)算力與能效比的極致追求，先進(jìn)封裝技術(shù)（如CoWoS、3D SoIC）成為行業(yè)焦點(diǎn)。Yole Group預(yù)測(cè)，2030年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模將突破794億美元，2024-2030年復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)9.5%。這一趨勢(shì)直接帶動(dòng)了前道工藝設(shè)備（如TSV刻蝕、電鍍、混合鍵合）的需求，盛美上海、拓荊科技等企業(yè)通過“跨賽道”布局搶占市場(chǎng)。例如，拓荊科技推出的三維集成鍵合設(shè)備已進(jìn)入量產(chǎn)階段，北方華創(chuàng)則提供HBM制造全流程設(shè)備解決方案。 量檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域雖仍處于研發(fā)投入期，但技術(shù)突破已現(xiàn)端倪。中科飛測(cè)2025年上半年?duì)I收同比增長(zhǎng)51.39%，盡管凈利潤(rùn)虧損1835萬元，但較2024年同期大幅收窄73%；精測(cè)電子通過擴(kuò)充研發(fā)團(tuán)隊(duì)，在晶圓缺陷檢測(cè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)國(guó)產(chǎn)化。業(yè)內(nèi)專家指出，量檢測(cè)設(shè)備直接決定芯片良率，隨著28nm以下制程的擴(kuò)產(chǎn)，其市場(chǎng)空間有望在2026年后加速釋放。 未來展望：資本支出分化，技術(shù)主權(quán)競(jìng)爭(zhēng)加劇 SEMI預(yù)測(cè)，2025年全球半導(dǎo)體資本支出將達(dá)1600億美元，同比增長(zhǎng)3%，但區(qū)域與企業(yè)間分化加劇。臺(tái)積電預(yù)計(jì)全年資本支出在380億至420億美元之間，2026年或增至450億美元；而英特爾則計(jì)劃削減2026年資本支出至180億美元以下。地緣政治因素進(jìn)一步復(fù)雜化競(jìng)爭(zhēng)格局，美國(guó)《芯片法案》資金分配爭(zhēng)議、歐盟《芯片法案》落地緩慢，與中國(guó)大陸“自主可控”戰(zhàn)略形成鮮明對(duì)比。 在這場(chǎng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重構(gòu)中，中國(guó)大陸企業(yè)正通過“成熟制程鞏固+先進(jìn)制程突破”的雙軌策略，逐步縮小與國(guó)際巨頭的差距。北方華創(chuàng)躋身全球設(shè)備商前十、中微公司刻蝕設(shè)備進(jìn)入5nm產(chǎn)線、上海微電子28nm光刻機(jī)驗(yàn)證進(jìn)展，均標(biāo)志著本土產(chǎn)業(yè)鏈已進(jìn)入從“量變”到“質(zhì)變”的關(guān)鍵階段。 |
