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該公司正在與英偉達(dá)(NVIDIA)合作開(kāi)發(fā)800VDC供電架構(gòu)；新發(fā)布的白皮書(shū)剖析了1250V PowiGaN技術(shù)相較于650V GaN和1200V SiC的優(yōu)勢(shì) Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書(shū)，詳解其PowiGaN氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來(lái)的顯著優(yōu)勢(shì)。這份白皮書(shū)發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目全球峰會(huì)(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會(huì)上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進(jìn)展進(jìn)行了說(shuō)明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動(dòng)向800VDC供電和兆瓦級(jí)機(jī)架的轉(zhuǎn)型。 
新白皮書(shū)闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì)，展示了其經(jīng)過(guò)實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿(mǎn)足800VDC架構(gòu)的功率密度和效率要求(>98%)的能力。此外，該白皮書(shū)還表明，與堆疊式650V GaN FET和同等的1200V SiC器件相比，單個(gè)1250V PowiGaN開(kāi)關(guān)可提供更高的功率密度和效率。 該白皮書(shū)還重點(diǎn)介紹了Power Integrations的InnoMux 2-EP IC，它是適用于800VDC數(shù)據(jù)中心輔助電源的獨(dú)特解決方案。InnoMux-2器件內(nèi)集成的1700V PowiGaN開(kāi)關(guān)支持1000VDC輸入電壓，其SR ZVS工作模式在液冷無(wú)風(fēng)扇的800VDC架構(gòu)中可為12V系統(tǒng)提供超過(guò)90.3%的效率。 Power Integrations產(chǎn)品開(kāi)發(fā)副總裁Roland Saint-Pierre表示：“隨著人工智能對(duì)電力需求的不斷增長(zhǎng)，采用800VDC輸入方案可簡(jiǎn)化機(jī)架設(shè)計(jì)、提高空間利用效率并減少銅材用量。隨著機(jī)架電力需求的不斷攀升，我們認(rèn)為1250V和1700V PowiGaN器件是主電源和輔助電源的理想選擇，它們能夠滿(mǎn)足800VDC數(shù)據(jù)中心所需的效率、可靠性和功率密度要求。” Power Integrations作為已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)1250V和1700V高壓GaN開(kāi)關(guān)的重點(diǎn)供應(yīng)商，于2018年推出首款GaN IC，目前已有超過(guò)1.75億個(gè)GaN開(kāi)關(guān)應(yīng)用于各類(lèi)終端產(chǎn)品，涵蓋快速充電器、數(shù)據(jù)中心及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。 如需詳細(xì)了解有關(guān)Power Integrations面向AI數(shù)據(jù)中心的PowiGaN技術(shù)，并獲取題為《1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用》的白皮書(shū)，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)https://www.power.com/ai-data-center。要閱讀NVIDIA關(guān)于800VDC架構(gòu)的技術(shù)博客，請(qǐng)單擊此處。 |
