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代工巨頭臺積電董事長兼首席執(zhí)行官張忠謀日前承認(rèn)，公司在28納米節(jié)點確實遭遇了一些問題，但是是產(chǎn)能而非良率問題。他在臺積電年度技術(shù)研討會上表示，臺積電28納米工藝的產(chǎn)量從一開始就在公司的預(yù)測范圍內(nèi)。 “是的，我們確實在28納米節(jié)點上有一些困難，但主要困難是沒有足夠的產(chǎn)能，而不是良率，”張忠謀說。 他承認(rèn)，臺積電一直陷于28納米節(jié)點工藝良率問題的傳言中。今年一月，F(xiàn)uture Horizons公司的技術(shù)分析師Mike Bryant說臺積電28納米工藝出現(xiàn)了問題，工藝良率不是很好。上個月，未經(jīng)證實的傳言說臺積電在二月份關(guān)閉了28納米產(chǎn)線。當(dāng)時，臺積電拒絕對此發(fā)表評論，同時也表示‘28納米工藝’一切正常。 張忠謀表示，公司對28納米產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)張投資緩解了產(chǎn)能危機(jī)。他指出，臺積電2012年計劃投入超過70億美元的資本支出，這一支出在2011年是約70億，2012年50億，2009年20億。 “隨著新產(chǎn)能即將上線，我相信最壞的時代已經(jīng)過去了，”張表示。 臺灣IT媒體Digitimes在近日的報道中說，由于擔(dān)心臺積電緊張的28納米產(chǎn)能，臺積電的兩個忠實客戶美國高通公司和Nvidia公司正在接洽其他代工廠。截至本篇文章發(fā)稿時，證實聯(lián)電已確定拿下高通訂單。 20nm節(jié)點將只提供單一工藝 另外臺積電還表示，將在20nm節(jié)點提供單一工藝，這與該公司過去針對不同工藝節(jié)點均提供多種工藝服務(wù)的策略稍有不同。 在臺積電年度技術(shù)研討會上，該公司執(zhí)行副總裁暨共同運(yùn)營長蔣尚義表示，若光刻技術(shù)無法讓14nm工藝達(dá)到合理的成本效益，那么臺積電可能會在20nm工藝之后再提供18nm或16nm工藝節(jié)點。 蔣尚義表示，臺積電最初計劃提供兩種20nm工藝，分別為高性能工藝與低功耗工藝。這兩種工藝都采用high-k金屬柵極(HKMG)技術(shù)。 然而，在歷經(jīng)一段時間的發(fā)展后，蔣尚義表示，臺積電認(rèn)為這兩種20nm工藝之間并沒有明顯的性能差距。由于20nm的線寬非常小，已經(jīng)接近基本的物理極限了，因此也沒有太大空間針對不同的柵極長度或其他需求來調(diào)整設(shè)計規(guī)則。 臺積電目前提供四種28nm工藝，分別為：高性能；低功耗；針對移動應(yīng)用的HKMG低功耗工藝，以及HKMG高性能工藝。 臺積電預(yù)計明年量產(chǎn)20nm HKMG工藝。2015年，臺積電希望能量產(chǎn)采用FinFET 3D晶體管的14nm工藝。 然而，整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都在等待超紫外光(EUV)光刻技術(shù)。EUV技術(shù)一再延宕，迄今仍未能發(fā)展出大量生產(chǎn)所需的足夠光源和穩(wěn)定性。光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML Holding NV公司正與數(shù)家光源供應(yīng)商合作開發(fā)，并承諾在2013至2014年將可提供商用化所需的足夠的吞吐量。 然而，不少業(yè)界人士對于EUV技術(shù)能否支持臺積電和其他領(lǐng)先芯片制造商的技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖抱持懷疑態(tài)度。蔣尚義指出，193nm浸入式光刻領(lǐng)域已經(jīng)展現(xiàn)出長足進(jìn)展，它甚至可能在14nm節(jié)點作為商用化的替代技術(shù)。然而，蔣尚義也表示，為了提供足夠銳利的影像，193nm浸入式光刻針對某些層會需要三重曝光，而針對大多數(shù)的層都會需要雙重曝光，這會讓量產(chǎn)成本急遽升高。 蔣尚義表示，臺積電“正在慎重考慮”是否提供18nm或16nm工藝�！耙坏┪覀冞x擇這個節(jié)點，我們就必須為客戶提供至少10年的服務(wù)�！� |
