位于西班牙巴塞羅那的創(chuàng)業(yè)公司Baolab微系統(tǒng)聲稱，他們開(kāi)發(fā)出了一種生產(chǎn)技術(shù)，可以用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS流程來(lái)制造MEMS芯片。Baolab的CEO David Doyle說(shuō)，該技術(shù)涉及在互聯(lián)層內(nèi)刻蝕IMD層。與現(xiàn)有MEMS生產(chǎn)技術(shù)相比，新技術(shù)將大幅降低生產(chǎn)成本。
NanoEMS工藝能以200nm線寬生產(chǎn)MEMS器件(Source: Baolab) Doyle說(shuō)，在過(guò)去的十年內(nèi)，該公司重復(fù)可靠地刻蝕掉金屬間的介質(zhì)層。該方法采用蒸汽氫氟酸（HF）刻蝕，但他回避具體細(xì)節(jié)。他說(shuō)，有些聲稱采用CMOS工藝的MEMS廠商實(shí)際上是在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶片之上制造MEMS。這種MEMS-on-CMOS方法增加成本，而B(niǎo)aolab則可以在薄薄的鋁互聯(lián)層內(nèi)制造MEMS�？涛g使用已經(jīng)大量生產(chǎn)的設(shè)備進(jìn)行，僅需不到一小時(shí)，與整個(gè)生產(chǎn)過(guò)程所需時(shí)間相比微不足道。因?yàn)橹贿m用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，MEMS可以直接與所需的有源電路集成在一起。 Baolab已經(jīng)成功地用標(biāo)準(zhǔn)180納米工藝在200毫米直徑晶片上生產(chǎn)出四個(gè)以上金屬層的MEMS器件，最小線寬達(dá)到200納米。這比目前常規(guī)MEMS器件小了一個(gè)數(shù)量級(jí)，把NanoEMS帶到納米結(jié)構(gòu)領(lǐng)域，附帶的好處包括更小的尺寸、更低的功耗和更快的器件。這種器件可以像普通的CMOS器件一樣進(jìn)行封裝。
有些公司在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶片之上制造MEMS，而B(niǎo)aolab則在金屬層內(nèi)制造MEMS 嵌入式公社編譯 |
