|
作者：范偉---Multicore DSP / FAE，TI公司 摘要 LTE 下行控制信道分為 PCFICH、PHICH 和 PDCCH 三類，PDCCH 是其中處理復(fù)雜度最高的。和下行數(shù)據(jù)信道 PDSCH 相比，下行控制信道承載的凈荷較少、占用的 OFDM 符號數(shù)較少、傳輸模式也僅限于發(fā)射分集，理應(yīng)占用更少的 DSP 核處理資源。但如下兩個因素導(dǎo)致用戶的實現(xiàn)可能消耗可觀的 DSP 核資源：PHICH/PDCCH 的物理資源映射規(guī)則比PDSCH 更復(fù)雜、顆粒度更小，如果在每個下行子幀按照協(xié)議描述實時完成該映射所涉及的所有計算，消耗的核資源將非�？捎^；BCP 用戶手冊對 PDCCH 的描述較少，用戶不易自行補全所有細節(jié)并產(chǎn)生高效方案，導(dǎo)致用戶可能退而采用全軟方案。另外，小基站應(yīng)用通常對全系統(tǒng)功耗和成本有很高的要求，需要盡可能降低處理負載。本文給出了將實時計算量降至最低的物理資源映射實現(xiàn)方法，以及用 BCP 實現(xiàn) PDCCH 比特級處理的方案細節(jié)，并提供了全面的硬件實測負載。 1、引言 LTE（Long Term Evolution）是由 3GPP 組織制定的 3G 演進標準，在物理層采用 OFDM和MIMO 技術(shù)。LTE 分為 FDD 和 TDD 兩種雙工模式。目前，LTE-FDD 在 20MHz 頻譜帶寬下的實際速率大約能達到下行 100Mbps、上行 50Mbps。LTE-TDD（國內(nèi)通常稱為 TD-LTE）的實際速率會隨上、下行子幀的配比關(guān)系而變化。 [1][2][3][4]是主要的幾個 LTE 物理層協(xié)議文本。[1]描述了上、下行發(fā)射機從星座點調(diào)制到基帶信號上變頻之間的處理步驟，通常稱為符號級處理。[2]描述了星座點調(diào)制之前的處理步驟，通常稱為比特級處理。[3]描述了各種物理層過程。[4]描述了各種物理層測量。 LTE 的上行信道包括用來傳輸數(shù)據(jù)和物理層隨路控制信令的 PUSCH，專門用來傳輸物理層控制信令的 PUCCH，以及用于隨機接入的 PRACH。下行信道包括用來傳輸數(shù)據(jù)的 PDSCH，用來傳輸各種物理層控制信令的三類控制信道——PCFICH、PHICH 和 PDCCH。本文描述的正是這三類下行控制信道的發(fā)射機基帶實現(xiàn)。 TI 推出了一系列用于 LTE 基站基帶處理的 SoC（System On Chip）。這些 SoC 基于 TI 的KeyStone 架構(gòu)，該架構(gòu)目前已演進了兩代——KeyStone I 和 KeyStone II。KeyStone I 家族基于40nm 工藝，包括如下基帶 SoC 器件型號： • TCI6616，詳細資料參見[5] • TCI6618，詳細資料參見[6] • TCI6614 和 TCI6612，詳細資料參見[7]和[8] • TMS320C6670，詳細資料參見[9] KeyStone II 家族基于 28nm 工藝，包括如下基帶 SoC 器件型號： • TCI6636K2H，詳細資料參見[10] • TCI6634K2K，詳細資料參見[11] • TCI6638K2K，詳細資料參見[12] • TCI6630K2L，詳細資料參見[13] 所有這些器件都具有多模能力，支持 GSM/EDGE、WCDMA、TD-SCDMA、WiMAX、LTE 的單模實現(xiàn)或混模實現(xiàn)。所有這些器件使用的 DSP 核都是 c66x，但個數(shù)不同。TCI6614 和 TCI6612帶一顆 ARM Cortex A8，TCI6636K2H 和 TCI6638K2K 帶 4 顆 ARM Cortex A15，TCI6630K2L帶 2 顆 A15，它們除支持物理層以外，還支持高層（層 2，層 3）和傳輸處理。這些器件也可用于基于 OFDM的無線回傳（wireless backhaul），如 LTE relay 站。 本文介紹如何在上述 KeyStone 器件上高效地實現(xiàn) LTE 下行控制信道的基帶發(fā)射。注意，TCI6616 不帶 BCP 加速器，和 BCP 相關(guān)的描述不適合 TCI6616。 下載全文： 
在 KeyStone 器件上實現(xiàn)高效的 LTE 下行控制信道基帶發(fā)射.pdf
(1.67 MB)
|
