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曾經(jīng)，先進(jìn)的制造工藝是Intel狠狠壓制AMD乃至整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的絕對(duì)大殺器，但現(xiàn)在完全反了過來。Intel 14nm工藝遭遇前所未有危機(jī)，至今未能量產(chǎn)，而臺(tái)積電、三星一路狂奔，10nm、7nm、5nm相繼上馬。雖然不同家的工藝技術(shù)不能完全看一個(gè)單純的數(shù)字，但不得不承認(rèn)Intel確實(shí)被越甩越遠(yuǎn)。 GlobalFoundries放棄7nm、5nm先進(jìn)工藝研發(fā)后，AMD轉(zhuǎn)向了臺(tái)積電，這次算是傍上了大樹，接下來的從桌面到服務(wù)器再到筆記本，從處理器到顯卡，統(tǒng)統(tǒng)都是臺(tái)積電7nm。 7nm之后，臺(tái)積電更是還有7nm+ EUV、6nm、5nm，可以讓AMD隨意選擇，AMD路線圖上的再下代架構(gòu)Zen 3一直標(biāo)注著7nm+工藝，一直讓人遐想。 臺(tái)積電7nm工藝有兩代，目前是采用傳統(tǒng)DUV光刻的第一代（N7），第二代（N7+）則會(huì)首次上EUV極紫外光刻，已經(jīng)開始試產(chǎn)，明年就能量產(chǎn)，可將晶體管密度提升20%，能效提升10%。 不過，我們一直不能確定AMD Zen 3架構(gòu)所用的7nm+，是泛指比7nm更新的工藝，還是臺(tái)積電口中的升級(jí)版二代7nm，但無論哪一種，結(jié)合新架構(gòu)都會(huì)帶來極大的提升。 更讓人激動(dòng)的是5nm工藝，臺(tái)積電已經(jīng)開始試產(chǎn)，將于2020年底之前量產(chǎn)，如果Zen 4架構(gòu)能夠用上，恐怕Intel是別想翻身了。 按照臺(tái)積電的說法，5nm相比于7nm可以將晶體管密度增加多達(dá)80%，整體性能提升15%，同時(shí)核心面積縮小45%。 雖然這是在ARM A72核心上得到的數(shù)據(jù)，AMD Zen上應(yīng)該不會(huì)這么多，但如果真的Zen 4、5nm雙劍合璧，簡(jiǎn)直不敢想象結(jié)果會(huì)有多美。 當(dāng)然還有6nm工藝可選，明年第一季度試產(chǎn)，相比7nm晶體管密度可提升18%，而且平臺(tái)完全兼容7nm，升級(jí)遷移更加容易。 |
