英飛凌OptiMOS 3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節(jié)省空間的SuperSO8封裝，與先前型號相比，具有更高的功率密度和穩(wěn)健性，從而降低系統(tǒng)成本和提升整體性能。客戶可以訪問儒卓力電子商務平臺www.rutronik24.com.cn了解有關OptiMOS BiC功率MOSFET產品信息。
由于具有最低的導通電阻(RDS(on))，這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外，通管殼(Junction to Case (RthJC)) 的較低熱阻提供了出色的散熱性能，從而帶來更低的滿載運作溫度。較低的反向恢復電荷(Qrr)通過顯著減小電壓過沖來提高系統(tǒng)可靠性，從而最大限度地減少對緩沖電路的需求，同時也減少了工程成本和工作量。 這些BiC MOSFET器件的額定溫度為175°，有助于實現(xiàn)在更高的工作結溫下具有更高功率，或者在相同的工作結溫下具有更長使用壽命的設計。此外，隨著額定溫度的增加，安全工作區(qū)域(SAO)亦改善了20%。 這些BiC MOSFET具有出色的性能數據，非常適合電信、服務器、三相逆變器、低壓驅動器以及D類音頻等應用。英飛凌OptiMOS BiC功率MOSFET產品系列包括60V至250V型款。 客戶可以在儒卓力電子商務平臺www.rutronik24.com.cn 上找到有關英飛凌OptiMOS BiC功率MOSFET產品系列的更多信息，還可以直接下訂單： https://www.rutronik24.com.cn/se ... %20TMOS2542/reset:0 如需了解更多有關信息，請聯(lián)系英飛凌代理商Rutronik相關人員：Tommy Xie：+86 185 8825 1633 |
