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用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替換nvSRAM的一般注意事項(xiàng) 每次使用MRAM進(jìn)行寫操作都會(huì)立即保持至少20年的非易失性。沒有數(shù)據(jù)從易失性存儲(chǔ)單元傳輸?shù)椒且资源鎯?chǔ)單元，也沒有外部電容器或備用電池。消除了外部組件，高度可靠的數(shù)據(jù)保留以及35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時(shí)間，使Everspin MRAM成為替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行選擇，而不會(huì)影響系統(tǒng)性能。 EVERSPIN內(nèi)存 Everspin是商業(yè)上可行的MRAM技術(shù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin MRAM產(chǎn)品出現(xiàn)在數(shù)百個(gè)需要高速，可靠，非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用中。 MR2A16A與CY14B104NA的比較 Everspin MRAM解決方案提供： •始終非易失。沒有不可靠的電容器相關(guān)備用周期 •不需要Vcap或Vbatt •立即斷電（<1ns），無數(shù)據(jù)丟失 •沒有復(fù)雜的軟件存儲(chǔ)/調(diào)用例程 •快速啟動(dòng)時(shí)間（2ms和20ms） •無限的讀寫周期-無磨損問題 •20年數(shù)據(jù)保留，無循環(huán)依賴 •更少的組件意味著更小的設(shè)計(jì)尺寸和更低的BOM成本 •直接替代賽普拉斯NV-SRAM 兼容性 Everspin MR2A16AxYS35（44-TSOP2）和MR2A16AxMA35（FBGA）存儲(chǔ)器的引腳，時(shí)序和封裝分別與CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。 時(shí)序兼容性 Everspin MRAM和nvSRAM都具有標(biāo)準(zhǔn)的兼容異步SRAM時(shí)序。但是MRAM即使在斷電后無限制的時(shí)間和整個(gè)溫度循環(huán)中也可以保留數(shù)據(jù)。 MRAM具有35 ns的讀/寫周期時(shí)間，與類似的nvSRAM速度等級(jí)選項(xiàng)兼容。 請務(wù)必注意，Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持時(shí)間，從寫使能（和芯片使能）高到地址無效。大多數(shù)微處理器可以容納這個(gè)保持時(shí)間。 |
