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幫助工程師理解新一代半導(dǎo)體材料的特性和實(shí)際應(yīng)用，消除測(cè)試痛點(diǎn) 泰克針對(duì)半導(dǎo)體材料與器件科學(xué)的云課堂即將開(kāi)播，這一場(chǎng)專門(mén)針對(duì)半導(dǎo)體材料的知識(shí)盛宴分為兩季，第一季以納米材料、二維材料、量子材料、憶阻器器件為主角，第二季以寬禁帶半導(dǎo)體、功率IGBT、MEMS測(cè)試、MOSFET測(cè)試、半導(dǎo)體器件可靠性HCI/NBTI測(cè)試為主題。預(yù)約直播http://live.vhall.com/873582375。 半導(dǎo)體材料的發(fā)展經(jīng)過(guò)以硅Si、鍺Ge為主的第一代和以砷化鎵GaAs、磷化銦InP為代表的第二代，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到以氮化鎵GaN、碳化硅SiC為熱點(diǎn)的第三代。第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)，滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻及抗輻射等惡略條件的新要求。 每一次半導(dǎo)體材料的突破帶來(lái)的是一系列技術(shù)革新，也使尖端的新型器件研發(fā)面世成為可能。3D Flash存儲(chǔ)器，人工智能芯片，MEMS/傳感器芯片，GaN/SiC 功率半導(dǎo)體器件在前所未有的應(yīng)用領(lǐng)域，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。新應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)，新材料特性，新設(shè)計(jì)和測(cè)試方式，新生產(chǎn)工藝流程，新半導(dǎo)體流片技術(shù)對(duì)測(cè)試設(shè)備和技術(shù)帶來(lái)持續(xù)挑戰(zhàn)。 第一季的第一講將于4月29日14：30-15：45開(kāi)播，題目為“納米材料及納米電子器件IV和CV（直流基本參數(shù)）測(cè)試”。納米材料指的是三維空間尺度至少有一維處于納米量級(jí)(1-100nm)的材料，可以分為零維、一維、二維及三維納米材料。由于納米材料具有許多異于宏尺度材料的特性，被廣泛應(yīng)用于納米多種器件中。泰克公司在納米材料及納米電子器件電性能測(cè)科研測(cè)試領(lǐng)域中擁有很高的市場(chǎng)占有率，本直播將介紹如何應(yīng)對(duì)納米尺寸電性能測(cè)試的挑戰(zhàn)，如何選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)試儀器，以及納米電子器件IV/CV 特性測(cè)試演示。 在接下來(lái)的日子里，泰克云講堂將每月為您呈現(xiàn)兩期半導(dǎo)體材料知識(shí)的直播講座，每期都有不同的熱點(diǎn)知識(shí)輪番上演，為您開(kāi)啟新視界。泰克作為專業(yè)的測(cè)試平臺(tái)，將帶您從測(cè)試的角度，切分出六大類測(cè)試流程，去剖析并解決半導(dǎo)體從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)過(guò)程中帶來(lái)的一系列新問(wèn)題。 第一季直播課程：（4~6月） 納米材料及納米電子器件IV和CV（直流基本參數(shù)）測(cè)試 ：4月29日 二維材料/石墨烯及其電子器件IV和CV(直流基本參數(shù)）測(cè)試：5月15日 量子材料及超導(dǎo)材料電輸運(yùn)物性表征測(cè)試： 5月29日 憶阻器器件測(cè)試及Crossbar神經(jīng)元芯片陣列測(cè)試前瞻： 6月 第二季直播課程：（7~9月） 寬禁帶半導(dǎo)體（GaN/SiC）材料及器件測(cè)試 功率IGBT器件測(cè)試系統(tǒng)及自動(dòng)化簡(jiǎn)介 微機(jī)電系統(tǒng)MEMS測(cè)試概述 MOSFET的準(zhǔn)靜態(tài)CV/超低頻CV測(cè)試 半導(dǎo)體器件可靠性HCI/NBTI測(cè)試 |
