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美打壓國產(chǎn)芯片再出新招!擬逮捕福建晉華前總裁陳正坤等人

發(fā)布時間:2020-6-29 19:27    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 聯(lián)電 , 晉華 , DRAM
新智元報道

來源:Bloomberg

編輯:夢佳、雅新

【新智元導(dǎo)讀】美國舊金山法院近日發(fā)出逮捕令,將涉嫌竊取美國儲存大廠美光DRAM技術(shù)商業(yè)機密的三位嫌疑人列入通緝名單。三人包括福建晉華前總裁陳正坤,以及臺灣聯(lián)華電子公司的兩位工程師何建廷和王永銘,他們均曾供職美光。

據(jù)彭博社6月26日報道,美國舊金山法院在當(dāng)?shù)貢r間6月24日發(fā)出逮捕令,將涉嫌竊取美國存儲大廠位于愛達荷州的美光DRAM技術(shù)商業(yè)機密的三位嫌疑人列入通緝名單。

三位嫌疑人當(dāng)中有一位是大陸芯片制造商福建晉華前臺灣籍總裁陳正坤,另外兩位是臺灣聯(lián)華電子公司的兩位工程師何建廷和王永銘,他們都曾在美光任職。

案件審理歷時兩年,如罪名成立涉案人最高15年徒刑

案件還要回溯到2018年,美國司法部以「經(jīng)濟間諜罪」向臺灣聯(lián)華電子、福建晉華兩家公司,以及晉華總經(jīng)理陳正坤以及其他兩位聯(lián)電主管,提起了刑事和民事訴訟,指控這三人涉嫌竊取美國DRAM技術(shù)商業(yè)機密。

此后,美方和當(dāng)事人律師之間一直在周旋,對當(dāng)事人的傳訊也一再推遲。

當(dāng)?shù)貢r間上周三就該案件進行了一場只有3分鐘的聽證會,涉案三人均未能參與庭審,舊金山的一位聯(lián)邦治安法官當(dāng)天發(fā)布了逮捕令。

檢方表示:「當(dāng)事人因為不同的理由,未能出庭。但對被告逐一發(fā)布逮捕令,是適當(dāng)?shù)男袆樱卜险!?br />
而就在兩周前,臺中法院對于美光起訴聯(lián)電竊取商業(yè)機密一案已經(jīng)進行了宣判。何建廷被判刑5年6個月,罰金500萬新臺幣;王永銘被判4年6個月,罰金400萬新臺幣;聯(lián)電協(xié)理戎樂天判刑6年6個月,罰金600萬新臺幣。

聯(lián)電被判處罰金1億新臺幣(約合人民幣2390萬元)。聯(lián)電當(dāng)時曾表示,將會提起上訴。

美國方面,一旦相關(guān)罪名成立,包括陳正坤等被起訴人將面臨經(jīng)濟間諜罪最重 15 年徒刑以及 500 萬美元罰款。另外,此案還涉及竊取營業(yè)秘密罪,涉案人面臨最重 10 年的徒刑。

值得注意的是,聯(lián)電和中國福建晉華一旦在美國被控罪名成立,可能面臨最高 200 億美元的罰款。

福建晉華方面表示「不認(rèn)罪」,聯(lián)電方面也一直在進行無罪辯護。

值得關(guān)注的是,陳正坤是臺灣DRAM界老將,17年出任福建晉華總經(jīng)理,協(xié)助建廠。在此之前,他還是聯(lián)電的副總經(jīng)理。

陳正坤原為美光公司2013年收購的一家電子公司瑞晶的總經(jīng)理兼董事長,后來成為美光公司在臺灣一家子公司美光記憶體股份有限公司 (MMT) 的總裁。這家子公司負(fù)責(zé)為美光公司制造25nm DRAM芯片。在2015年,陳正坤從MMT辭職后,加入聯(lián)電擔(dān)任副總。

陳正坤曾被問及為什么要加入聯(lián)電和中國大陸 DRAM 技術(shù)合作研發(fā)計劃,陳正坤曾表示,當(dāng)年瑞晶被美光兼并這件事對他的沖擊非常大,自主開發(fā) DRAM 技術(shù)一直是他心中的夢想。

美方對中方企業(yè)的發(fā)難已經(jīng)數(shù)見不鮮,此案背后的政治壓力可想而知。報道中指出,這三人都是臺灣公民,法律專家表示,他們沒有出庭美國法院的動機。中國大陸和臺灣和美國之間都沒有引渡條約。

美光與聯(lián)電、晉華糾葛始末

美光與聯(lián)電、晉華的訴訟案簡單回顧:



中國DRAM進口依賴度極高,被寄予厚望的福建晉華卻因「禁令」折戟

DRAM作為半導(dǎo)體中的重要器件,憑借體積小、價格低、集成度高、功耗低、讀寫速度快等優(yōu)勢,一直是適用于內(nèi)存最好的介質(zhì)。

自1966年至今已經(jīng)過去近50年,DRAM市場累計創(chuàng)造了超過1萬億美元產(chǎn)值。在過去的十年里,DRAM的市場份額一直維持在50%以上,充分體現(xiàn)了技術(shù)上的可擴展性和市場的巨大需求。

上個世紀(jì)70年代,英特爾提出了一種新的設(shè)計,將DRAM存儲器單元的晶體管從四個減少到三個,成功將存儲空間提升到1024個字節(jié)。這也就是我們?nèi)缃袼肈RAM的技術(shù)原型。

發(fā)展至今,DRAM三巨頭三星、海力士、美光呈現(xiàn)三足鼎立的態(tài)勢,2019年市場占率分別為50.9%、29.2%、18.5%。



美光1978年成立于美國,是全球最大的半導(dǎo)體儲存和影像產(chǎn)品制造商之一。中國市場為美光最為重要的海外市場。美光在中國上海擁有一家研發(fā)中心,并在西安建有工廠,負(fù)責(zé)測試和封裝業(yè)務(wù)。美光科技目前在中國擁有近2300名員工。

美光嵌入式解決方案市場營銷部副總裁Jeff Bader曾表示,存儲技術(shù)是美光科技的核心競爭力,多年來,美光銷售主要在亞洲市場,而中國市場則是重中之重。

中國是DRAM領(lǐng)域最大市場,進口依賴度極高,存在較大的國產(chǎn)替代空間。

隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,紫光國芯、福建晉華、合肥長鑫、長江存儲等國內(nèi)企業(yè)已逐漸躍入了公眾的視野。

目前,長鑫存儲已經(jīng)成為了國內(nèi)第一家DRAM供應(yīng)商,將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代 10nm 工藝級 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片。競爭對手紫光則計劃于 2021 年在重慶建成研發(fā)中心和 DRAM 晶圓廠。

晉華集成是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設(shè)立。一直以來,它專注于DRAM領(lǐng)域,與臺灣聯(lián)華電子開展技術(shù)合作。

福建晉華目前僅專注于利基型DRAM的生產(chǎn)制造,技術(shù)相對落后,首先導(dǎo)入的產(chǎn)品為25nm DRAM存儲器,在制程上大概落后三星3代左右。

原預(yù)估2018年9月正式投產(chǎn),到2019年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn)6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能,到2020年底一廠二期也將達產(chǎn)6萬片。并適時啟動二廠的建設(shè),到二廠達產(chǎn)時,總產(chǎn)能將達24萬片。

就在福建晉華即將投產(chǎn)之季,美光的訴訟接踵而至。2018年10月,美商務(wù)部還將晉華列入實體清單,使得該公司的生產(chǎn)計劃陷入停滯。2019年甚至傳出晉華或主動放棄DRAM,轉(zhuǎn)向晶圓代工,為了與美光和解?梢怨倬W(wǎng)看出自2018年10月試產(chǎn)投片后,公司大事記并無更新。



說起聯(lián)電,它是臺灣第一家半導(dǎo)體制造企業(yè),于1980年成立,比臺積電還要早成立七年,是真正意義上的臺灣半導(dǎo)體界開創(chuàng)者。

目前,聯(lián)電在成熟、特色工藝代工市場占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。但目前根據(jù)拓璞產(chǎn)業(yè)研究院公布的數(shù)據(jù)顯示,2019年聯(lián)電芯片代工市場份額約為7%,臺積電仍然是一騎絕塵,占到50%。而聯(lián)電在面板驅(qū)動IC領(lǐng)域的市場占率居全球首位,在有機發(fā)光二極管(OLED)驅(qū)動IC領(lǐng)域也居領(lǐng)先地位。

目前,聯(lián)電位列世界前五大晶圓代工廠之一,臺積電、三星、格芯、聯(lián)電、中芯國際

從這場刑事案件來看,檢方如果獲勝,則要從晉華和聯(lián)電沒收從美光「竊取」技術(shù)所制造的芯片和獲取的收入,并在長達5年的時間內(nèi)禁止使用美光的機密技術(shù)。

彭博報道中稱,對福建晉華的起訴阻礙了中國大規(guī)模生產(chǎn)存儲芯片的愿望。

此外,也有臺媒提出,美國此番發(fā)難,歸根結(jié)底是想采取新的策略,借此打壓中國大陸大規(guī)模生產(chǎn)芯片的能力。

目前此案仍在進行中。

參考鏈接:

https://zhuanlan.zhihu.com/p/94092768

https://wxn.qq.com/cmsid/20200627A0HBCP00

https://moore.live/news/231891/detail/

本文地址:http://www.54549.cn/thread-594629-1-1.html     【打印本頁】

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