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Rambus Inc.今天宣布推出Rambus HBM2E內(nèi)存接口子系統(tǒng)，該子系統(tǒng)包括一個完全集成的PHY和控制器，在三星先進(jìn)的14 / 11nm FinFET工藝上經(jīng)過硅驗證。 通過利用30多年的信號完整性專業(yè)知識，Rambus解決方案的運行速度高達(dá)3.2 Gbps，可提供410 GB / s的帶寬。 這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求，此類加速器針對性能要求最為嚴(yán)苛的AI / ML訓(xùn)練和高性能計算（HPC）應(yīng)用。 三星電子設(shè)計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說：“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起。AI和HPC系統(tǒng)的設(shè)計人員可以使用HBM2E內(nèi)存實現(xiàn)平臺設(shè)計，利用三星先進(jìn)的14 / 11nm工藝，以達(dá)到無與倫比的性能水平�！� 完全集成的，可投入生產(chǎn)的Rambus HBM2E內(nèi)存子系統(tǒng)以3.2 Gbps的速度運行，為設(shè)計人員在平臺實現(xiàn)上提供了很大的裕量空間。 Rambus和三星合作，通過利用三星的14/11nm工藝和先進(jìn)的封裝技術(shù)對HBM2E PHY和內(nèi)存控制器IP核進(jìn)行硅驗證。 Rambus IP部門總經(jīng)理Matt Jones表示：“由于硅片的運行速度高達(dá)3.2 Gbps，客戶可以為自己的設(shè)計留出足夠的余地來實現(xiàn)HBM2E存儲器子系統(tǒng)�？蛻魧⑹芤嬗谖覀兊娜嬷С�，其中包括2.5D封裝和中介層參考設(shè)計提供，有助于確�？蛻粢淮蔚轿怀晒崿F(xiàn)�！� Rambus HBM2E內(nèi)存接口（PHY和控制器）的優(yōu)點： • 通過單個HBM2E DRAM 3D器件實現(xiàn)每引腳3.2 Gbps的速度，提供410 GB / s的系統(tǒng)帶寬 • 硅HBM2E PHY和控制器完全集成并經(jīng)過驗證，可降低ASIC設(shè)計的復(fù)雜性并加快上市時間 • 作為IP授權(quán)的一部分，提供包含2.5D封裝和中介層參考設(shè)計 • 提供Rambus系統(tǒng)和SI / PI專家的技術(shù)支持，幫助ASIC設(shè)計人員確保設(shè)備和系統(tǒng)的最大信號與電源完整性 • 具有特色的LabStation™開發(fā)環(huán)境，可協(xié)助客戶回片后快速點亮系統(tǒng),校正和偵錯 • 支持高性能應(yīng)用程序，包括最先進(jìn)的AI / ML訓(xùn)練和高性能計算（HPC）系統(tǒng) 有關(guān)Rambus接口IP（包括我們的PHY和控制器）的更多信息，請訪rambus.com/interface-ip。 |
