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近日，長鑫存儲在內(nèi)存芯片領(lǐng)域取得重大進展。長鑫存儲成功實現(xiàn)DDR5內(nèi)存芯片的量產(chǎn)，并且良品率已達80%。 長鑫存儲自創(chuàng)立以來，專注于動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，其產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等眾多領(lǐng)域。此次DDR5內(nèi)存芯片的成功量產(chǎn)，標志著長鑫存儲在技術(shù)上邁出了堅實的步伐。即便在工藝受限只能采用DUV工藝制造的情況下，長鑫存儲通過G3工藝改良達成了這一成果。 目前，已有眾多DRAM模組廠商基于長鑫存儲的DDR5芯片推出高容量DDR5模塊，像金百達和光威等存儲品牌已經(jīng)在銷售標注為“國產(chǎn)DDR5”的內(nèi)存模塊，這也表明長鑫存儲的產(chǎn)品已經(jīng)被市場所接受并開始廣泛應用。 從制造工藝的角度看，長鑫存儲在DDR4制造方面積累了豐富經(jīng)驗，其DDR4芯片生產(chǎn)的良品率已在90%左右。長鑫存儲在合肥運營著兩間晶圓廠，F(xiàn)ab 1采用19nm工藝專門生產(chǎn)DDR4芯片，月產(chǎn)能為100,000片晶圓；Fab 2運用17nm工藝生產(chǎn)DDR5芯片，月產(chǎn)能為50,000片晶圓。并且其DDR5芯片良品率從最初量產(chǎn)時的50%提升到現(xiàn)在的80%，預計到2025年底，良品率還會進一步提升到90%的水平。 盡管長鑫存儲取得了顯著的進步，但與國際領(lǐng)先企業(yè)如三星和SK海力士等相比，仍存在一定差距。例如，三星和SK海力士等存儲器制造商已經(jīng)引入12nm工藝生產(chǎn)DDR5芯片，相比之下，長鑫存儲的產(chǎn)品在功耗和外形尺寸方面存在劣勢。 值得關(guān)注的是，長鑫存儲并未滿足于當前的成果。憑借在DDR5上的進展，長鑫存儲已經(jīng)開始推進HBM（高帶寬內(nèi)存）的開發(fā)，并且在HBM2上取得了進展，正在進行客戶取樣，預計2025年中期開始小批量生產(chǎn)HBM2芯片。HBM2內(nèi)存具有高帶寬和低延遲的特性，特別適用于人工智能、數(shù)據(jù)挖掘和游戲等對高數(shù)據(jù)吞吐量要求極高的應用場景。 長鑫存儲的這一系列成果，不僅是其自身發(fā)展的重要里程碑，對中國半導體行業(yè)的整體提升也有著積極意義。隨著長鑫存儲技術(shù)能力的提升，業(yè)內(nèi)對其反應積極，半導體分析機構(gòu)和市場觀察者普遍認為，這可能會對國內(nèi)外內(nèi)存市場格局產(chǎn)生重要影響，有望促使其他競爭對手加速技術(shù)迭代，吸引更多客戶并推動新的合作機會。此外，長鑫存儲的發(fā)展也是國家政策和市場環(huán)境共同作用的結(jié)果，其未來的發(fā)展走向也備受消費者、投資者以及整個行業(yè)的關(guān)注。 |
