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FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點。 富士通并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。MB85R8M2TA具有與SRAM兼容的并行接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)運行。 在快速頁面模式下，F(xiàn)RAM能夠運行到25ns，在連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸時，其訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統(tǒng)FRAM產(chǎn)品相比，它不僅實現(xiàn)了更高的運行速度，而且降低了功耗。該FRAM的最大寫入電流為18mA，比目前的產(chǎn)品低10%，最大待機電流為150μA，低50%。 在某些情況下可以省去SRAM所需的數(shù)據(jù)備份電池。富士通的FRAM產(chǎn)品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產(chǎn)生的以下問題： 問題：更改接口設計和PCB設計的額外工作 解決方案：使用與SRAM接口和SRAM封裝兼容的FRAM 問題：難以用寫入速度非常慢的非易失性存儲器替代 解決方案：使用具有快速寫入操作的FRAM，頁面模式下最大25ns 問題：寫入壽命高達10萬億次導致設計限制 解決方案：使用寫入壽命高達100萬億次的FRAM |
