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富士通型號MB85RC04V是一款FRAM芯片，位寬為512字×8位，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元。與SRAM不同，MB85RC04V能夠在不使用數(shù)據(jù)備份電池的情況下保留數(shù)據(jù)。MB85RC04V使用的非易失性存儲單元的讀/寫壽命提高到至少1012個(gè)周期，在數(shù)量上明顯優(yōu)于其他非易失性存儲產(chǎn)品。MB85RC04V鐵電存儲器在寫入存儲器后不需要輪詢序列，例如閃存或E2PROM的情況。 特點(diǎn) •位配置：512字×8位 •兩線串行接口：完全由兩個(gè)端口控制：串行時(shí)鐘（SCL）和串行數(shù)據(jù)（SDA）。 •工作頻率：1MHz（最大） •讀/寫耐久性：1012次/字節(jié) •數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過200年(+35℃) •工作電源電壓：3.0V至5.5V •低功耗：工作電源電流90μA(Typ@1MHz)，待機(jī)電流5μA（典型值） •工作環(huán)境溫度范圍:−40℃至+85℃ •封裝：8-SOP RoHS合規(guī) I2C（內(nèi)部集成電路） MB85RC04V具有兩線串行接口；I2C總線，作為從設(shè)備運(yùn)行。I2C總線定義了“主”和“從”設(shè)備的通信角色，主端擁有啟動(dòng)控制的權(quán)限。此外，I2C總線連接是可能的，其中單個(gè)主設(shè)備連接到多臺從屬設(shè)備以組線配置。在這種情況下，需要為從設(shè)備分配一個(gè)唯一的設(shè)備地址，主設(shè)備在指定從設(shè)備通過地址進(jìn)行通信后開始通信。 FRAM是一種非易失性鐵電存儲器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲器的優(yōu)點(diǎn)。相對于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。富士通FUJITSU代理英尚微可提供產(chǎn)品測試及技術(shù)支持。 |
