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cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高級鐵電工藝的高性能4Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器（即FRAM）與RAM相同，是執(zhí)行讀和寫操作的易失性存儲器。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時間，并解決了由串行閃存和其他非易失性存儲器造成的復雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。 與串行閃存不同的是，CY15B104QSN以總線速度執(zhí)行寫操作。并且不引起寫操作的延遲。在每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷螅瑪?shù)據(jù)立即被寫入到存儲器陣列內(nèi)。這時可以開始執(zhí)行下一個總線周期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品提供了更多的擦寫次數(shù)。CY15B104QSN能夠提供1014次的讀/寫周期，或支持比EEPROM多1億次的寫周期。由于具有這些特性，因此CY15B104QSN非常適用于需要頻繁或快速寫操作的非易失性存儲器應用。示例的范圍包括從數(shù)據(jù)收集（其中寫周期數(shù)量是非常重要的）到滿足工業(yè)級控制（其中串行Flash的較長寫時間會使數(shù)據(jù)丟失）。 CY15B104QSN將4Mbit FRAM與高速度四線SPI（QPI）SDR和DDR接口相結合，從而增強鐵電存儲器技術的非易失性寫入功能。該器件包含一個只讀的器件ID和唯一ID特性，通過它們，SPI總線主設備可以確定器件的制造商、產(chǎn)品容量、產(chǎn)品版本和唯一ID。該器件包含一個唯一只讀序列號，可用來識別某個電路板或系統(tǒng)。 該器件支持片上ECC邏輯，可以在每個8字節(jié)數(shù)據(jù)單元內(nèi)檢測和糾正單比特錯誤。該器件還包含在8字節(jié)數(shù)據(jù)單元中提供雙比特錯誤報告的擴展功能。CY15B104QSN還支持循環(huán)冗余校驗（CRC），可用來校驗存儲器陣列中所存儲數(shù)據(jù)的完整性。代理商英尚微支持提供產(chǎn)品技術支持。 性能 ■4Mbit鐵電性隨機存取存儲器（FRAM）的邏輯組織方式為512Kx8 ❐提供了一百萬億次（1014）的讀/寫周期，幾乎為無限次數(shù)的耐久性。 ❐151年數(shù)據(jù)保留時間 ❐NoDelay™寫操作 ❐高級高可靠性的鐵電工藝 ■單線和多線I/O串行外設接口（SPI） ❐串行總線接口SPI協(xié)議 ❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1），適用于所有SDR模式轉換 ❐支持SPI模式0（0，0），適用于所有DDR模式轉換 ❐擴展型I/OSPI協(xié)議 ❐雙線SPI（DPI）協(xié)議 ❐四線SPI（QPI）協(xié)議 ■SPI時鐘頻率 ❐最高108MHz頻率SPI的單倍數(shù)據(jù)速率（SDR） ❐最高54MHz頻率SPI的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR） ■芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）模式下的存儲器讀/寫操作 ■寫入保護，數(shù)據(jù)安全性，數(shù)據(jù)完整性 ■使用寫保護（WP）引腳提供硬件保護 ■軟件模塊保護 ■提高數(shù)據(jù)完整性的糾錯碼（ECC）和循環(huán)冗余校驗（CRC） ❐檢測并糾正但比特錯誤的ECC。在發(fā)生雙比特錯誤時，它將不糾正錯誤，但將通過ECC狀態(tài)寄存器進行錯誤報告 ❐CRC將檢測原始數(shù)據(jù)的任意意外更改 ■擴展的電子簽名 ❐器件ID包含制造商ID和產(chǎn)品ID ❐唯一ID ❐用戶可編程序列號。 ■專用256字節(jié)特殊扇區(qū)FRAM ❐專用特殊扇區(qū)寫和讀操作 ❐內(nèi)容可以在最多3個標準回流焊周期內(nèi)保持不變 ■高速度，低功耗 ❐SPISDR頻率為108MHz時，有效電流為10mA（典型值） ❐QSPISDR頻率為108MHz并且QSPIDDR頻率為54MHz時，有效電流為16mA（典型值） ❐待機電流為110μA（典型值） ❐深度掉電模式電流為0.80μA（典型值） ❐休眠模式電流為0.1μA（典型值） ■低電壓操作： ❐CY15B104QSN：VDD=1.8V到3.6V ■工作溫度范圍：–40℃到+85℃ ■封裝 ❐8pin小型塑封集成電路（SOIC）封裝 ❐8pin網(wǎng)格陣列四方扁平無引線（GQFN）封裝 ■符合有害物質限制標準（RoHS） CY15B104QSN是一個串行FRAM存儲器。該存儲器陣列被邏輯組織為 524,288 ×8 位。通過使用工業(yè)標準的串行外設接口（SPI）總線可以訪問該存儲器陣列。FRAM 的功能操作與單線SPI EEPROM或單線/雙線/四線SPI閃存的功能操作相同。CY15B104QSN與具有相同引腳分布的串行閃存之間的主要區(qū)別在于FRAM具有更好的寫性能、高的耐久性和較低的功耗。 |
