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什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數(shù)據(jù)。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫循環(huán)壽命長、功耗低等特點。 FRAM采用了哪些類型的應用程序？ FRAM已被用于需要小密度內存和頻繁數(shù)據(jù)寫入的應用中。應用示例是；OA設備（例如用于計數(shù)器和打印記錄的MFP），F(xiàn)A設備（例如用于存儲參數(shù)和數(shù)據(jù)記錄的測量設備和分析儀），金融終端（例如用于交易歷史的ATM）、基礎設施計量、汽車導航系統(tǒng)和音頻設備。 與傳統(tǒng)存儲器相比，F(xiàn)RAM是否有任何不同的控制或操作？ FRAM與傳統(tǒng)存儲器相比，F(xiàn)RAM產品使用起來沒有任何困難，因為FRAM產品兼容EEPROM和低功耗SRAM等標準存儲器。帶串行接口（I2C，SPI）的FRAM兼容串行EEPROM或串行閃存功能。具有并行接口的FRAM可用作低功耗SRAM，稱為偽SRAM或電池備份SRAM。 FRAM執(zhí)行寫操作的速度有多快？ 非易失性存儲器的寫入時間在規(guī)格中指定為FRAM=150ns，EEPROM=10ms，F(xiàn)lash存儲器=10us，因此FRAM的寫入操作比EEPROM快7,0000倍。EEPROM和Flash存儲器在寫操作之前需要進行字節(jié)或扇區(qū)擦除操作，這會導致更長的寫時間。FRAM無需擦除操作即可在存儲單元中進行覆蓋，因此，盡管是非易失性存儲器，但它具有更快的寫入特性。 FRAM、F-RAM和FeRAM是同一個嗎？ 所有FRAM、F-RAM和FeRAM均指鐵電隨機存取存儲器。 什么是串行存儲器？I2C接口和SPI接口有什么區(qū)別？ 我們將具有串行總線接口（I2C和SPI）的FRAM產品定義為FRAM系列中的“串行存儲器”。 串行總線是一種以一位操作連續(xù)數(shù)據(jù)輸入和輸出的通信方式。 I2C串行總線接口是使用兩條信號線控制數(shù)據(jù)輸入/輸出的接口，“SCL”用于時鐘控制，“SDA”用于地址和數(shù)據(jù)控制。SPI接口是用四根信號線來控制它的操作，“SCK”為時鐘，“SI”為地址和數(shù)據(jù)輸入，“SO”為數(shù)據(jù)輸出，“CS”為片選。 深圳市英尚微電子有限公司是英尚國際有限公司在中國大陸設立的子公司，同時也是一家具有綜合競爭優(yōu)勢的電子元件產品供應商及存儲方案技術提供商。以存儲芯片，半導體產品，單片機，藍牙芯片及微動開關等產品為主，獲得多個原廠品牌授權代理權，以專業(yè)行業(yè)經驗為客戶提供產品選型設計，協(xié)助客戶研發(fā)產品。業(yè)務范圍已涉及：網絡設備、移動市場、M2M、消費類電子、工業(yè)控制、游戲產業(yè)、智能儀表、汽車電子、存儲和服務器等行業(yè)。 |
