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頻率覆蓋范圍廣并且具有高效率和高線性度 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）推出兩款新型寬帶碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）高電子遷移率晶體管（HEMT），功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度器件是最近通過認證并投入生產(chǎn)的第3代GaN-SiC HEMT工藝的首發(fā)產(chǎn)品。 
這些器件提供了低偏置下的寬帶高線性度特性，從而提高了寬帶線性度水平（在5dB時三階互調(diào)低于-32dBc；在2:1帶寬上從飽和功率回退8dB時則低于-42dBc）。寬帶線性對于當(dāng)今國防電子設(shè)備中所部署的頻率捷變無線電至關(guān)重要，后者用于處理多模通信波形（從FM信號一直到高階QAM信號）并同時應(yīng)用對抗信道的情況。這些要求苛刻的應(yīng)用需要晶體管本身具有更好的寬帶線性度。根據(jù)市場反饋，埃賦隆半導(dǎo)體的第3代GaN-on-SiC HEMT晶體管可滿足這些擴展的寬帶線性度要求。 此外，這兩款第3代晶體管還采用了增強散熱封裝以實現(xiàn)可靠運行，并為30W器件提供高達15:1的極耐用的VSWR耐受能力。該耐用性還可擴展到A類放大器工作模式。這在具有飽和柵極條件下，同時要在擴展頻率范圍內(nèi)在寬動態(tài)范圍內(nèi)保持線性度的儀器應(yīng)用中很常見。埃賦隆半導(dǎo)體的第3代GaN-on-SiC HEMT晶體管為寬帶應(yīng)用的高線性GaN技術(shù)設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，同時保持了出色的散熱性能和耐用性。 欲了解有關(guān)埃賦隆半導(dǎo)體最新50V第3代GaN-on-SiC射頻功率晶體管的更多信息，敬請訪問：CLF3H0060(S)-30、CLF3H0035(S)-100。 這些晶體管可直接從埃賦隆半導(dǎo)體或其授權(quán)分銷商RFMW和得捷電子（Digi-Key）購買。采用ADS和MWO的大信號模型可從埃賦隆半導(dǎo)體的網(wǎng)站下載。 |
