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CGD發(fā)布突破性100kW+技術(shù),推動氮化鎵(GaN)進(jìn)軍超100億美元電動汽車逆變器市場

發(fā)布時(shí)間:2025-4-1 18:51    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: ICeGaN , HEMT , 汽車逆變器
ICeGaN HEMT與IGBT的并聯(lián)組合實(shí)現(xiàn)了高效率與低成本的雙重優(yōu)勢

無晶圓廠環(huán)?萍半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注于開發(fā)高能效氮化鎵(GaN)功率器件,致力于簡化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和實(shí)施。近日,CGD進(jìn)一步公布了關(guān)于ICeGaN GaN 技術(shù)解決方案的詳情,該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應(yīng)用市場,這一市場規(guī)模預(yù)計(jì)超過100億美元。Combo ICeGaN通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IGBT(絕緣柵雙極晶體管)集成在同一模塊或智能功率模塊(IPM)中,不僅實(shí)現(xiàn)了高效率,還提供一種更具有成本效益的替代方案,以取代昂貴的碳化硅(SiC)解決方案。



GIORGIA LONGOBARDI博士 |CGD創(chuàng)辦人兼首席執(zhí)行長

“目前,電動汽車動力總成的逆變器主要面臨兩種選擇:一種是采用低成本的IGBT,但在輕負(fù)載條件下效率較低; 另一種是使用效率極高但價(jià)格昂貴的碳化硅(SiC)器件。 我們?nèi)碌腃ombo ICeGaN解決方案通過智慧結(jié)合氮化鎵(GaN)和硅技術(shù)的優(yōu)勢,為電動汽車行業(yè)帶來革命性突破,在顯著降低成本的同時(shí)實(shí)現(xiàn)最高效率。這將實(shí)現(xiàn)更快的充電速度和更長的續(xù)航里程。 我們已與多家頂級電動汽車制造商及其供應(yīng)鏈合作伙伴緊密合作,加速將這一技術(shù)創(chuàng)新推向市場。 ”

獨(dú)特的Combo ICeGaN技術(shù)解決方案充分利用了ICeGaN與IGBT器件在驅(qū)動電壓范圍(如 0-20V)和柵極耐受性方面的相似性,使兩者能夠在并聯(lián)架構(gòu)中高效協(xié)同工作。在實(shí)際運(yùn)行中,ICeGaN開關(guān)在較低電流(輕負(fù)載)下表現(xiàn)出較高的效率,具備低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗; 而IGBT則在較高電流(接近滿載或浪涌條件)時(shí)發(fā)揮主導(dǎo)作用。Combo ICeGaN還結(jié)合了IGBT的高飽和電流和雪崩鉗位能力,以及ICeGaN 的高效開關(guān)特性,進(jìn)一步提升了整體性能。 在高溫環(huán)境下,IGBT的雙極特性使其能在較低的導(dǎo)通電壓下導(dǎo)通,從而有效彌補(bǔ) ICeGaN 的電流損失; 相反,在低溫條件下,ICeGaN將承擔(dān)更多的電流。這一方案通過智慧化的感測和保護(hù)功能,優(yōu)化了Combo ICeGaN的驅(qū)動方式,同時(shí)擴(kuò)展了ICeGaN與IGBT設(shè)備的安全工作區(qū)域(SOA),確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

ICeGaN 技術(shù)使電動汽車工程師能夠在DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器(OBC)以及未來的牽引逆變器中充分利用GaN技術(shù)的優(yōu)勢。Combo ICeGaN進(jìn)一步拓展了CGGaN技術(shù)應(yīng)用范圍,進(jìn)入功率超過 100kW的牽引逆變器市場。ICeGaN IC已被驗(yàn)證具備極高的可靠性,而IGBT在牽引系統(tǒng)和電動汽車應(yīng)用中也有著長期且可靠的應(yīng)用記錄。此外,CGD還成功驗(yàn)證了ICeGaN與SiC MOSFET并聯(lián)組合方案的可行性。在IEDM論文中詳細(xì)介紹的Combo ICeGaN方案無疑是更具成本效益的選擇。 CGD預(yù)計(jì)將在今年年底推出可運(yùn)行的Combo ICeGaN演示版本,為電動汽車動力系統(tǒng)提供更高效、更經(jīng)濟(jì)的解決方案。

FLORIN UDREA教授 |CGD創(chuàng)始人兼首席技術(shù)長

“在功率器件領(lǐng)域工作了三十年,這是我第一次遇到如此完美互補(bǔ)的技術(shù)組合。ICeGaN在輕負(fù)載條件下表現(xiàn)出極高的速度和卓越的性能,而IGBT在滿載、浪涌條件以及高溫環(huán)境下展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。ICeGaN提供了高度集成的片上智能功能,而IGBT則具備雪崩能力為系統(tǒng)保駕護(hù)航。兩者均采用硅基底,這不僅顯著降低了成本,還充分利用了基礎(chǔ)設(shè)施和制造工藝優(yōu)勢。 ”

CGD將參展APEC(應(yīng)用電力電子會議與博覽會)。如需了解更多關(guān)于Combo ICeGaN的詳細(xì)信息,歡迎于2025年3 月16-20日蒞臨喬治亞世界會議中心(亞特蘭大喬治亞州)2039展位。

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