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中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術(shù)鑒定

發(fā)布時間：2023-5-24 10:02 發(fā)布者：eechina

來源：中國電科

近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過技術(shù)鑒定。鑒定委員會認(rèn)為，該項(xiàng)目技術(shù)難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

該項(xiàng)目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求，突破多項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，國內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供應(yīng)鏈安全，支撐產(chǎn)業(yè)鏈向高端躍升。

下一步，國基南方、55所將面向國家重大戰(zhàn)略需求，聚焦汽車芯片等領(lǐng)域，繼續(xù)完善產(chǎn)品譜系、拓展產(chǎn)品類型，全力提升碳化硅產(chǎn)能，進(jìn)一步推進(jìn)新能源汽車用碳化硅MOSFET芯片和功率模塊關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

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