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臺積電首提 1nm A10 工藝,計劃到 2030 年實現(xiàn) 1 萬億晶體管的單個芯片封裝

發(fā)布時間:2023-12-28 14:23    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 臺積電 , 1nm
來源:IT之家

據(jù) Tom's Hardware 報道,在本月舉行的 IEDM 2023 會議上,臺積電制定了提供包含 1 萬億個晶體管的芯片封裝路線,這一計劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類似。

當(dāng)然,1 萬億晶體管是來自單個芯片封裝上的 3D 封裝小芯片集合,但臺積電也在致力于開發(fā)單個芯片 2000 億晶體管。

為了實現(xiàn)這一目標,該公司重申正在致力于 2nm 級 N2 和 N2P 生產(chǎn)節(jié)點,以及 1.4nm 級 A14 和 1nm 級 A10 制造工藝,預(yù)計將于 2030 年完成。


▲ 圖源 Tom's Hardware 獲取到的臺積電 PPT

此外,臺積電預(yù)計封裝技術(shù)(CoWoS、InFO、SoIC 等)將不斷取得進步,使其能夠在 2030 年左右構(gòu)建封裝超過 1 萬億個晶體管的大規(guī)模多芯片解決方案。

據(jù)IT之家此前報道,臺積電在會議上還透露,其 1.4nm 級工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開。同時,臺積電重申,2nm 級制程將按計劃于 2025 年開始量產(chǎn)。
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