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來源：芯智訊 2023年已經(jīng)結(jié)束！在這一年里，受整個消費電子市場需求下滑的影響，全球半導(dǎo)體市場出現(xiàn)了同比12%的萎縮（IDC數(shù)據(jù)），眾多的半導(dǎo)體制造商紛紛大幅削減半導(dǎo)體設(shè)備的資本支出以控制過多的產(chǎn)能增長，導(dǎo)致2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備同比下滑6.1%至1,009億美元（SEMI數(shù)據(jù)），這也是近4年來該市場首度陷入萎縮。 同時，也是在2023年里，美國于2022年10月出臺的對華半導(dǎo)體新規(guī)效力開始顯現(xiàn)，日本和荷蘭也跟進美國半導(dǎo)體新規(guī)，相繼出臺了針對先進半導(dǎo)體設(shè)備的出口管制政策，日本新規(guī)2023年7月23日生效，荷蘭新規(guī)2023年9月1日生效，但ASML的許可證到2023底依然有效。這也在一定程度上刺激了中國半導(dǎo)體制造商在有效期內(nèi)加速采購所需的日本和荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備。同時，也進一步推動了半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化進程的加速。 SEMI的預(yù)測數(shù)據(jù)也顯示，中國市場的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將在2023年時將超過300億美元、創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄，將進一步擴大和其他區(qū)域的差距。 那么在2023年里，中國國產(chǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備進展如何？國產(chǎn)化比例又提升到了多少？ 根據(jù)國內(nèi)的半導(dǎo)體制造商的采購中標(biāo)數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，2023年1-11月，統(tǒng)計樣本中的晶圓產(chǎn)線合計中標(biāo)875臺設(shè)備，其中國產(chǎn)設(shè)備整體中標(biāo)比例約47%。 一、國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 對于國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言，其驅(qū)動力除了行業(yè)規(guī)模的自然擴張，還包括在國內(nèi)市場的國產(chǎn)替代。根據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會的數(shù)據(jù)，2021年，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為385.5億元，同比增長58.71%，占中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的比例為20.02%。 
以半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備為例，當(dāng)前的國產(chǎn)設(shè)備對成熟制程的工藝覆蓋度日趨完善，并積極推進高端制程的工藝突破，產(chǎn)品正處于驗證密集通過、開啟規(guī)模化起量的成長階段。并且，各大半導(dǎo)體設(shè)備廠商基于產(chǎn)品上線量產(chǎn)的契機，也在與客戶密切開展工藝設(shè)備的合作研發(fā)、已有產(chǎn)品的迭代和細(xì)分新品類的擴充，利于產(chǎn)品競爭力和市場拓展的繼續(xù)深入。目前的半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率仍處于非線性增長區(qū)間，未來國產(chǎn)設(shè)備有望加速滲透。 通過對全球半導(dǎo)體設(shè)備市場競爭格局的分析可知，位居頭部的營收在百億美金量級的半導(dǎo)體設(shè)備龍頭公司，其業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)基本覆蓋了半導(dǎo)體設(shè)備細(xì)分市場規(guī)模前三大的品類：刻蝕、光刻和沉積。鑒于此，對于本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商而言，在光刻、刻蝕和沉積等“大賽道”深入布局的公司，具備更為廣闊的遠期收入空間，未來的發(fā)展前景十分廣闊。
半導(dǎo)體設(shè)備市場細(xì)分品類眾多，目前，本土半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)仍處于成長早期，在各個“細(xì)分賽道”率先卡位并建立競爭優(yōu)勢的設(shè)備廠商，有望在下游客戶端搶占更優(yōu)勢的生態(tài)位。包括先發(fā)的研發(fā)驗證機會、領(lǐng)先的供應(yīng)份額以及積累更豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗，從而在細(xì)分品類中建立起更高的競爭壁壘。 在工藝技術(shù)方面，目前，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在刻蝕、沉積、清洗、涂膠顯影、CMP、離子注入以及測試機、分選機、探針臺等核心工藝環(huán)節(jié)已取得長足進步，并且與海外傳統(tǒng)廠商形成了初步的技術(shù)對標(biāo)。
具體到產(chǎn)品方面，以北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海為代表的國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司不斷完善產(chǎn)品的平臺化布局，可服務(wù)市場規(guī)模快速擴張，遠期收入空間不斷打開。另一方面，以拓荊科技、華海清科、芯源微、中科飛測等為代表國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備公司在各自專長的領(lǐng)域內(nèi)已占據(jù)了領(lǐng)先的供應(yīng)份額，不斷夯實技術(shù)和市場壁壘。 在后道領(lǐng)域，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在測試機、分選機、探針臺等設(shè)備方面的配套較前道更為完善，并且以長川科技、華峰測控為代表的國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商在SoC測試機、探針臺等高端新品研發(fā)和市場拓展也快速推進，整體已在后道設(shè)備市場具備一定的市場份額優(yōu)勢。
北方華創(chuàng) 以國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭大廠北方華創(chuàng)為例，其產(chǎn)品管線布局完整，涵蓋ICP刻蝕、PVD、熱處理、ALD、外延（EPI）、LPCVD、清洗、UV cure、PECVD、CCP刻蝕等工藝等諸多環(huán)節(jié)。 2023年以來，北方華創(chuàng)相繼推出12英寸晶邊刻蝕機、12英寸去膠機等新產(chǎn)品，同時各類標(biāo)桿產(chǎn)品相繼達到銷量里程碑（12英寸深硅刻蝕機累計銷量達到100腔，12英寸立式爐累計出廠500臺）。 截至三季度末，在刻蝕裝備方面，公司面向12英寸邏輯、存儲、功率、先進封裝等客戶，ICP刻蝕產(chǎn)品出貨累計超過2000腔；應(yīng)用于提升芯片良率的12英寸CCP晶邊刻蝕機已進入多家生產(chǎn)線驗證。 薄膜裝備方面，突破了物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積和原子層沉積等多項核心關(guān)鍵技術(shù)，廣泛應(yīng)用于集成電路、功率器件、先進封裝等領(lǐng)域，累計出貨超3000腔，支撐了國內(nèi)主流客戶的量產(chǎn)應(yīng)用。 立式爐裝備方面，累計出貨超過500臺，憑借優(yōu)異的量產(chǎn)穩(wěn)定性獲邏輯、存儲、功率、封裝、襯底材料等領(lǐng)域主流客戶的認(rèn)可。 外延裝備方面，累計出貨近千腔，覆蓋集成電路、功率器件、硅材料、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域應(yīng)用需求。 清洗裝備方面，擁有單片清洗、槽式清洗兩大技術(shù)平臺，主要應(yīng)用于12英寸集成電路領(lǐng)域。并在多家客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)，屢獲重復(fù)訂單。 中微公司 中微公司目前產(chǎn)品也覆蓋了MOCVD、LPCVD、ALD、EPI、ICP、CCP、ALE等諸多環(huán)節(jié)。 在刻蝕方面：邏輯領(lǐng)域，公司12寸高端刻蝕設(shè)備已在從65納米到5納米的各個技術(shù)結(jié)點大量量產(chǎn)，并著力改進性能以滿足5納米技術(shù)以下的若干關(guān)鍵步驟加工的要求；存儲領(lǐng)域，公司致力于提供超高深寬比掩膜（≥40:1）和超高深寬比介質(zhì)刻蝕(≥60:1)的全套解決方案，目前這兩種設(shè)備都已經(jīng)開展現(xiàn)場驗證、進展順利。 在薄膜沉積方面：公司短時間實現(xiàn)多種LPCVD設(shè)備的研發(fā)交付以及ALD設(shè)備的重大突破，其中CVD鎢設(shè)備能滿足先進邏輯器件接觸孔填充、DRAM器件接觸孔應(yīng)用、3DNAND器件中的多個關(guān)鍵應(yīng)用需求；ALD鎢設(shè)備，能夠滿足3DNAND等三維器件結(jié)構(gòu)中金屬鎢的填充需求，公司還在開發(fā)另一ALD產(chǎn)品系列，能夠滿足先進邏輯和存儲器件中金屬阻擋層和金屬柵極的應(yīng)用需求。 在MOCVD方面：Prismo A7設(shè)備已在全球氮化鎵基LEDMOCVD市場居領(lǐng)先地位；用于Mini-LED生產(chǎn)的Prismo UniMax，已在領(lǐng)先客戶端大規(guī)模量產(chǎn)；用于硅基氮化鎵功率器件Prismo PD5已獲得重復(fù)訂單，用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開發(fā)中，即將開展樣機在客戶端的測試。 根據(jù)中微公司三季報顯示，其刻蝕設(shè)備在客戶端不斷核準(zhǔn)更多刻蝕應(yīng)用，市場占有率不斷提高并不斷收到領(lǐng)先客戶的批量訂單。公司在關(guān)鍵先進工藝節(jié)點的技術(shù)進展不斷推進，極高深寬比刻蝕設(shè)備、大馬士革刻蝕設(shè)備、EPI設(shè)備研發(fā)順利推進，四季度存儲芯片價格回暖，國存儲大廠擴產(chǎn)潛力有望為公司帶來訂單彈性。 盛美上海 盛美上海經(jīng)過多年持續(xù)的研發(fā)投入和技術(shù)積累，先后開發(fā)了前道半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括清洗設(shè)備（包括單片、槽式、單片槽式組合、CO2超臨界清洗、邊緣和背面刷洗）、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備、立式爐管系列設(shè)備（包括氧化、擴散、真空回火、LPCVD、ALD）、涂膠顯影Track設(shè)備、等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備；后道先進封裝工藝設(shè)備以及硅材料襯底制造工藝設(shè)備等。 根據(jù)公告，公司熱反應(yīng)的ALD爐管首臺2022年已經(jīng)進入客戶端，2022年底ArFTrack設(shè)備已經(jīng)送往客戶端驗證。2023年2月公司首次獲得了歐洲半導(dǎo)體制造商的12腔單片SAPS兆聲波清洗設(shè)備訂單，3月公司首次獲得碳化硅襯底清洗設(shè)備訂單。目前盛美上海研發(fā)的SAPS、TEBO兆聲波清洗技術(shù)和Tahoe單片槽式組合清洗技術(shù)，可應(yīng)用于45nm及以下技術(shù)節(jié)點的晶圓清洗領(lǐng)城。公司PECVD設(shè)備研發(fā)進展順利。未來ALD、Track及PECVD有望迎來良好的產(chǎn)品周期并貢獻公司收入增長。 除了已有的長江存儲、華虹集團、海力士、中芯國際、長鑫存儲、長電科技、通富微電、中芯長電、Nepes、金瑞泓、臺灣合晶科技、中科院微電子所、上海集成電路研發(fā)中心、華進半導(dǎo)體、士蘭微、芯恩半導(dǎo)體、晶合、中科智芯、芯德等主要客戶的重復(fù)訂單之外，今年新增加了中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商等客戶。同時公司在歐洲全球性半導(dǎo)體制造商和多個國內(nèi)客戶取得訂單和客戶群體的突破。 拓荊科技 拓荊科技目前擁有PECVD、SACVD、ALD、HDPCVD、鍵合設(shè)備等較為豐富的產(chǎn)品系列，部分產(chǎn)品已適配國內(nèi)28/14nm邏輯芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128層3DNANDFLASH晶圓制造產(chǎn)線，并成功實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用或驗證。 PECVD是拓荊科技核心產(chǎn)品，公司自成立以來就開始研制PECVD設(shè)備，經(jīng)過十余年的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，目前PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等系列薄膜設(shè)備均已實現(xiàn)量產(chǎn)，其中，PECVD設(shè)備訂單量占比相對較高，ALD、SACVD、HDPCVD等新產(chǎn)品正在逐步擴大量產(chǎn)規(guī)模。目前，拓荊科技量產(chǎn)產(chǎn)品對于薄膜沉積產(chǎn)品的覆蓋度逐步從原有的33%增長至整個市場的50%左右。 以此為基礎(chǔ)，拓荊科技還將薄膜沉積設(shè)備逐漸拓展到SACVD、ALD、HDPCVD等設(shè)備領(lǐng)域，進一步豐富了薄膜沉積設(shè)備組合，目前三種設(shè)備中的部分產(chǎn)品型號已量產(chǎn)，并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。 此外，拓荊科技還有布局芯片三維集成領(lǐng)域，聚焦混合鍵合設(shè)備，其晶圓對晶圓鍵合產(chǎn)品也已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。 華海清科 作為國內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備大廠華海清科產(chǎn)品覆蓋了CMP、減薄、清洗、量測等多個環(huán)節(jié)。 在CMP設(shè)備方面：公司在邏輯芯片、DRAM存儲芯片、3DNAND存儲芯片等領(lǐng)域的成熟制程均完成了90%以上CMP工藝類型和工藝數(shù)量的覆蓋度，部分關(guān)鍵CMP工藝類型成為工藝基準(zhǔn)（Baseline）機臺。2023上半年公司推出Universal H300機臺，產(chǎn)品為四個12英寸拋光單元雙拋光頭配置，面向集成電路、先進封裝、大硅片等領(lǐng)域客戶，已完成研發(fā)和基本性能驗證。Universal-150Smart產(chǎn)品兼容6-8英寸各種半導(dǎo)體材料拋光，已發(fā)往兩家第三代半導(dǎo)體客戶驗證。 在減薄設(shè)備方面：公司推出Versatile-GP300量產(chǎn)機臺，12英寸晶圓片內(nèi)磨削TTV＜1um達到國際先進水平，實現(xiàn)國產(chǎn)設(shè)備在超精密減薄技術(shù)領(lǐng)域0-1突破。 在清洗設(shè)備方面：2023年上半年，應(yīng)用于12英寸硅襯底CMP工藝后清洗設(shè)備和應(yīng)用于4/6/8英寸化合物半導(dǎo)體清洗設(shè)備已推向相關(guān)細(xì)分市場。據(jù)公司2023年9月26日公告，公司首臺12英寸單片終端清洗機HSC-F3400機臺出機發(fā)往國內(nèi)大硅片龍頭企業(yè)。 膜厚測量設(shè)備：FTM-M300產(chǎn)品可應(yīng)用于Cu、Al、W、Co等金屬制程薄膜厚度測量，目前已發(fā)往多家客戶驗證，并實現(xiàn)小批量出貨。 離子注入設(shè)備：公司參股的芯崳半導(dǎo)體（上海）有限公司所開發(fā)的離子注入機產(chǎn)品研發(fā)順利，目前處于產(chǎn)品驗證階段。 芯源微 作為國內(nèi)唯一可以提供量產(chǎn)型前道涂膠顯影設(shè)備的廠商，芯源微目前已完成在前道晶圓加工環(huán)節(jié)28nm及以上工藝節(jié)點的全覆蓋，并持續(xù)向更高工藝等級迭代。同時還有布局前道清洗設(shè)備和后道封測設(shè)備。 在涂膠顯影設(shè)備方面：公司第三代浸沒式高產(chǎn)能涂膠顯影設(shè)備平臺架構(gòu)FT300（Ⅲ）發(fā)布后在客戶端導(dǎo)入進展良好，同時未來可作為通用性架構(gòu)全面向下兼容ArF、KrF、I-line、offline等工藝。 在前道清洗設(shè)備方面：2023年上半年，公司前道物理清洗機已成為國內(nèi)邏輯、功率器件廠商所采用的主流產(chǎn)品。公司新一代高產(chǎn)能物理清洗機也將進入客戶端驗證，可滿足存儲客戶對產(chǎn)能的高指標(biāo)要求。 在后道封裝設(shè)備方面：公司與國內(nèi)領(lǐng)先的chiplet廠商、SiC廠商保持了深度合作關(guān)系。此外，臨時鍵合機、解鍵合機均已進入客戶驗證階段，有望受益于chiplet的發(fā)展帶來增量需求。 公司目前擁有沈陽兩個廠區(qū)、上海臨港廠區(qū)，其中沈陽老廠區(qū)生產(chǎn)后道、小尺寸領(lǐng)域設(shè)備；新廠區(qū)生產(chǎn)前道Track、物理清洗機。上海臨港廠區(qū)生產(chǎn)基地已于2023年1月順利封頂。項目達產(chǎn)后生產(chǎn)前道ArF涂膠顯影機、浸沒式涂膠顯影機、單片化學(xué)清洗機等設(shè)備。 中科飛測 作為國內(nèi)高端半導(dǎo)體檢測和量測設(shè)備龍頭，中科飛測自2014年成立以來一直專注于半導(dǎo)體檢測和量測設(shè)備領(lǐng)域，目前已成功推出了無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備、圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備、三維形貌量測設(shè)備、薄膜膜厚量測設(shè)備等產(chǎn)品，可被廣泛應(yīng)用于28nm及以上制程集成電路制造和先進封裝環(huán)節(jié)。 目前，中科飛測平臺化布局產(chǎn)品線持續(xù)豐富，更先進制程研發(fā)驗證進展順利： 無圖形基于缺陷檢測設(shè)備：量產(chǎn)型號已覆蓋2Xnm及以上工藝節(jié)點，1Xnm設(shè)備研發(fā)進展順利； 圖形缺陷檢測設(shè)備：廣泛應(yīng)用于邏輯、存儲、先進封裝等領(lǐng)域，具備三維檢測功能的設(shè)備已在客戶進行工藝驗證，2Xnm明場納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備、暗場納米圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備研發(fā)進展順利； 三維形貌量測設(shè)備：支持2Xnm及以上制程，訂單穩(wěn)步增長； 薄膜膜厚量測設(shè)備：已覆蓋國內(nèi)先進工藝和成熟工藝的主要集成電路客戶，金屬薄膜膜厚量測設(shè)備為新增長點，市場認(rèn)可度進一步提升； 套刻精度量測設(shè)備：90nm及以上工藝節(jié)點的設(shè)備已實現(xiàn)批量銷售，2Xnm設(shè)備已通過國內(nèi)頭部客戶產(chǎn)線驗證,獲得國內(nèi)領(lǐng)先客戶訂單。 關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備：2Xnm產(chǎn)品研發(fā)進展順利。 經(jīng)過多年的技術(shù)積累，中科飛測無圖形晶圓缺陷檢測設(shè)備等產(chǎn)品性能可比肩海外龍頭，產(chǎn)品已在中芯國際、長江存儲、長電科技和華天科技等國內(nèi)知名客戶的產(chǎn)線上實現(xiàn)無差別應(yīng)用。 長川科技 長川科技作為國內(nèi)領(lǐng)先的后道設(shè)備廠商，其產(chǎn)品覆蓋了測試機、探針臺、分選機、AOI光學(xué)檢測設(shè)備等。 目前公司數(shù)�；旌蠝y試機技術(shù)成熟，數(shù)字SoC測試機D9000等正在快速放量，并且下游客戶不斷拓展，公司未來在存儲測試機領(lǐng)域有望進一步放量； 在分選機領(lǐng)域，公司形成轉(zhuǎn)塔式、平移式、重力式分選機全面布局，平移式三溫分選機為主要增長動力，能夠覆蓋-55~150℃溫度范圍，工位數(shù)量最高16個，每小時最大產(chǎn)能高達1200片，可車規(guī)級等IC測試需求； 在探針臺領(lǐng)域，公司產(chǎn)品支持幾乎所有8/12英寸CP測試需求，目前也開始逐步起量； 在前道測試設(shè)備領(lǐng)域，公司通過收購STI提升自身AOI光學(xué)檢測實力，形成前道檢測設(shè)備iFocus系列等，并且針對半導(dǎo)體關(guān)鍵制程尺寸量測需求開發(fā)了全自動關(guān)鍵尺寸量測設(shè)備NanoX-6000。 經(jīng)過多年研發(fā)和積累，公司已成為國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路專用測試設(shè)備供應(yīng)商，產(chǎn)品獲得了長電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤微電子、日月光等知名集成電路企業(yè)使用和認(rèn)可。 華峰測控 作為為國內(nèi)模擬芯片測試龍頭，華峰測控近年來也在集積極拓展延申功率芯片及SoC測試業(yè)務(wù)。 公司主力機型STS8200系列主要應(yīng)用于模擬集成電路測試，STS8300機型主要應(yīng)用于混合信號和數(shù)字測試領(lǐng)域，同時也拓展了分立器件、功率和第三代化合物半導(dǎo)體器件測試。 目前，STS8300全球裝機量已達到一定數(shù)量，開始建立生態(tài)圈，板卡已迭代第二代，產(chǎn)品將提供更高性能，更具性價比，8300上的數(shù)字板卡已具備400M測試能力，具備進入數(shù)字測試領(lǐng)域能力。IGBT、SiC、GaN等各方向均實現(xiàn)覆蓋。 今年6月，公司在上海舉辦的SEMICONChina 2023展會上推出了面向SoC測試領(lǐng)域的全新一代機型-STS8600，該機型擁有更多的測試通道數(shù)以及更高的測試頻率，并且配置水冷散熱系統(tǒng)，進一步完善了公司的產(chǎn)品線，拓寬了公司產(chǎn)品的可測試范圍。目前正在針對該機型進行性能驗證和單板開發(fā)。 二、國產(chǎn)設(shè)備中標(biāo)比例不斷突破 我們以本土晶圓產(chǎn)線：中芯國際、華虹半導(dǎo)體、上海華力、長江存儲、合肥長鑫、積塔半導(dǎo)體、燕東微電子、福建晉華、粵芯半導(dǎo)體、武漢新芯、合肥晶合作為統(tǒng)計樣本，對其招標(biāo)、中標(biāo)數(shù)據(jù)進行分析。 按照圖示的統(tǒng)計口徑，根據(jù)采招網(wǎng)的數(shù)據(jù)，2023年11月，統(tǒng)計樣本中的晶圓產(chǎn)線合計產(chǎn)生135項招標(biāo)。以華虹半導(dǎo)體、積塔半導(dǎo)體、燕東微電子等產(chǎn)線招標(biāo)為主。 2023年1-11月，統(tǒng)計樣本中的晶圓產(chǎn)線合計招標(biāo)1607項，其中，華虹半導(dǎo)體、積塔半導(dǎo)體、中芯國際的招標(biāo)量位居前三。整體而言，設(shè)備招標(biāo)以量測、擴散、刻蝕設(shè)備為主。
從中標(biāo)情況來看，根據(jù)采招網(wǎng)的數(shù)據(jù)，2023年11月，統(tǒng)計樣本中的晶圓產(chǎn)線上合計中標(biāo)362臺設(shè)備，以刻蝕、清洗、氣液系統(tǒng)設(shè)備居多；國產(chǎn)設(shè)備整體中標(biāo)比例約42%，其中，爐管、PVD、CVD、硅片再生設(shè)備的國產(chǎn)中標(biāo)比例顯著。 具體來說，2023年11月，統(tǒng)計樣本中的國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商合計中標(biāo)101臺設(shè)備，以北方華創(chuàng)、盛美上海、中微公司中標(biāo)為主，在對應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例為32%。其中，北方華創(chuàng)中標(biāo)16臺刻蝕設(shè)備、6臺爐管設(shè)備、5臺PVD設(shè)備、5臺濕法腐蝕設(shè)備、3臺清洗設(shè)備，在對應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例分別為22%/100%/100%/24%/5%。盛美上海中標(biāo)15臺清洗設(shè)備、4臺硅片再生設(shè)備、1臺電鍍設(shè)備、1臺濕法腐蝕設(shè)備，在對應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例分別為23%/100%33%/5%。中微公司中標(biāo)16臺刻蝕設(shè)備，在對應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例為22%。 2023年1-11月，統(tǒng)計樣本中的晶圓產(chǎn)線合計中標(biāo)875臺設(shè)備，以刻蝕、測試機、氣液系統(tǒng)設(shè)備居多；國產(chǎn)設(shè)備整體中標(biāo)比例約47%，其中，PECVD、外延、氧化、硅片再生設(shè)備的國產(chǎn)中標(biāo)比例較高。
具體來說，2023年1-11月，統(tǒng)計樣本中的國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商合計中標(biāo)309臺設(shè)備，北方華創(chuàng)、中微公司、萬業(yè)企業(yè)中標(biāo)量領(lǐng)先。其中，北方華創(chuàng)中標(biāo)主要包括刻蝕、擴散、爐管設(shè)備，分別為34/10/7臺；中微公司中標(biāo)主要為刻蝕設(shè)備，合計42臺。萬業(yè)企業(yè)中標(biāo)主要包括氣液系統(tǒng)、沉積、CVD設(shè)備，分別為23/5/2臺。 2023年1-11月，統(tǒng)計樣本中的相關(guān)國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商合計中標(biāo)量在對應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例平均約為39%。其中，北方華創(chuàng)的外延/氧化設(shè)備、拓荊科技的PECVD設(shè)備和盛美上海的硅片再生設(shè)備在對應(yīng)工藝環(huán)節(jié)的中標(biāo)比例領(lǐng)先，均為100%。
進入2024年，隨著全球半導(dǎo)體市場的持續(xù)回暖，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場也將迎來全面的增長，其中中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模仍將位居全球第一。 根據(jù)SEMI預(yù)計2024年半導(dǎo)體設(shè)備市場銷售額為1,053億美元，同比增長增4%。2025年預(yù)計將大幅增長18%至1,240億美元，將超越2022年的1,074億美元，創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。SEMI也指出，截至2025年為止，中國大陸的半導(dǎo)體設(shè)備采購額有望持續(xù)增長、維持首位。 在國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模持續(xù)增長，美日荷先進半導(dǎo)體設(shè)備對華持續(xù)限制的背景之下，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的滲透率和市場份額將有望持續(xù)提升。 |
