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來源：全球半導(dǎo)體觀察 過去一年里，終端消費(fèi)蕭條蔓延至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)，業(yè)界大多采取保守態(tài)度應(yīng)之，不過“冬中生暖”，產(chǎn)業(yè)下行周期之下，部分細(xì)分領(lǐng)域卻呈現(xiàn)逆勢增長，因此吸引了許多廠商落子布局，一大批半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目如火如荼地進(jìn)行。 從項(xiàng)目部署上看，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，2023年全國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超350個(gè)項(xiàng)目迎來新進(jìn)展，其中簽約/落地項(xiàng)目超100個(gè)，開工/奠基項(xiàng)目超90個(gè)，竣工投產(chǎn)項(xiàng)目超50個(gè)，封頂項(xiàng)目超50個(gè)（文末附項(xiàng)目全名單），項(xiàng)目涵蓋第三代半導(dǎo)體、存儲器、汽車芯片、先進(jìn)封裝、傳感器、射頻芯片、硅片、半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域。 壹 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遍地開花，超350個(gè)項(xiàng)目按下“加速鍵” 整體來看，在已披露金額的超350個(gè)項(xiàng)目中，投資額最高的是華虹制造（無錫）項(xiàng)目二期金額為67億美元（約480.07億元人民幣），其次是晶合集成12英寸晶圓制造項(xiàng)目，金額為210億元；長飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目，金額超200億元。 · 超100個(gè)項(xiàng)目簽約/落地，逾50億元以上金額占7個(gè) 在簽約/落地的項(xiàng)目中，投資金額超50億元以上的簽約項(xiàng)目包括杰平方半導(dǎo)體中國香港首間碳化硅（SiC）8英寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠（63.22億元）、中鐵投實(shí)業(yè)模擬芯片制造項(xiàng)目（56億元）、陜投新興功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地（51億元）、嘉力豐正特色工藝晶圓制造項(xiàng)目（51億元）、科睿斯半導(dǎo)體FCBGA（ABF）高端載板產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目（50億元）、共創(chuàng)科技光電半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園（50億元）等。 其中，杰平方半導(dǎo)體擬在中國香港科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)中國香港首間碳化硅（SiC）8英寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠。該項(xiàng)目總投資額預(yù)約港幣69億元（人民幣63.22億元），按規(guī)劃通線、擴(kuò)產(chǎn)，包括芯片及微電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)、微電子模組化及生產(chǎn)流程發(fā)展等，將于2028年達(dá)到年產(chǎn)量24萬片碳化硅晶圓，建成后，將帶動年產(chǎn)值超過港幣110億元，并創(chuàng)造超過700個(gè)本地及吸引國際專業(yè)人士來中國香港的就業(yè)職位。 中鐵投實(shí)業(yè)模擬芯片項(xiàng)目位于安徽潛山市，計(jì)劃分兩期建設(shè)，一期計(jì)劃投資21億元，建設(shè)年產(chǎn)20億顆模擬芯片制造生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷售額20億元；二期計(jì)劃投資35億元，建設(shè)年產(chǎn)40億顆模擬芯片制造生產(chǎn)線。 此外，浙江旺榮半導(dǎo)體中高壓功率晶圓擴(kuò)能項(xiàng)目（30億元）、晶盛機(jī)電碳化硅襯底片項(xiàng)目（21.2億元）、富樂德半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目傳感器子項(xiàng)目（20億元）、領(lǐng)存技術(shù)集成電路封裝生產(chǎn)測試項(xiàng)目（約10億元）、佰維存儲第二總部及測試設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目（30.2億元）、萬潤存儲器項(xiàng)目、華大九天陜西研發(fā)基地項(xiàng)目等也備受市場關(guān)注。 · 開工/奠基項(xiàng)目超90個(gè)，百億項(xiàng)目居多 從表中看，2023年超90個(gè)項(xiàng)目迎來了開工/奠基，其中百億項(xiàng)目共計(jì)8個(gè)，超50億元項(xiàng)目約6個(gè)。 百億項(xiàng)目包括晶合集成12英寸晶圓制造項(xiàng)目（210億元）、長飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目（超200億元）、濱海新區(qū)電子信息基地項(xiàng)目（先期180億元）、西部科學(xué)城重慶高新區(qū)芯片項(xiàng)目（145億元）、麗豪半導(dǎo)體一期項(xiàng)目（約110億元）、先導(dǎo)集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導(dǎo)體及器件模組項(xiàng)目（110億元）、ASB芯片先進(jìn)封測項(xiàng)目（103億元）、創(chuàng)豪半導(dǎo)體高階封裝基板項(xiàng)目（約100億元）。 其中，晶合集成12英寸晶圓制造項(xiàng)目落于安徽合肥新站綜合保稅區(qū)，主要從事12英寸晶圓代工業(yè)務(wù)，是安徽首家12英寸晶圓代工企業(yè)，也是合肥首個(gè)百億級以上的集成電路項(xiàng)目。晶合集成三期晶圓廠于2023年10月27日落成，將重點(diǎn)圍繞車規(guī)級制程平臺開發(fā)。 長飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目于2023年8月落戶湖北武漢光谷，項(xiàng)目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。 濱海新區(qū)電子信息基地項(xiàng)目，分階段建設(shè)，先期形成12英寸晶圓9萬片/月的產(chǎn)能規(guī)模，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值90億元以上，規(guī)劃未來5至10年內(nèi)預(yù)計(jì)完成投資560億元。項(xiàng)目整體實(shí)施后，將與已有的集成電路晶圓制造項(xiàng)目構(gòu)建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模組代工服務(wù)平臺，形成“千畝千億”產(chǎn)業(yè)規(guī)模，打造世界級模擬類芯片技術(shù)研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)基地。 西部科學(xué)城重慶高新區(qū)芯片項(xiàng)目建設(shè)一條2萬片/月的集成電路特色工藝線，建設(shè)期5年。該項(xiàng)目建成后年產(chǎn)值預(yù)計(jì)可達(dá)35億元，將帶動輻射產(chǎn)業(yè)鏈上下游千億產(chǎn)值聚集。目前，西部（重慶）科學(xué)城已初步形成從6英寸、8英寸到12英寸，全產(chǎn)業(yè)鏈、全規(guī)格的集成電路產(chǎn)業(yè)，力爭到2027年，打造集成電路特色工藝集聚高地，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值700億元。 超50億元項(xiàng)目包括天域半導(dǎo)體總部及生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目（80億元）、中國中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（一期59億元）、德信芯片高端功率器件晶圓研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目（50億元）、漢瑞通信半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目（50億元）、康源電子南通封裝載板項(xiàng)目（50億元）、深藍(lán)科技半導(dǎo)體設(shè)備及關(guān)鍵零部件項(xiàng)目（超51億元）。 · 竣工/投產(chǎn)項(xiàng)目超50個(gè)，封頂超50個(gè)... 除了簽約、開工外，還有一批半導(dǎo)體項(xiàng)目迎來竣工/投產(chǎn)、封頂、落成、量產(chǎn)、驗(yàn)收等，涉及華為、晶盛機(jī)電、華天科技、粵芯半導(dǎo)體、積塔半導(dǎo)體、捷捷微電、基本半導(dǎo)體、頎中科技、芯恒源、盛美半導(dǎo)體、微容科技、華潤微電子、中環(huán)領(lǐng)先、利揚(yáng)芯片、比亞迪等企業(yè)。 從表中可知，竣工/投產(chǎn)的項(xiàng)目包括國家三代半技術(shù)創(chuàng)新中心（江蘇南京）一期項(xiàng)目、中芯富晟高端集成電路封裝測試項(xiàng)目、微容科技一期高端MLCC、浙江大和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園三期建設(shè)項(xiàng)目、中微創(chuàng)芯高端智能功率模塊（IPM）項(xiàng)目、中環(huán)領(lǐng)先高端硅基材料項(xiàng)目、比亞迪功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期、旺榮半導(dǎo)體8英寸功率器件項(xiàng)目、吉盛微湖北武漢碳化硅制造基地等。 封頂?shù)捻?xiàng)目包括晶盛機(jī)電聯(lián)合創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、頎中先進(jìn)封裝測試生產(chǎn)基地、承芯半導(dǎo)體高端濾波器項(xiàng)目、捷捷微電子功率半導(dǎo)體車規(guī)級產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目、華潤微電子MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)園（二期）項(xiàng)目、利揚(yáng)芯片集成電路測試項(xiàng)目、中國電科（山西）三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心項(xiàng)目等。 值得一提的是，與華天科技相關(guān)的項(xiàng)目有四個(gè)，華天科技（寶雞）集成電路蝕刻高端銅合金引線框架項(xiàng)目、華天存儲及射頻類集成電路封測產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、上海華天集成電路有限公司一期新建項(xiàng)目完成封頂，還有江蘇華天晶圓級先進(jìn)封測基地項(xiàng)目首批設(shè)備已進(jìn)廠，3號廠房開始動工。而積塔半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線陸續(xù)迎來進(jìn)展，其12英寸汽車芯片先導(dǎo)線于2023年6月成功通線；特色工藝生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目（二階段）主廠房于9月28日封頂。 此外，還有整體投資金額最高的華虹制造（江蘇無錫）項(xiàng)目主廠房鋼屋架啟動吊裝、華為上海青浦研發(fā)中心基本建成、粵芯半導(dǎo)體12英寸集成電路模擬特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目（三期）主廠房封頂、中芯紹興三期12英寸特色工藝晶圓制造中試線項(xiàng)目量產(chǎn)、盛合晶微江陰制造基地二期生產(chǎn)廠房擴(kuò)建項(xiàng)目投入使用、芯恒源存儲芯片切割研磨封測項(xiàng)目達(dá)到全面正負(fù)零、基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線通線、甬矽電子集成電路IC芯片封測項(xiàng)目二期落成、安世半導(dǎo)體封測廠擴(kuò)建項(xiàng)目摘牌等。 貳 上游項(xiàng)目占比高，產(chǎn)能集中華東地區(qū) 從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)上看，在去年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目中，上游半導(dǎo)體材料占地最高，涉及晶盛機(jī)電、天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、江豐電子、博康、先導(dǎo)集成、有研半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、中環(huán)領(lǐng)先、盾源聚芯等；其次是中游核心環(huán)節(jié)IC制造，涉及華虹半導(dǎo)體、晶合集成、芯粵能、積塔半導(dǎo)體、捷捷微電、中芯集成、粵芯半導(dǎo)體、格科微、廣芯微電子等。 IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)涉及的企業(yè)包括華為、華大九天、龍芯中科、芯啟源、思瑞浦、揚(yáng)賀揚(yáng)、至訊創(chuàng)新、廣立微、艾為電子、展芯半導(dǎo)體、矽力杰等；IC封測則包括華天科技、安世半導(dǎo)體、甬矽電子、芯動半導(dǎo)體、長電科技、芯恒源、越亞半導(dǎo)體、利揚(yáng)芯片等。 
圖片來源：全球半導(dǎo)體觀察制表 從地區(qū)分布上看，大部份半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目位于江蘇、浙江、上海、安徽、山東等華東地區(qū)，江蘇和浙江占比較高，值得一提的是一大半的半導(dǎo)體材料項(xiàng)目集中于華東地區(qū)；華南地區(qū)廣東、西南地區(qū)四川、華中地區(qū)湖北等占比處于中間水位。
圖片來源：全球半導(dǎo)體觀察制表 叁 細(xì)分領(lǐng)域“突飛猛進(jìn)”，三代半等頻繁出圈 去年整體行情不明朗，但部分細(xì)分領(lǐng)域的高速增長吸引市場關(guān)注。從表中獲悉，光刻膠、硅基、石英制品、高純電子特種氣體、超純化學(xué)品等半導(dǎo)體材料/設(shè)備、碳化硅、氮化鎵、傳感器、汽車芯片、IGBT功率器件等是去年廠商們重點(diǎn)布局的領(lǐng)域。 近年來，汽車電動化漸成大趨勢，得益于新能汽車、工業(yè)等應(yīng)用需求的增長，市場對高效電力系統(tǒng)的需求正在不斷增加，為了應(yīng)對這一趨勢，相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料過渡。因此，碳化硅、氮化鎵等功率器件大受市場歡迎。 從應(yīng)用領(lǐng)域上講，氮化鎵除了消費(fèi)端外，正在擴(kuò)展電動汽車、計(jì)算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的應(yīng)用。據(jù)TrendForce集邦咨詢，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長率高達(dá)65%。而碳化硅方面，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)�？赏_(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源。 碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目包括長光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺新建項(xiàng)目、芯粵能碳化硅項(xiàng)目、天域半導(dǎo)體總部及生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、泰科天潤碳化硅總部項(xiàng)目、基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線、乾晶半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目中試線、晶盛機(jī)電碳化硅襯底片項(xiàng)目、吉盛微武漢碳化硅制造基地、中科重儀自研功率型硅基氮化鎵生產(chǎn)線、博康（嘉興）半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線項(xiàng)目等。 與此同時(shí)，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）此前表示，2023年及2024分別有11座及42座晶圓廠投產(chǎn)，涵蓋了4英寸到12英寸晶圓的生產(chǎn)線。另據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，中國大陸晶圓代工廠規(guī)模達(dá)到44家、未來將增至32家，制程方面則將專注于成熟工藝。業(yè)界認(rèn)為未來預(yù)計(jì)會有更多的晶圓廠產(chǎn)能釋放，將帶動上游半導(dǎo)體材料和設(shè)備的需求。 去年涉及的材料/設(shè)備項(xiàng)目，包括江豐臨港基地電子專用材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、上海新昇半導(dǎo)體集成電路硅材料工程研發(fā)配套項(xiàng)目、山東有研刻蝕設(shè)備用硅材料及硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、滬碳年產(chǎn)3萬噸半導(dǎo)體用高端等靜壓石墨材料生產(chǎn)項(xiàng)目、中環(huán)領(lǐng)先高端硅基材料項(xiàng)目、晶升股份總部生產(chǎn)及研發(fā)中心項(xiàng)目等。 此外，上述表中不乏有存儲器項(xiàng)目，包括致真存儲芯片制造項(xiàng)目、佰維存儲晶圓級先進(jìn)封測制造項(xiàng)目、華迅科技高可靠性存儲器生產(chǎn)項(xiàng)目、萬潤存儲器項(xiàng)目、至訊創(chuàng)新（二期）項(xiàng)目、同有科技存儲系統(tǒng)及SSD研發(fā)智能制造基地項(xiàng)目等。值得一提的是，去年下半年存儲器產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，存儲芯片開始上漲，存儲廠商終于等來暖春。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%；DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。 結(jié)語 從上述大批量半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目動態(tài)上看，由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供需關(guān)系變化多端，產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)布局重點(diǎn)有所變動，項(xiàng)目聚焦在第三代半導(dǎo)體、IGBT、半導(dǎo)體材料、傳感器等細(xì)分領(lǐng)域�？傮w而言，雖然去年整體行業(yè)迷霧環(huán)繞，但廠商們有條不紊地展開部署，只為蓄能以待機(jī)遇降臨。 此外隨著AI、5G、HPC、新能源等應(yīng)用市場拉升芯片需求，加上近期消費(fèi)終端暖風(fēng)傳來，存儲器、CIS、模擬IC、功率半導(dǎo)體等上游芯片價(jià)格上揚(yáng)，業(yè)界揚(yáng)言，看好未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度。這也意味著，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已然渡過了最辛苦的低谷期，產(chǎn)業(yè)增長“齒輪”開始轉(zhuǎn)動。另據(jù)國際半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）表示，展望未來，全球半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將在2024年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長。 |
