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5月11日，全球半導(dǎo)體材料研究機(jī)構(gòu)TECHCET發(fā)布最新報告稱，受全球半導(dǎo)體市場持續(xù)復(fù)蘇及先進(jìn)制程技術(shù)迭代推動，2025年全球光刻材料市場收入預(yù)計同比增長7%，達(dá)到50.6億美元（約合人民幣366.46億元）。這一增長主要由EUV（極紫外光刻）光刻膠需求爆發(fā)式增長驅(qū)動，其年需求增速預(yù)計達(dá)30%，成為行業(yè)增長的核心動力。 市場復(fù)蘇與技術(shù)迭代雙輪驅(qū)動 TECHCET數(shù)據(jù)顯示，2024年全球光刻材料市場已實現(xiàn)溫和復(fù)蘇，收入同比增長1.6%至47.4億美元。其中，EUV光刻膠表現(xiàn)尤為亮眼，同比增長20%，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)光刻膠1%的增速。報告指出，這一增長得益于邏輯芯片與DRAM芯片領(lǐng)域先進(jìn)制程（如3nm及以下節(jié)點）產(chǎn)能的快速擴(kuò)張。隨著臺積電、三星、英特爾等頭部晶圓廠加速EUV光刻技術(shù)部署，EUV光刻膠需求持續(xù)攀升。 除EUV光刻膠外，輔助材料與擴(kuò)展材料市場亦呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢，2024年均實現(xiàn)2%的增幅。TECHCET分析認(rèn)為，3D NAND閃存芯片對KrF和ArF光刻膠需求的增加，以及先進(jìn)封裝技術(shù)對高分辨率光刻材料的依賴，進(jìn)一步推動了市場擴(kuò)張。 EUV光刻膠：技術(shù)突破與市場滲透并進(jìn) EUV光刻膠的爆發(fā)式增長，與其在先進(jìn)制程中的不可替代性密切相關(guān)。相比傳統(tǒng)光刻膠，EUV光刻膠需具備更高的分辨率、更低的線寬粗糙度（LWR）及更強(qiáng)的抗蝕刻性能，以滿足7nm以下節(jié)點的制造需求。目前，金屬氧化物、干式沉積等新型EUV光刻膠技術(shù)已成為行業(yè)焦點，其市場規(guī)模預(yù)計從2024年的約1.5億美元增長至2025年的超2億美元，復(fù)合年增長率達(dá)50%。 據(jù)TECHCET首席執(zhí)行官Lita Shon-Roy透露，金屬氧化物光刻膠因光吸收性優(yōu)異、蝕刻精度高，已被三星電子、SK海力士等企業(yè)引入量產(chǎn)線；而干式沉積技術(shù)則通過降低生產(chǎn)成本與能耗（原料需求減少5-10倍），成為晶圓廠降本增效的關(guān)鍵選擇。 供應(yīng)鏈本地化與技術(shù)創(chuàng)新成未來焦點 展望未來，TECHCET預(yù)測2029年全球光刻材料市場將以6%的復(fù)合年增長率持續(xù)增長。報告特別強(qiáng)調(diào)，供應(yīng)鏈本地化趨勢將重塑行業(yè)格局。為應(yīng)對地緣政治風(fēng)險與技術(shù)封鎖，美國、韓國、中國臺灣及中國大陸等地正加速建設(shè)本土光刻材料生產(chǎn)基地，重點發(fā)展干法光刻膠沉積、納米壓印光刻等下一代技術(shù)。 此外，行業(yè)巨頭正通過并購與合作強(qiáng)化技術(shù)壁壘。例如，日本JSR收購美國Inpria公司后，已與SK海力士聯(lián)合開發(fā)金屬氧化物光刻膠；信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)等企業(yè)則持續(xù)擴(kuò)大EUV光刻膠產(chǎn)能，以搶占市場份額。 結(jié)語 TECHCET的報告表明，半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇與技術(shù)迭代的雙重驅(qū)動下，光刻材料行業(yè)正迎來新一輪增長周期。作為先進(jìn)制程的“卡脖子”環(huán)節(jié)，EUV光刻膠的國產(chǎn)化與技術(shù)突破將成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈競爭的關(guān)鍵戰(zhàn)場。隨著供應(yīng)鏈本地化與技術(shù)創(chuàng)新加速，未來光刻材料市場的競爭格局或?qū)⒂瓉砩羁套兏铩?/td> |
