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近日，光刻機(jī)巨頭ASML披露最新交付規(guī)劃，預(yù)計(jì)2027年將向客戶交付10臺(tái)High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)）和56臺(tái)Low-NA EUV（低數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)）設(shè)備。這一數(shù)據(jù)較此前市場(chǎng)預(yù)期顯著提升，反映出全球半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的持續(xù)投入，尤其是英特爾、三星、SK海力士等大廠在埃米級(jí)（1nm以下）工藝競(jìng)賽中的加速布局。根據(jù)ASML的評(píng)估，目前EUV光刻機(jī)的采購周期長(zhǎng)達(dá)一年以上，客戶需提前數(shù)年作出采購承諾。 High-NA EUV：英特爾領(lǐng)銜，埃米級(jí)制程進(jìn)入倒計(jì)時(shí) 根據(jù)ASML的訂單信息，2027年High-NA EUV光刻機(jī)的交付量將從原計(jì)劃的8臺(tái)增至10臺(tái)，其中英特爾的訂單量從1臺(tái)追加至2臺(tái)。這一調(diào)整與英特爾近期對(duì)Intel 14A制程（1.4nm）的資本支出加碼密切相關(guān)。作為全球首款面向埃米級(jí)工藝的光刻機(jī)，High-NA EUV的分辨率高達(dá)8nm，支持單次曝光實(shí)現(xiàn)1.7倍的元件尺寸縮小，晶體管密度較傳統(tǒng)EUV提升2.9倍。 英特爾已明確將High-NA EUV用于2026-2027年量產(chǎn)的14A制程，該節(jié)點(diǎn)被視為其重返芯片制造技術(shù)巔峰的關(guān)鍵。此前，英特爾于2024年4月完成全球首臺(tái)商用High-NA EUV光刻機(jī)的組裝，并宣布將其部署在俄勒岡州D1X工廠。與此同時(shí)，SK海力士也追加了一臺(tái)High-NA EUV訂單，總量增至2臺(tái)，主要用于HBM4等高端存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)。 Low-NA EUV：臺(tái)積電、三星主導(dǎo)，3nm/2nm制程持續(xù)擴(kuò)容 在Low-NA EUV領(lǐng)域，ASML計(jì)劃2027年交付56臺(tái)設(shè)備，較此前預(yù)期增加4臺(tái)。其中，臺(tái)積電和三星是主要采購方。臺(tái)積電雖未在量產(chǎn)制程中導(dǎo)入High-NA EUV，但其對(duì)Low-NA EUV的需求持續(xù)旺盛。據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電今明兩年將接收超60臺(tái)EUV光刻機(jī)，相關(guān)投資超4000億新臺(tái)幣，大部分訂單將于2026年后交付。 三星方面，其追加的2臺(tái)Low-NA EUV訂單（總量增至7臺(tái)）將用于支持3nm GAA（環(huán)繞柵極）工藝的擴(kuò)產(chǎn)。目前，三星已利用EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)3nm芯片的量產(chǎn)，并計(jì)劃通過增加設(shè)備投入縮小與臺(tái)積電的技術(shù)差距。 行業(yè)影響：光刻機(jī)競(jìng)爭(zhēng)進(jìn)入“埃米時(shí)代” ASML的交付計(jì)劃調(diào)整，標(biāo)志著全球半導(dǎo)體制造正式邁入埃米級(jí)工藝時(shí)代。High-NA EUV的單臺(tái)價(jià)格高達(dá)3.7億美元，僅臺(tái)積電、英特爾、三星等少數(shù)大廠能夠負(fù)擔(dān)。這一技術(shù)壁壘將進(jìn)一步鞏固頭部企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)加劇中小廠商的邊緣化。 對(duì)于中國(guó)而言，ASML的EUV光刻機(jī)仍受出口管制限制，但國(guó)內(nèi)廠商正通過多重曝光、NIL（納米壓印）等替代技術(shù)突破制程瓶頸。例如，佳能與鎧俠合作的NIL技術(shù)已實(shí)現(xiàn)5nm級(jí)電路線寬，且單個(gè)晶圓功耗僅為EUV光刻的十分之一。 |
